**对比文件名称：** 2004-08-05_JP2004221437A_发明专利_JP2004221437A Photovoltaic device and manufacturing method thereof
**目标专利名称：** 1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
**本次调用的模型名称：** 未指定
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：该方法包括以下步骤 《直接公开》 | 【0036】“接下来，参照图2～图11，说明第1实施方式的光伏装置的制造过程。”并具体描述了多个步骤。 | 对比文件全文公开了一种光伏装置的制造方法，包括一系列明确的处理步骤，本领域技术人员可直接且毫无疑义地确定该方法包含多个步骤，故特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在半导体基板的划线部分上设置掩模 《未公开》 | 【0037】“在n型单晶硅基板1的表面上设置金属掩模32…仅掩蔽基板的4个角部1a。”<br>【0041】“在n型单晶硅基板1的表面上设置金属掩模42，该掩模具有比本征非晶硅膜2的形成区域小的开口部42c。” | 对比文件中设置的掩模均处于基板的表面（或本征膜上），其目的是防止膜沉积到基板侧面或限定有源区，并未设置在用于切割分离的“划线部分”上，也未公开任何关于“划线部分”的概念。因此，特征B未被公开。 |
| 技术特征C：所述半导体基板包括多个单元部分 《未公开》 | 全文未提及。 | 对比文件仅使用单个半导体基板制造单个光伏器件，未公开基板包含多个单元部分的概念。因此，特征C未被公开。 |
| 技术特征D：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间 《未公开》 | 全文未提及。 | 对比文件既未公开多个单元部分，也未公开任何划线部分的位置关系。因此，特征D未被公开。 |
| 技术特征E：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域 《直接公开》 | 【0042】“利用等离子体CVD法，在n型单晶硅基板1的表面上的本征非晶硅膜2上，形成厚度约3nm～约10nm的掺杂B的p型非晶硅膜3。”<br>【0048】“金属掩模42上附着的氧…”，隐含掩模上也有膜形成。 | 形成p型非晶硅膜时，该膜不仅沉积在基板表面的本征膜上（基板被本征膜覆盖），同时也会不可避免地沉积在金属掩模42上（沉积工艺的必然结果）。本领域技术人员根据工艺常识可直接确定掩模上同样形成了该导电膜。因此，特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：在所述第一导电区域上形成第一电极 《直接公开》 | 【0043】“利用溅射法，在p型非晶硅膜3上形成厚度约70nm～约100nm的由ITO构成的表面电极4。” | 对比文件明确在p型非晶硅膜（第一导电区域）上直接形成了ITO表面电极（第一电极），故特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：所述第一电极与所述第一导电区域电联接 《直接公开》 | 【0043】见上，ITO表面电极直接形成在p型非晶硅膜上。 | ITO表面电极与p型非晶硅膜直接接触，自然形成电联接，这是本领域技术人员的普遍认知。因此，特征G被直接公开。 |
| 技术特征H：去除所述掩模 《隐含公开》 | 【0044】“使形成有p型非晶硅膜3和表面电极4的n型单晶硅基板1的背面朝上，将其设置在托盘41的基板承接部41a上，同时设置与金属掩模42不同的金属掩模。” | 要进行背面工艺，必须先移除正面使用的掩模42（否则无法翻转并设置新掩模）。虽然对比文件未明示“去除掩模”这一步骤，但根据工艺连续性，本领域技术人员必然推断出在形成正面膜层后、进行背面处理前去除了掩模。因此，特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分 《隐含公开》 | 【0048】“金属掩模42上附着的氧…”，暗示掩模上附着有膜；掩模去除时，其上的膜必然随之剥离。 | 在lift-off工艺中，去除掩模的同时会去除掩模上沉积的膜层。对比文件虽未明写，但本领域技术人员基于常识可以合理推断：当掩模被去除时，其上的第一导电区域（p型膜和/或ITO）也会被一并去除。因此，特征I被隐含公开。 |
| 技术特征J：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板 《未公开》 | 全文未提及。 | 对比文件中没有任何关于激光照射、划线部分或分割基板的描述，其工艺不涉及基板分割步骤。因此，特征J未被公开。 |
| 技术特征K：其中 《直接公开》 | 全文多处使用如「ここで」、「において」等连接词，例如【0029】“ここで、第１実施形態では、…”。 | 对比文件在描述技术和结构时使用了相当于“其中”的连接词，本领域技术人员可识别这些表述。故特征K（作为连接词）被直接公开。 |
| 技术特征L：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露 《未公开》 | 【0044】隐含掩模去除后，其覆盖的区域（基板角部）的本征膜暴露，但基板本身被本征膜覆盖未直接暴露。 | 对比文件中掩模去除后暴露的是本征非晶硅膜，而非半导体基板本身；且暴露区域为基板边缘而非“划线部分”（本发明特指单元间的分割区域）。因此，特征L未被公开。 |
| 技术特征M：其中 《直接公开》 | 同特征K。 | 同特征K论述，特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：形成所述第一电极包括以下步骤 《直接公开》 | 【0043】形成ITO表面电极；【0046】“利用丝网印刷法，在表面电极4和背面电极14上的预定区域分别形成由银构成的集电极5和15。” | 对比文件公开了形成第一电极的具体步骤（形成ITO层和形成银集电极），因此特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：形成第一透明电极层 《直接公开》 | 【0043】“形成由ITO构成的表面电极4。” | ITO是典型的透明导电材料，对比文件明确形成了该透明电极层，故特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层 《直接公开》 | 【0046】“在表面电极4上形成由银构成的集电极5。” | 银集电极作为金属电极层直接形成在ITO透明电极层之上，故特征P被直接公开。 |
| 技术特征Q：形成所述第一金属电极层包括以下步骤 《直接公开》 | 【0046】“利用丝网印刷法，在表面电极4上的预定区域形成由银构成的集电极5。” | 对比文件明确采用了丝网印刷方法形成金属电极层，包含具体步骤（如印刷、干燥等），故特征Q被直接公开。 |
| 技术特征R：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层 《未公开》 | 【0046】银集电极形成在表面电极4上，而表面电极4仅存在于p型非晶硅膜区域（有源区）。 | 对比文件未定义“单元部分”，其有源区不能等同于本发明中相对于划线部分定义的单元部分。且无划线部分的对应关系，故无法直接或合理推断出在“单元部分”上形成。因此，特征R未被公开。 |
| 技术特征S：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层 《未公开》 | 全文未提及划线部分及金属电极层的该选择性形成。 | 对比文件不具有划线部分的概念，因此不可能公开“不在划线部分上形成”这一特征。特征S未被公开。 |
| 技术特征T：该方法还包括以下步骤 《直接公开》 | 【0044】-【0046】描述了形成背面膜层、背面电极及集电极的进一步步骤。 | 对比文件在形成正面结构后确实还包括其他步骤（如背面处理），故特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：在设置所述掩模之前 《直接公开》 | 【0039】-【0040】先形成本征非晶硅膜2（第一钝化层）；【0041】再设置金属掩模42。 | 对比文件明确本征膜的沉积发生在设置掩模42之前，时间顺序清晰。因此，特征U被直接公开。 |
| 技术特征V：在所述半导体基板上形成第一钝化层 《直接公开》 | 【0040】“形成实质上本征的非掺杂非晶硅膜2，以覆盖n型单晶硅基板1的表面、侧面和背面的实质上整个面。” | 该非掺杂非晶硅膜起到钝化作用，相当于本发明的第一钝化层。故特征V被直接公开。 |
| 技术特征W：其中 《直接公开》 | 同特征K。 | 同特征K论述，特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：去除所述掩模包括以下步骤 《隐含公开》 | 同特征H论述，基于工艺连续性。 | 与特征H相同，去除掩模是必需的步骤，虽未明言但必然存在，故特征X被隐含公开。 |
| 技术特征Y：去除所述掩模 《隐含公开》 | 同特征H。 | 与特征H相同，去除掩模被隐含公开。 |
| 技术特征Z：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露 《未公开》 | 去除掩模后，掩模覆盖区域的本征膜暴露，但该区域是基板角部（边缘），并非划线部分。 | 对比文件既无“划线部分”，去除掩模后暴露的区域也不等同于本发明中用于分割的划线部分。因此，特征Z未被公开。 |
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