## 对比文件名称
2014-12-11_JP2014232818A_发明专利_JP2014232818A 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール
## 目标专利名称
1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
## 调用的模型名称
当前调用的AI模型（基于深度思考的资深专利代理师模型）
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译，带段落号） | 公开性论述 |
| 特征A：该方法包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件[0028]：“所述太阳电池的制造方法包括：在准备光转换部的光转换部准备工序之后，进行绝缘处理工序，形成所述第一主面侧的第一透明电极层与第二主面侧的背面电极层之间的短路被去除的绝缘区域”。 | 对比文件明确公开了制造太阳电池的方法包括多个步骤，直接公开了“该方法包括以下步骤”这一方法前序特征。 |
| 特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模《未公开》 | 对比文件未记载在半导体基板的划线部分设置掩模；其背景技术中虽提及掩模（特开2001-44461），但本申请的方法明确不使用掩模，且整个说明书未公开该步骤。 | 对比文件既未直接公开也未隐含公开在划线部分设置掩模的技术特征，其教导避开掩模方案。 |
| 特征C：其中，所述半导体基板包括多个单元部分《未公开》 | 对比文件未记载半导体基板包括多个单元部分或划线部分；其仅涉及单个太阳电池的光电转换部结构。 | 对比文件不涉及多单元分割，未公开半导体基板包含多个单元部分。 |
| 特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间《未公开》 | 对比文件无“划线部分”和“多个单元部分”的概念记载。 | 对比文件未公开划线部分的位置关系。 |
| 特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域《未公开》 | 对比文件未涉及在掩模上形成导电区域；其导电区域直接形成在基板上。 | 对比文件未公开在掩模上形成导电区域的步骤。 |
| 特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极《直接公开》 | 对比文件[0058]：“在光电转换部的第一主面上形成集电极70。……通过印刷法使用银浆印刷形成具有第一导电层71和第二导电层72的集电极70。” | 对比文件直接公开了在导电区域（透明电极层）上形成集电极（即第一电极）的步骤。 |
| 特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接《直接公开》 | 对比文件[0058]集电极直接形成在透明电极层上，且处于导电接触状态。 | 对比文件中集电极必然与透明电极层（第一导电区域）形成电联接，直接公开。 |
| 特征H：去除所述掩模《未公开》 | 对比文件未使用掩模，故无去除掩模的工序。 | 对比文件未公开。 |
| 特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开。 |
| 特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板。《未公开》 | 对比文件[0029]：“绝缘区域优选通过激光照射形成。”但激光仅用于形成肩结构绝缘区域，不用于分割基板；其明确避免折割（[0028]“无需折割”）。 | 对比文件未公开通过激光照射划线部分分割基板，其激光仅进行绝缘处理而不贯穿基板。 |
| 特征K：其中《隐含公开》 | 对比文件多处使用“其中”类连接词，如[0017]：“所述光电转换部在……，其中……” | 对比文件在描述技术特征时使用相同逻辑词，隐含公开。 |
| 特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露。《未公开》 | 对比文件未涉及掩模，且无“划线部分暴露”的教导。 | 对比文件未公开。 |
| 特征M：其中《隐含公开》 | 同特征K。 | 对比文件使用该连接词，隐含公开。 |
| 特征N：形成所述第一电极包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件[0058]详细描述了形成集电极的步骤：印刷银浆、干燥等。 | 对比文件直接公开了形成第一电极包括的具体步骤。 |
| 特征O：形成第一透明电极层《直接公开》 | 对比文件[0044]：“作为透明电极层6a和6b，分别形成膜厚100nm的氧化铟锡（ITO）。” | 直接公开了形成第一透明电极层的步骤。 |
| 特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层《直接公开》 | 对比文件[0058]：“集电极70在透明电极层6a上通过印刷形成，包含金属层。” | 直接公开了在透明电极层上形成金属电极层（集电极）。 |
| 特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件[0058]：“通过使用银浆的印刷法形成集电极70。” | 直接公开了形成金属电极层包括印刷等步骤。 |
| 特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层《直接公开》 | 对比文件[0058]集电极形成于第一主面（即单元区域）。 | 直接公开了在单元区域（主面）形成金属电极层。 |
| 特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层。《未公开》 | 对比文件未教导选择性避开划线部分形成金属；其通过激光后续去除。 | 特征涉及选择性形成方法，对比文件未公开或隐含公开。 |
| 特征T：该方法还包括以下步骤《隐含公开》 | 对比文件[0028]：“方法包括光转换部准备工序、绝缘处理工序……”等方法显然还包括其他未列举的步骤。 | 对比文件的方法包括多个工序，隐含公开“还包括其他步骤”的表述。 |
| 特征U：在设置所述掩模之前《未公开》 | 对比文件未涉及掩模设置。 | 未公开。 |
| 特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层《直接公开》 | 对比文件[0044]：“作为本征硅系薄膜2a，以5nm膜厚形成i型非晶硅。”该层用作钝化层。 | 直接公开了在半导体基板上形成第一钝化层（本征非晶硅层）。 |
| 特征W：其中《隐含公开》 | 同特征K、M。 | 隐含公开。 |
| 特征X：去除所述掩模包括以下步骤《未公开》 | 无相关内容。 | 未公开。 |
| 特征Y：去除所述掩模《未公开》 | 无。 | 未公开。 |
| 特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露。《未公开》 | 无。 | 未公开。 |
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## 公开性代码输出
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