2009-10-05_KR1020090103991A_发明公开_KR1020090103991A 광학 필름의 절단 방법 및 광학 필름_+++D_F_I_K_L_N+++.docx

对比文件:2009-10-05_KR1020090103991A_发明公开_KR1020090103991A 광학 필름의 절단 방법 및 광학 필름

目标专利:1663用于切割偏光板的方法以及使用该方法切割的偏光板 CN106687249B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(已翻译为中文)公开性论述
**技术特征A:** 其中激光束的形状为椭圆形状 **《未公开》**对比文件未提及激光束形状为椭圆形,仅在第[8][9][10]段中提到激光束是高斯光束(强度呈高斯分布的光束),高斯光束通常为圆形光斑。对比文件未公开椭圆形状的激光束,也未暗示可通过调整光学元件获得椭圆形状。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征B:** 所述椭圆形状的长轴与切割方向平行 **《未公开》**同特征A,对比文件未涉及椭圆形状,也未提及长轴与切割方向的关系。对比文件未公开椭圆形状及其方向性,因此该特征未被直接或隐含公开。
**技术特征C:** 其中,所述椭圆形状具有1:0.6至1:0.4的长轴对短轴的比率 **《未公开》**对比文件未记载椭圆光束的轴比。对比文件未公开任何椭圆形状参数,该特征未被公开。
**技术特征D:** 其中,所述激光束具有100毫米/秒至1,000毫米/秒的切割速度 **《直接公开》**[64] “레이저빔의 스캔 속도는 60 m/분으로 설정하였다” → “激光束的扫描速度设置为60米/分”。60米/分 = 1000毫米/秒。对比文件在实施例1中公开了扫描速度为60米/分(1000毫米/秒),该数值落入技术特征D限定的100‑1000毫米/秒范围内,因此本领域技术人员能直接得到该技术特征。
**技术特征E:** 其中,所述激光束具有在5mJ至7mJ的范围内的脉冲能量 **《未公开》**对比文件未提及脉冲能量,仅在第[46][64]等段中提及激光功率(W)和单位长度能量(J/mm),未涉及脉冲能量参数。对比文件未公开脉冲能量,也未暗示脉冲激光的参数,本领域技术人员无法从对比文件得出5‑7mJ的脉冲能量范围。
**技术特征F:** 其中,所述偏光板包括基于环烯烃的薄膜作为光学膜 **《直接公开》**[33] “시클로계 또는 노르보르넨 구조를 갖는 폴리올레핀” → “具有环状或降冰片烯结构的聚烯烃”。该材料作为透明保护层(光学膜)的选项。对比文件明确列出环烯烃类聚合物可用于光学膜(透明保护层),公开了偏光板可包含基于环烯烃的薄膜作为光学膜。
**技术特征G:** 所述切割方向是与偏光板的拉伸方向相同的方向或是与偏光板的拉伸方向垂直的方向 **《未公开》**对比文件未涉及偏光板的拉伸方向,也未提及切割方向与拉伸方向的关系。对比文件未公开任何关于拉伸方向或切割方向特征的内容,该特征未被公开。
**技术特征H:** 在所述偏光板的切割表面上形成的锥度具有80微米至120微米的尺寸 **《未公开》**对比文件第[79]段公开“팽창부의 크기를 30 ㎛ 이하” → “膨胀部的尺寸在30μm以下”,远小于80‑120μm。对比文件公开的膨胀部尺寸与目标锥度尺寸完全不同,未公开80‑120μm范围。
**技术特征I:** 其中,所述激光为CO2激光或UV激光 **《直接公开》**[46] “CO2 레이저, YAG 레이저, UV 레이저 등을 들 수 있으며” → “可列举CO2激光、YAG激光、UV激光等”。[17]也提及CO2激光。对比文件直接披露了可使用CO2激光或UV激光,因此该技术特征被直接公开。
**技术特征J:** 其中,所述UV激光具有300纳米至400纳米的波长 **《未公开》**对比文件仅在[46]中提及UV激光,但未给出具体波长范围。对比文件未公开UV激光的波长参数,本领域技术人员不能从对比文件得出300‑400nm的范围。
**技术特征K:** 其中,所述CO2激光具有9.0微米至10.9微米的振荡波长 **《直接公开》**[64] “정밀 가공 CO2 레이저(…, 파장 10.6 ㎛)” → “精密加工CO2激光(…, 波长10.6μm)”。对比文件公开了CO2激光的具体波长10.6μm,该数值落入技术特征K限定的9.0‑10.9μm范围内,因此直接公开。
**技术特征L:** 其中,使用激光切割偏光板通过单一切割系统或多重切割系统执行 **《直接公开》**[46] “1회의 조사로 절단할 수도 있고, 복수의 조사로 절단할 수도 있다.” → “可以一次照射切割,也可以多次照射切割。”对比文件明确记载了单次照射(单一切割)和多次照射(多重切割)的实施方式,直接公开了该技术特征。
**技术特征M:** 其中,所述基于环烯烃的薄膜具有10微米至80微米的厚度 **《未公开》**对比文件在[33]中说明透明保护层厚度无特别限定,但未给出基于环烯烃薄膜的具体厚度范围,实施例中亦未涉及。对比文件未公开环烯烃薄膜的厚度数值或优选范围,因此未公开10‑80μm。
**技术特征N:** 其中,所述偏光板具有50微米至250微米的厚度 **《直接公开》**[54] “편광판을 제조하였다(두께 200 ㎛)” → “制造了偏光板(厚度200μm)”。对比文件公开了偏光板厚度为200μm,落在技术特征N限定的50‑250μm范围内,因此直接公开。

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