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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
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WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx

对比文件名称:2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备

目标专利名称:包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

本次调用的模型名称:DeepSeek

特征比对表格:

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:《直接公开》所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中[0060]“在预混合器(7)中,使由液体计量泵(4b)供给的硫酸和由粉末计量泵(3b)供给的石墨片混合,以制得石墨硫酸浆,然后使其强制进入微通道(20)的开端部。”<br>[0045]“通过与所述微通道的开端部直接连接的计量泵以预定的精确量提供石墨硫酸浆。”对比文件明确记载了“开端部”,该开端部即等同于入口功能,石墨片(片材)以石墨硫酸浆形式供应至该开端部。本领域技术人员毫无疑义地可确定对比文件公开了入口及片材供应至入口中的技术方案,且作用均为将材料导入装置,因此直接公开。
技术特征B:《隐含公开》高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力[0045]“通过与所述微通道的开端部直接连接的计量泵以预定的精确量提供石墨硫酸浆。”<br>[0050]“以足够的压力和足够的速度提供给微通道以在通道内引发湍流。”对比文件虽未明确使用“高压泵”一词,但公开了“计量泵”位于开端部(入口)前端,并且通过该泵对浆料施加“足够的压力”以强制其进入微通道。本领域技术人员可合理推断该泵能够产生用于加压片材的压力,功能与目标专利的高压泵实质相同,因此隐含公开。
技术特征C:《未公开》微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化[0060]“使其强制进入微通道(20)的开端部。”<br>[0062]“反应混合物在通道中流动约20分钟。”<br>但对比文件全文未记载微通道用于使片材(石墨)被均质化(剥离)。对比文件公开了微通道位于开端部后端,片材(石墨)在压力下穿过微通道,但微通道在对比文件中的作用是进行氧化反应(制造石墨氧化物),而非通过剪切力实现片材的均质化剥离。目标专利中“均质化”特指将石墨剥离为石墨烯片。对比文件未公开该功能,且从对比文件内容无法合理推断微通道可用于均质化剥离,因此未公开。
技术特征D:《直接公开》出口,位于所述微通道的后端[0033]“超长的微通道具有与所述石墨硫酸浆供给单元连接并且与所述KMnO4硫酸溶液供给单元连接的开端部以及反应部和出口。”<br>[0062]“由微反应器的出口排出反应混合物。”对比文件明确记载微通道具有出口,且出口位于微通道的后端(反应部之后),用于排出材料。此特征与目标专利相同,因此直接公开。
技术特征E:《未公开》其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10-5)x-(4.2×10-5)对比文件全文未记载任何关于微通道后端与出口壁面最小距离、排出速度及二者之间的数学关系。对比文件无相关技术内容,本领域技术人员无法从对比文件得出该特征,因此未公开。
技术特征F:《直接公开》所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口[0016]步骤4)“强制所述石墨硫酸浆进入具有开端部、反应部和出口的超长的微通道中的步骤。”<br>[0045]“石墨硫酸浆…通过与微通道的开端部直接连接的计量泵…提供。”对比文件明确记载将包含石墨的石墨硫酸浆强制进入微通道的开端部(入口),该步骤等同于目标专利的步骤1)。因此直接公开。
技术特征G:《隐含公开》2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道[0016]步骤4)通过“强制”进入,即利用泵施加压力。<br>[0050]“以足够的压力和足够的速度提供给微通道以在通道内引发湍流。”<br>另参见技术特征B的引用。对比文件虽然未明确使用“高压泵”一词,但公开了通过计量泵施加足够压力使石墨硫酸浆通过微通道的操作。本领域技术人员可合理推断该步骤采用了泵加压以使溶液通过微通道,与目标专利的技术思路一致,因此隐含公开。
技术特征H:《未公开》3)从所述出口回收石墨烯分散体[0062]“由微反应器的出口排出反应混合物。”<br>该反应混合物为石墨氧化物(经洗涤干燥后),后续还需通过立式流床式炉热膨胀才能得到石墨烯类材料。对比文件从出口回收的是反应混合物(石墨氧化物),并非石墨烯分散体。目标专利明确要求从出口回收石墨烯分散体(剥离后的产物)。对比文件无直接或隐含公开,因此未公开。
技术特征I:《未公开》其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m对比文件全文未记载任何关于最小距离y的范围。对比文件无相关技术内容,因此未公开。
技术特征J:《未公开》其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s对比文件全文未记载排出速度的具体数值范围,仅提到“每秒钟数厘米至数米”([0049]),远低于10-600m/s。对比文件所述速度范围与目标专利不同,且未公开具体速度上限,因此未公开。
技术特征K:《未公开》其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面对比文件全文未描述出口的具体形状及微通道后端与出口的连接位置。对比文件无相关形状或位置关系的记载,因此未公开。
技术特征L:《直接公开》其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线[0030]“石墨硫酸浆的供给单元”;[0038]“所述石墨硫酸浆供给单元和所述KMnO4硫酸溶液供给单元一起连接于微通道的开端部。”<br>供给单元通过管道(供应线)连接至开端部。对比文件公开了将片材(石墨硫酸浆)供应至开端部(入口)的供给单元及连接管道,即相当于目标专利的供应线。因此直接公开。
技术特征M:《未公开》其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴对比文件全文未记载步骤2)中泵提供的具体压力数值。虽提到“足够的压力”,但无数值限定。对比文件未公开100-3000巴的压力范围,因此未公开。

根据以上分析,对比文件直接公开了技术特征A、D、F、L,隐含公开了技术特征B、G。技术特征C、E、H、I、J、K、M未被公开。

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