**对比文件的名称：** 2010-04-30_None_发明专利_JPWO2008078755A1 集電体およびその製造方法
**目标专利的名称：** 1652制造二次电池用电极的方法CN107425178B
**本次调用的模型名称：** 未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：**《直接公开》<br>所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料 | 对比文件[0020]：“本发明涉及一种电极，其具有上述电极用集电器和担载于该集电器上的活物质层。” | 对比文件明确公开了集电器上担载活物质层的电极结构，即电极包含涂布在集电器上的电极活性材料，因此直接公开。 |
| **技术特征B：**《隐含公开》<br>所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态 | 对比文件[0025]公开了制造集电器的方法，包括形成第一突起和第二突起；[0039]公开了通过辊压形成突起。 | 对比文件公开了通过辊压和后续处理在集电器表面形成突起和粗糙度，虽然未明确强调“整个表面”，但本领域技术人员可理解这些处理使集电器整体表面获得了凹凸形态，因此隐含公开。 |
| **技术特征C：**《直接公开》<br>从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力 | 对比文件[0041]：“第2突起具有提高第1突起与活物质之间密着性的作用。因此，在活物质反复膨胀和收缩时，抑制活物质从集电体的剥离。” | 对比文件明确说明第二突起提高活物质与集电体的密着性，抑制剥离，即增强粘附力，因此直接公开。 |
| **技术特征D：**《直接公开》<br>其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理 | 对比文件[0026]：“包括使片状材料通过一对辊之间，所述辊的表面分别以规则图案配置有凹部。” | 对比文件公开了使用表面具有凹部（相当于浮雕图案）的辊对金属箔进行辊压形成突起，因此直接公开。 |
| **技术特征E：**《直接公开》<br>其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm | 形状：对比文件[0041]：“第1突起的横截面形状没有特别限制，可以是矩形、多边形、圆形、椭圆形等。”<br>间隔：对比文件[0052]：“第2突起的平均突起间隔s优选为0.5～6μm。” | 形状特征直接公开；间隔0.5～6μm完全落入0.001～10μm范围内，因此直接公开了间隔范围，故特征E整体直接公开。 |
| **技术特征F：**《隐含公开》<br>所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm | 对比文件[0042]公开了第2突起的高度小于第1突起；实施例中给出第2突起平均高度如4.4μm、1.1μm等。 | 对比文件未明确使用“谷的深度”一词，但本领域技术人员可理解第2突起的高度即相当于不规则处之间的谷深，且实施例给出的高度在0.001～10μm内，因此隐含公开。 |
| **技术特征G：**《直接公开》<br>其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm | 对比文件[0050]：“包含第2突起的第1突起顶部的表面粗糙度Ra优选为0.3～5μm。” | 对比文件公开的Ra范围0.3～5μm包含大于1μm且不大于5μm的部分，即直接公开了Ra在1～5μm，符合特征G的要求，因此直接公开。 |
| **技术特征H：**《直接公开》<br>其中所述电极为正极和负极中的至少一种 | 对比文件[0020]涉及电极；[0166]提及正极和负极。 | 对比文件明确涉及电极，且正极和负极均被提及，因此直接公开。 |
| **技术特征I：**《未公开》<br>其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4) | 对比文件未提及LiaTibO4。 | 对比文件负极活性材料为硅系、锡系，未涉及锂钛氧化物，因此未公开。 |
| **技术特征J：**《未公开》<br>其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5 | 对比文件未公开。 | 对比文件无相关参数，未公开。 |
| **技术特征K：**《直接公开》<br>其中所述集电器的厚度为3μm～500μm | 对比文件[0062]：“集电体的厚度没有特别限制，例如一般为1～50μm。” | 对比文件公开了厚度1～50μm，其中3～50μm落入目标专利的3～500μm范围内，因此直接公开了厚度范围的部分，故直接公开。 |
| **技术特征L：**《未公开》<br>其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1) | 对比文件[0167]提到LiMn2O4等，但式1要求0<y<2，LiMn2O4中y=0，不符合。 | 对比文件虽提到LiMn2O4，但式1要求0<y<2，LiMn2O4中y=0，且未公开M、A等参数，因此未公开符合式1的材料。 |
| **技术特征M：**《未公开》<br>其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，0≤z<0.2；M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi | 对比文件未公开。 | 对比文件无相关参数，未公开。 |
| **技术特征N：**《未公开》<br>A为至少一种一价阴离子或二价阴离子。 | 对比文件未公开。 | 对比文件无相关描述，未公开。 |
| **技术特征O：**《未公开》<br>其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2) | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开含Ni的尖晶石结构，未公开。 |
| **技术特征P：**《未公开》<br>其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5 | 对比文件未公开。 | 对比文件无相关参数，未公开。 |
| **技术特征Q：**《未公开》<br>其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开这些具体化合物，未公开。 |
| **技术特征R：**《未公开》<br>其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开锂钛氧化物，未公开。 |
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