**本次调用的模型名称：OpenAI GPT-4**
**对比文件名称：** 2003-08-13_EP1335438A_发明公开_EP1335438A1 NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM SECONDARY CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
**目标专利名称：** 1652制造二次电池用电极的方法 CN107425178B
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：《直接公开》** 所述电极包含涂布在集电器上的电极活性材料 | 对比文件[0009]：“根据本发明第一方面的锂二次电池用负极，其特征在于通过提供具有0.2μm或更大表面粗糙度Ra的导电金属箔作为集电器，并在非氧化气氛下将包含硅和/或硅合金的活性材料颗粒与导电金属粉末的混合物的层烧结在集电器表面上而获得。” 以及[0046]实施例中浆料涂布在电解铜箔上。 | 对比文件明确公开了在集电器（导电金属箔）上形成含有活性材料（硅和/或硅合金）的层，即电极活性材料涂布在集电器上。因此直接公开。 |
| **技术特征B：《隐含公开》** 所述方法包括：对所述集电器进行表面处理以具有在集电器的整个表面上的形态 | 对比文件[0009]：“提供具有0.2μm或更大表面粗糙度Ra的导电金属箔作为集电器”。[0018]进一步说明使用具有特定表面粗糙度的金属箔增加接触面积。 | 对比文件使用了预先满足表面粗糙度Ra≥0.2μm的集电器，该粗糙度本身即是对表面进行处理后的结果。本领域技术人员可以合理推断出该集电器经过了表面处理以形成整个表面上的粗糙形态，但对比文件未明确记载表面处理步骤，因此隐含公开。 |
| **技术特征C：《直接公开》** 从而增强所述电极活性材料与所述集电器之间的粘附力 | 对比文件[0018]：“……增加了活性材料颗粒与导电金属粉末的混合物与金属箔表面之间的接触面积，因此使得在非氧化或还原气氛下的烧结更有效，从而改善活性材料颗粒和导电金属粉末与集电器之间的粘附力。” | 对比文件明确指出了使用具有特定表面粗糙度的集电器能够改善粘附力，因此直接公开。 |
| **技术特征D：《未公开》** 其中以使用在表面处具有浮雕图案的辊对所述集电器进行辊压的方式实施所述表面处理 | 对比文件全文未提及使用辊进行表面处理，也未提到浮雕图案或辊压。 | 对比文件获得表面粗糙度的方式是通过电解沉积等方法，未公开使用具有浮雕图案的辊进行辊压。因此既不直接公开也不隐含公开。 |
| **技术特征E：《未公开》** 其中所述图案的垂直横截面为多边形、圆形或椭圆形形状；并且形成在所述集电器的表面处的不规则处之间的间隔为0.001μm～10μm | 对比文件[0020]提到表面粗糙度Ra和相邻局部峰的平均距离S满足关系100Ra≧S，但未公开图案形状，也未限定S的数值范围为0.001μm～10μm。 | 对比文件未公开任何关于图案形状的信息，也未公开不规则处之间的间隔数值范围，因此未公开。 |
| **技术特征F：《未公开》** 所述不规则处之间的谷的深度为0.001μm～10μm | 对比文件未公开谷深度的任何信息。 | 对比文件仅公开了表面粗糙度Ra，Ra不直接等同于谷深度，也未限定谷深度的具体数值范围，因此未公开。 |
| **技术特征G：《隐含公开》** 其中表面粗糙度Ra大于1μm且不大于10μm | 对比文件[0018]公开表面粗糙度Ra≥0.2μm；[0019]公开“导电金属箔的表面粗糙度Ra的上限没有特别限制，但优选在10-100μm范围内，因此实际的上限可以是10μm或以下。” | 对比文件公开的Ra范围包括0.2μm至10μm，虽未明确限定大于1μm，但本领域技术人员根据其教导可以容易地选择Ra为1～10μm的值，且该范围完全落入对比文件公开的范围内。因此隐含公开。 |
| **技术特征H：《隐含公开》** 其中所述电极为正极和负极中的至少一种 | 对比文件主要用于负极（[0009]等），但[0042]公开了正极活性材料，表明电池包含正极和负极。 | 对比文件虽主要涉及负极，但表面粗糙集电器提高粘附力的原理适用于任何电极。本领域技术人员有动机将该方法应用于正极制造，因此隐含公开电极可以是正极或负极。 |
| **技术特征I：《未公开》** 其中所述负极包含由下式4表示的锂金属氧化物作为负极活性材料：LiaTibO4 (4) | 对比文件[0009]及全文均以硅和/或硅合金作为负极活性材料，未提及锂钛氧化物。 | 对比文件的负极活性材料为硅基材料，完全不同于目标专利的锂钛氧化物，因此未公开。 |
| **技术特征J：《未公开》** 其中0.5≤a≤3，1≤b≤2.5 | 对比文件未公开LiaTibO4及其指数范围。 | 基于特征I未公开，特征J自然未公开。 |
| **技术特征K：《隐含公开》** 其中所述集电器的厚度为3μm～500μm | 对比文件[0030]：“导电金属箔的厚度没有特别限制，但优选为10μm～100μm。” | 对比文件公开的集电器厚度优选范围10-100μm完全落入目标专利的3-500μm范围内。本领域技术人员根据对比文件可以合理选择该范围内的厚度，因此隐含公开。 |
| **技术特征L：《未公开》** 其中所述正极包含由下式1表示的锂金属氧化物作为正极活性材料：LixMyMn2-yO4-zAz (1) | 对比文件[0042]公开了正极活性材料如LiCoO2、LiNiO2、LiMn2O4、LiMnO2、LiCo0.5Ni0.5O2、LiNi0.7Co0.2Mn0.1O2等。 | 对比文件公开的正极活性材料虽为锂金属氧化物，但并未公开权利要求1限定的具体通式，特别是M为多种元素且y>0的尖晶石结构（LiMn2O4中y=0，不符合0<y<2）。因此未公开。 |
| **技术特征M：《未公开》** 其中0.9≤x≤1.2，0<y<2，0≤z<0.2；M为选自如下元素中的至少一种元素：Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi | 对比文件[0042]未公开这些具体范围及元素。 | 对比文件未公开该技术特征中的任何具体参数，因此未公开。 |
| **技术特征N：《未公开》** A为至少一种一价阴离子或二价阴离子 | 对比文件未提及阴离子A。 | 对比文件未公开该特征。 |
| **技术特征O：《未公开》** 其中式1的氧化物由下式2表示：LixNiyMn2-yO4 (2) | 对比文件未公开该式。 | 对比文件未公开镍锰酸锂的具体组成。 |
| **技术特征P：《未公开》** 其中0.9≤x≤1.2，0.4≤y≤0.5 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| **技术特征Q：《未公开》** 其中所述氧化物为LiNi0.5Mn1.5O4或LiNi0.4Mn1.6O4 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| **技术特征R：《未公开》** 其中所述锂金属氧化物为Li1.33Ti1.67O4或LiTi2O4 | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
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