**对比文件名称：** 1997-07-11_None_发明专利_JPH09181347A Photoelectric converter
**目标专利名称：** 1649太阳能电池及其制造方法CN108110072B
**调用模型名称：** 未指定，本次使用通用模型
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：该方法包括以下步骤 **《直接公开》** | 对比文件[0010]至[0018]整体描述了光电器件的制造方法，包括沉积、掩蔽、蚀刻、形成电极、切割等步骤。 | 对比文件公开了一种制造光电器件的完整方法，包括多个处理步骤，因此直接公开了方法包含步骤这一前置特征。 |
| **技术特征B**：在半导体基板的划线部分上设置掩模 **《未公开》** | [0016]“用抗蚀剂覆盖受光面电极层4和背面电极层8的预定区域并掩蔽。” | 对比文件掩模设置在电极层上以保护其不被蚀刻，而目标专利掩模直接设置在基板划线部分，用于阻止导电层形成；对比文件无“划线部分”概念，且掩模设置时机（导电层形成后）和作用（保护）不同，未直接或隐含公开。 |
| **技术特征C**：其中，所述半导体基板包括多个单元部分 **《直接公开》** | [0018]“在基板1上制作了多个元件区域的情况下” | 对比文件明确基板包含多个元件区域（单元部分），直接公开。 |
| **技术特征D**：所述划线部分位于所述多个单元部分中的第一单元部分和第二单元部分之间 **《直接公开》** | [0024]及图5说明“C3表示通过激光或切割等切割进行元件分离的位置” | C3位于元件区域之间，即为划线部分，直接公开了划线部分位于单元部分之间。 |
| **技术特征E**：在所述半导体基板和所述掩模上形成第一导电区域 **《未公开》** | [0014]“形成n型第2非晶硅层3”“形成ITO制成的受光面电极层4” | 对比文件导电区域在掩模设置前已形成，且掩模覆盖在导电区域上；目标专利顺序相反（先设掩模再形成导电区域），且要求导电区域形成在掩模上，对比文件未公开。 |
| **技术特征F**：在所述第一导电区域上形成第一电极 **《直接公开》** | [0012]“在受光面电极层4上设有输出取出电极5” | 取出电极5直接形成在受光面电极层（第一导电区域）上，直接公开。 |
| **技术特征G**：所述第一电极与所述第一导电区域电联接 **《直接公开》** | 同上 | 取出电极与受光面电极层电连接，直接公开。 |
| **技术特征H**：去除所述掩模 **《隐含公开》** | [0016]涉及使用抗蚀剂掩模进行蚀刻，但未明确记载抗蚀剂去除步骤 | 本领域技术人员在蚀刻后常规会去除抗蚀剂掩模，因此合理推断存在去除掩模步骤，隐含公开。 |
| **技术特征I**：以去除所述第一导电区域的设置在所述掩模上的部分 **《未公开》** | [0016]“蚀刻第2非晶硅层3、受光面电极层4……的周缘部” | 对比文件中导电区域去除是通过蚀刻未被掩蔽的部分实现，而非通过去除掩模来带走掩模上的部分；技术手段和目的均不同，未公开。 |
| **技术特征J**：通过用激光照射所述半导体基板的去除了所述第一导电区域的所述划线部分沿着所述半导体基板的所述划线部分来分割所述半导体基板 **《直接公开》** | [0018]“为了分离元件彼此，通过激光、切割或金刚石划片等进行切割”；[0024]图5中C3为激光切割位置 | 对比文件切割位置（划线部分）在蚀刻步骤中已去除导电层周缘，因此激光照射时该区域无导电区域；直接公开了用激光沿划线部分分割基板。 |
| **技术特征K**：其中 **《未公开》** | - | 无实质技术内容，对比文件未公开权利要求中连接词的特定表达。 |
| **技术特征L**：所述半导体基板通过去除所述掩模而经由所述半导体基板的所述划线部分暴露 **《未公开》** | [0016]“第1非晶硅层2几乎不被蚀刻”，基板通过蚀刻暴露而非去除掩模 | 目标专利通过去除掩模直接暴露基板；对比文件基板暴露通过蚀刻实现，去除掩模后暴露的是被保护层，作用不同，未公开。 |
| **技术特征M**：其中 **《未公开》** | - | 同K。 |
| **技术特征N**：形成所述第一电极包括以下步骤 **《直接公开》** | [0014]形成ITO层；[0018]形成取出电极 | 对比文件形成电极过程包括至少两个子步骤（形成透明导电层和金属电极），直接公开了形成电极包括步骤。 |
| **技术特征O**：形成第一透明电极层 **《直接公开》** | [0014]“成膜ITO制成的受光面电极层4” | 直接公开形成透明电极层。 |
| **技术特征P**：在所述第一透明电极层上形成第一金属电极层 **《直接公开》** | [0018]“通过丝网印刷、焊料浸渍或蒸镀等方法形成取出电极5” | 取出电极（金属电极）直接形成在透明电极层上，直接公开。 |
| **技术特征Q**：形成所述第一金属电极层包括以下步骤 **《隐含公开》** | [0018]形成取出电极5 | 对比文件虽未明确金属电极层形成步骤的分解，但包含该过程，隐含公开。 |
| **技术特征R**：在所述半导体基板的所述单元部分上形成所述第一金属电极层 **《隐含公开》** | [0012]受光面电极层4周缘被蚀刻去除，取出电极5形成在其表面 | 由于受光面电极层仅存在于单元区域（中央），取出电极必然只形成在单元部分，隐含公开。 |
| **技术特征S**：而没有在所述半导体基板的所述划线部分上形成所述第一金属电极层 **《隐含公开》** | 同上 | 取出电极不会形成于已被蚀刻去除的划线部分，隐含公开。 |
| **技术特征T**：该方法还包括以下步骤 **《直接公开》** | 对照整体方法 | 对比文件方法还包括其他步骤（如形成钝化层），直接公开。 |
| **技术特征U**：在设置所述掩模之前 **《直接公开》** | [0014]形成第1非晶硅层2（钝化层）在基板上；掩模在[0016]才设置 | 对比文件钝化层形成明显在掩模设置之前，直接公开时间顺序。 |
| **技术特征V**：在所述半导体基板上形成第一钝化层 **《直接公开》** | [0014]“成膜i型氢化非晶硅层即第1非晶硅层2，厚度400Å以下” | 直接公开在基板上形成本征非晶硅钝化层。 |
| **技术特征W**：其中 **《未公开》** | - | 同K。 |
| **技术特征X**：去除所述掩模包括以下步骤 **《隐含公开》** | [0018]提到切割前可能涉及掩模去除（未明确但可推断） | 常规工艺中蚀刻后必去除抗蚀剂，因此可合理推断去除掩模包括一系列操作，隐含公开。 |
| **技术特征Y**：去除所述掩模 **《隐含公开》** | 同H | 同H，隐含公开。 |
| **技术特征Z**：以使所述第一钝化层的设置在所述半导体基板的所述划线部分上的部分暴露 **《未公开》** | [0016]第1非晶硅层在蚀刻后仍保留，但暴露是通过蚀刻上层实现，而非去除掩模 | 目标专利通过去除掩模使钝化层暴露；对比文件钝化层虽在划线部分暴露，但实现方式是通过蚀刻，且去除掩模后暴露的是电极层而非钝化层，技术手段和结果不同，未公开。 |
## 公开性代码输出
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