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1997-05-27_US5632083A_发明授权_US5632083A Lead frame fabricating method and lead frame fabricating apparatus_+++A_B_D_L+++.docx
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2000-02-29_JP2000061677A_发明专利_JP2000061677A Method and device for laser beam cutting_+++A_B_I_K+++.docx
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2000-06-20_JP2000167681A_发明专利_JP2000167681A Laser cutting substrate, liquid crystal display panel and manufacture of the panel_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2001-02-27_JP2001056455A_发明专利_JP2001056455A Liquid crystal display device panel_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2001-03-23_JP2001077506A_发明专利_JP2001077506A Board for laser cutting and liquid crystal display unit panel constituted of the board for laser cutting_+++A_B_I_K+++.docx
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2001-10-02_US6297869B_发明授权_US06297869B1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2003-06-17_US6580489B_发明授权_US06580489B2 Liquid crystal display panel and a substrate capable of being cut by a laser light_+++a_b_i_k+++.docx
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2003-11-13_US2003209528A_发明申请_US20030209528A1 Laser cutting apparatus and method_+++A_B_D_I_K_l+++.docx
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2004-04-06_US6717101B_发明授权_US06717101B2 Method and apparatus for laser ablation of a target material_+++A_B_E_I_J_L+++.docx
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2004-11-23_US6822725B_发明授权_US06822725B2 Liquid crystal display substrates integrated by sealant formed inside cutting lines_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2005-04-28_US2005088610A_发明申请_US20050088610A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B+++.docx
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2006-02-15_CN1733415A_发明公开_CN1733415A 激光加工方法_+++A_B_I_J_L_d+++.docx
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2006-02-16_US2006035411A_发明申请_US20060035411A1 Laser processing method_+++A_B_D_I_J_L+++.docx
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2006-02-23_JP2006051517A_发明专利_JP2006051517A Laser beam machining method_+++A_B_C_D_I_J_L+++.docx
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2006-05-11_US2006098155A_发明申请_US20060098155A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B_I_K_l+++.docx
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2006-10-04_KR100576084B_发明授权_KR100576084B1 액정표시기 패널 및 이의 제조 방법_+++A_B+++.docx
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2006-10-26_JP2006289388A_发明专利_JP2006289388A Apparatus for laser beam machining_+++A_B_I_J+++.docx
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2007-05-23_CN1966198A_发明公开_CN1966198A 激光加工装置_+++A_B_D_I_J_L+++.docx
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2010-06-16_CN1966198B_发明授权_CN1966198B 激光加工装置_+++A_B_D_I_J_c+++.docx
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2012-01-05_US2012000894A_发明申请_US20120000894A1 PRECISION LASER SCORING_+++A_B_D_I_K_L+++.docx
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2012-04-19_WO2012050045A_发明申请_WO2012050045A1 レーザ切断装置及びレーザ切断方法_+++A_B+++.docx
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2012-05-10_JP2012086230A_发明专利_JP2012086230A Laser cutting device and laser cutting method_+++A_B+++.docx
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2012-09-13_JP2012521339A_发明专利_JP2012521339A Precision laser scoring_+++A_B_D_I_K_L_f+++.docx
2026-07-03 01:17
2012-09-19_CN102686354A_发明公开_CN102686354A 精密激光刻痕_+++A_B_I_K_L+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-06-26_CN103180085A_发明公开_CN103180085A 激光切割装置和激光切割方法_+++A_B_k+++.docx
2026-07-03 01:17
2013-08-21_EP2628564A_发明公开_EP2628564A1 LASER CUTTING DEVICE AND LASER CUTTING METHOD_+++A_B+++.docx
2026-07-03 01:17
2005-04-28_US2005088610A_发明申请_US20050088610A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same_+++A_B+++.docx

**开始回答**

**对比文件名称**:2005-04-28_US2005088610A_发明申请_US20050088610A1 Substrate and a liquid crystal display panel capable of being cut by using a laser and a method for manufacturing the same

**目标专利名称**:1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板 CN106687249B

**模型名称**:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A**:其中激光束的形状为椭圆形状<br>《直接公开》段落[0032]:The laser light focused on the substrate has an ellipse shape, of which an apsis line is parallel to the cutting line and a minor line is normal to the cutting line.<br>(中文翻译:聚焦在基板上的激光具有椭圆形状,该椭圆形状的长轴平行于切割线,短轴垂直于切割线。)对比文件明确描述了聚焦在基板上的激光束的形状为椭圆形状(ellipse shape),该技术特征与目标专利中“激光束的形状为椭圆形状”完全相同。尽管对比文件中椭圆激光用于切割玻璃基板,而目标专利用于切割偏光板,但该形状特征本身相同,本领域技术人员可以直接且毫无疑义地从对比文件中得出该技术方案,故技术特征A被直接公开。
**技术特征B**:所述椭圆形状的长轴与切割方向平行<br>《直接公开》段落[0032]:The laser light focused on the substrate has an ellipse shape, of which an apsis line is parallel to the cutting line and a minor line is normal to the cutting line.<br>(中文翻译:聚焦在基板上的激光具有椭圆形状,该椭圆形状的长轴平行于切割线,短轴垂直于切割线。)对比文件明确记载椭圆形状的长轴(apsis line)与切割线(cutting line)平行,而“切割线”即为切割方向。目标专利中的“切割方向”与对比文件中的“切割线”在激光切割技术中含义一致。因此,该技术特征被对比文件直接公开。
**技术特征C**:其中,所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率<br>《未公开》对比文件全文未记载椭圆形状的长轴与短轴的具体比率范围。对比文件仅提及椭圆形状,但未给出任何长轴与短轴的尺寸或比例数值,更未提及1:0.6至1:0.4的具体范围。本领域技术人员无法从对比文件直接或通过合理推理得出该比率,故该技术特征未公开。
**技术特征D**:其中,所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度<br>《未公开》对比文件全文未记载激光束的切割速度数值。对比文件仅在步骤描述中提及制冷剂喷射间隔(如0.1~0.3秒),但未涉及激光束沿切割方向的移动速度,也未公开100-1000 mm/s的速度范围。因此该技术特征未被直接或隐含公开。
**技术特征E**:其中,所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量<br>《未公开》对比文件段落[0127]提及激光输出为50~250 W,但未记载脉冲能量。对比文件仅给出激光的功率(平均功率)范围,而脉冲能量是脉冲激光的特定参数,目标专利明确要求脉冲能量为5-7 mJ。对比文件未涉及脉冲能量或其数值,本领域技术人员无法从中获得该技术特征。
**技术特征F**:其中,所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜<br>《未公开》对比文件全文未涉及偏光板的层叠结构,更未提及基于环烯烃的薄膜(COP薄膜)。对比文件主要涉及液晶显示面板的基板(玻璃基板)及激光切割方法,仅在工艺中提及切割后附着偏光板,但从未描述偏光板的组成材料。基于环烯烃的薄膜是目标专利特定限定的光学膜,对比文件无任何暗示或公开。
**技术特征G**:所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向<br>《未公开》对比文件全文未涉及偏光板的拉伸方向,也未提及切割方向与拉伸方向的关系。目标专利中偏光板的拉伸方向是定义PVA偏光片取向的关键参数,切割方向与其平行或垂直会影响锥度等指标。对比文件未公开偏光板拉伸方向的概念,更未给出切割方向与其的关系,故该技术特征未公开。
**技术特征H**:在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸<br>《未公开》对比文件全文未记载偏光板切割表面的锥度尺寸。目标专利明确通过激光切割工艺控制锥度在80-120微米。对比文件虽涉及激光切割玻璃基板,但未提及“锥度”概念及具体数值,本领域技术人员无法从中得到该特征。
**技术特征I**:其中,所述激光为CO2激光或UV激光<br>《未公开》段落[0127]:A laser whose wavelength is 10.6 μm with an output of 50~250 w, such as a yag laser, CO2 laser, gallium-arsenide laser and ruby laser can be used for those purposes.<br>(中文翻译:波长10.6μm、输出50~250W的激光,例如YAG激光、CO2激光、砷化镓激光和红宝石激光可用于这些目的。)对比文件虽列举CO2激光作为可用于切割基板的激光类型之一,但该激光在对比文件中是用于切割玻璃基板,而目标专利中的激光是专用于切割偏光板的激光。二者应用对象不同,且对比文件未将CO2激光或UV激光关联至偏光板切割。本领域技术人员不能直接或合理推断出该激光可用于切割偏光板,故技术特征I未被公开。
**技术特征J**:其中,所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长<br>《未公开》对比文件全文未提及UV激光及其波长。对比文件仅提及波长10.6μm的红外激光(CO2激光等),未涉及紫外激光(UV Laser)及其波长范围。因此该技术特征未被公开。
**技术特征K**:其中,所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长<br>《未公开》段落[0127]:A laser whose wavelength is 10.6 μm ... such as ... CO2 laser.<br>(中文翻译:波长10.6μm的激光,例如CO2激光。)对比文件公开了CO2激光的波长为10.6μm,该数值落入9.0-10.9μm范围。但是,该激光在对比文件中是用于切割玻璃基板的,而非用于切割偏光板。目标专利的特征K基于切割偏光板的方法(技术特征I),由于前提条件的激光类型(用于切割偏光板的CO2激光)未被对比文件公开,故特征K整体未公开。即使仅考虑波长,对比文件也未将该波长与偏光板切割结合,作用不同,因此不构成公开。
**技术特征L**:其中,使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行<br>《未公开》对比文件段落[0130]-[0141]描述了使用第一激光发射器和第二激光发射器进行切割,但未明确其为单一切割系统或多重切割系统(如目标专利定义)。目标专利中的单一切割系统指激光束移动一次完成切割,多重切割系统指移动多次。对比文件虽有两个激光器同时或依次工作,但未说明相对运动方式是否为单次或多次,且其切割对象为基板而非偏光板。因此该技术特征未被公开。
**技术特征M**:其中,所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度<br>《未公开》对比文件全文未涉及基于环烯烃的薄膜及其厚度。由于技术特征F未被公开,基于环烯烃的薄膜厚度这一从属特征自然也未被对比文件公开。对比文件中无任何关于此类膜厚度的记载或暗示。
**技术特征N**:其中,所述偏光板具有50微米至250微米的厚度<br>《未公开》对比文件全文未涉及偏光板的厚度。对比文件在步骤中提及附着偏光板,但未给出其厚度范围。目标专利限定的50-250μm特定厚度范围在对比文件中无任何公开,故未公开。

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**结论**:根据以上特征比对,对比文件直接公开了技术特征A和B;其余技术特征C、D、E、F、G、H、I、J、K、L、M、N均未被直接公开或隐含公开。

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