2006-10-26_JP2006289388A_发明专利_JP2006289388A Apparatus for laser beam machining_+++A_B_I_J+++.docx

对比文件名称:2006-10-26_JP2006289388A_发明专利_JP2006289388A Apparatus for laser beam machining

目标专利名称:1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板CN106687249B

本次调用的模型名称:DeepSeek Chat

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:其中激光束的形状为椭圆形状《直接公开》对比文件说明书[2]段记载:“該集光レンズによって集光されるパルスレーザー光線のスポットの形状を楕円形に整形し”(翻译:将利用所述聚光透镜聚光的脉冲激光束的光斑形状整形为椭圆形)对比文件明确公开了激光束的光斑形状为椭圆形。该形状特征与目标专利中激光束形状为椭圆形的技术特征完全相同,因此直接公开。
技术特征B:所述椭圆形状的长轴与切割方向平行《直接公开》同一段记载:“楕円形に整形したスポットの長軸を該加工送り方向に位置付ける”(翻译:将整形为椭圆形的光斑的长轴定位在加工进给方向上)对比文件公开了椭圆光斑的长轴定位在加工进给方向(即切割方向),该方位关系与目标专利中长轴与切割方向平行的技术特征一致,因此直接公开。
技术特征C:其中,所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率《未公开》对比文件记载:“短軸と長軸との長さの比を1:5〜1:20の範囲に設定”(翻译:将短轴与长轴的长度比设定为1:5~1:20的范围)对比文件公开的比率为短轴:长轴=1:5~1:20(即长轴:短轴=5:1~20:1),属于长轴显著长于短轴的细长椭圆;目标专利的比率为长轴:短轴=1:0.6~1:0.4(即长轴:短轴≈1.67:1~2.5:1),属于长轴与短轴相差不大的近圆形椭圆。两者数值范围完全不同且无重叠,对比文件未公开该特定比率,因此未公开。
技术特征D:其中,所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度《未公开》对比文件记载:“加工送り速度:25〜500mm/秒”(翻译:加工进给速度:25~500mm/s);并例示了100mm/s、300mm/s等具体数值。对比文件公开的加工进给速度范围为25~500mm/s,虽然包含100mm/s等落在目标范围内的点,但并未完整公开目标专利的100~1000mm/s整个范围;且目标范围的上限1000mm/s未被对比文件提及或暗示,本领域技术人员不能毫无疑义地推导出该端点值,因此未直接或隐含公开。
技术特征E:其中,所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量《未公开》对比文件记载:“平均出力:1〜5W”、“繰り返し周波数:10〜100kHz”,但未直接给出脉冲能量数值。根据对比文件公开的平均功率(1~5W)和重复频率(10~100kHz),可计算脉冲能量大致在0.01~0.5mJ范围,与目标专利要求的5~7mJ相差甚远。对比文件未教导或暗示该脉冲能量范围,因此未公开。
技术特征F:其中,所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜《未公开》对比文件全文涉及半导体晶圆或光器件晶圆的激光加工,未提及偏光板以及基于环烯烃的薄膜。对比文件的技术领域、加工对象及材料均不同于目标专利,未公开偏光板中使用基于环烯烃的光学膜,因此未公开。
技术特征G:所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向《未公开》对比文件未涉及偏光板的拉伸方向。对比文件加工对象无拉伸方向概念,也未建立切割方向与材料拉伸方向的关系,因此未公开。
技术特征H:在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸《未公开》对比文件未提及切割表面锥度尺寸相关参数。对比文件未公开切割后锥度尺寸的任何信息,因此未公开。
技术特征I:其中,所述激光为CO2激光或UV激光《直接公开》对比文件记载:“光源:YAG、YVO4レーザー 波長:355nm、266nm”。其中355nm波长的激光属于紫外(UV)激光。对比文件明确公开了使用UV激光(波长355nm),符合“UV激光”的选项;由于特征I采用“或”关系,公开其中一个选项即构成公开,因此直接公开。
技术特征J:其中,所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长《直接公开》对比文件记载:“波長:355nm”。355nm明确落入300~400nm范围内,对比文件直接公开了UV激光的具体波长属于该范围,因此直接公开。
技术特征K:其中,所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长《未公开》对比文件未提及CO2激光。对比文件未公开CO2激光及其振荡波长,因此未公开。
技术特征L:其中,使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行《未公开》对比文件描述了激光加工装置及一次扫描加工工艺,但未明确限定切割系统的类型(单次/多次)。对比文件未涉及偏光板切割,也未明确采用单一切割系统或多重切割系统的技术方案,因此未公开。
技术特征M:其中,所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度《未公开》对比文件未涉及基于环烯烃的薄膜厚度。对比文件不涉及该材料及厚度参数,因此未公开。
技术特征N:其中,所述偏光板具有50微米至250微米的厚度《未公开》对比文件未涉及偏光板厚度。对比文件加工对象不涉及偏光板,因此未公开。

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