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对比文件列表
2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-01-07_JP5649979B_发明专利_JP5649979B2 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物_+++A_F_H_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx

对比文件名称:KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물

目标专利名称:CN107921440B 包括优化出口的片材剥离装置

本次调用的模型为:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(翻译)公开性论述
技术特征A:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中 《直接公开》[0065]段:“고압 균질기는 원료의 유입부와, 그래핀 플레이크 등 박리 결과물의 유출부와, 상기 유입부와 유출부 사이를 연결하며 마이크로미터 스케일의 직경을 갖는 미세 유로를 포함하는 구조를 가질 수 있다.”(高压均质机可以具有包括原料的进口部、石墨烯片等剥离产物的出口部、以及连接进口部和出口部的具有微米级直径的微通道的结构。)以及后续“이러한 고압 균질기의 유입부를 통해, 예를 들어, 약 100 내지 3000 bar의 고압을 인가하면서 흑연 또는 이의 유도체를 포함하는 분산액 상태의 원료를 유입시키면...”(通过这种高压均质机的进口部,例如在施加约100至3000 bar的高压的同时,导入包含石墨或其衍生物的分散液状态的原料...)对比文件明确公开了高压均质机具有入口(进口部),并且在石墨烯制备方法中将包含石墨的分散液供应至该入口,因此直接公开了入口及片材供应。
技术特征B:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力 《隐含公开》[0065]段:“...예를 들어, 약 100 내지 3000 bar의 고압을 인가하면서...” (...例如在施加约100至3000 bar的高压的同时...)对比文件虽未明确写出“高压泵”这一术语,但公开了在入口处施加100–3000 bar高压以对原料加压。本领域技术人员知晓高压均质机中必需有高压泵才能产生该压力,因此可以合理推断出高压泵的存在,故隐含公开。
技术特征C:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化 《直接公开》[0065]段:“...상기 유입부와 유출부 사이를 연결하며 마이크로미터 스케일의 직경을 갖는 미세 유로를 포함하는 구조...이러한 원료가 미크론(㎛) 스케일, 예를 들어, 약 10 내지 800 μm 직경을 갖는 미세 유로를 통과하면서, 이러한 원료에 높은 전단력(shear force)이 인가될 수 있다.” (...连接进口部和出口部的具有微米级直径的微通道的结构...该原料通过微米级、例如约10至800 μm直径的微通道,从而对该原料施加高剪切力。)对比文件直接公开了位于入口后端的微通道(미세 유로),原料在高压下通过微通道并受到高剪切力,实现剥离(等同于均质化),故直接公开。
技术特征D:出口,位于所述微通道的后端 《直接公开》[0065]段:“...그래핀 플레이크 등 박리 결과물의 유출부...” (...石墨烯片等剥离产物的出口部...)且微通道连接进口部和出口部。对比文件明确公开了出口部(유출부),其位于微通道的后端,因为微通道直接连接入口和出口,故直接公开。
技术特征E:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10-5)x-(4.2×10-5) 《未公开》对比文件全文未出现关于微通道后端与出口壁面距离、片材速度或二者关系方程式的任何描述。对比文件专注于分散剂的组成和高压均质机的通用结构,完全没有涉及出口壁面距离、速度及其满足的方程式。本领域技术人员无法从对比文件中获得该方程式的任何教导或暗示,故未公开。
技术特征F:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口 《直接公开》[0111]段:“이러한 분산액을 약 1600 bar의 고압으로 고압 균질기의 유입부에 유입시켜 미세 유로를 통과시켰으며...” (将该分散液以约1600 bar的高压导入高压均质机的进口部,使其通过微通道...)该分散液包含石墨(pristine graphite)和分散剂。另外[0062]段提及使用高压均质机剥离石墨。对比文件实施例4直接记载了将包含石墨的分散液供应到高压均质机的入口(进口部),故直接公开。
技术特征G:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道 《隐含公开》[0065]段:“...약 100 내지 3000 bar의 고압을 인가하면서...유입시키면...미세 유로를 통과하면서...” (...在施加约100至3000 bar的高压的同时...导入...通过微通道...)[0111]段:“...약 1600 bar의 고압으로 고압 균질기의 유입부에 유입시켜 미세 유로를 통과시켰으며...” (...以约1600 bar的高压导入高压均质机的进口部,使其通过微通道...)对比文件公开了施加高压使溶液通过微通道,本领域技术人员可以合理推断该压力由高压泵产生,因此“用高压泵对入口施加压力”这一步骤被隐含公开。
技术特征H:3)从所述出口回收石墨烯分散体 《直接公开》[0111]段:“...이러한 과정을 10회 반복하였다. 이를 통해, 상기 그라파이트를 박리하고 실시예 4의 그래핀 플레이크를 제조하였다.” (...将该过程重复10次。由此,剥离石墨,制备了实施例4的石墨烯片。)该石墨烯片存在于分散液中,必然从出口部排出。对比文件公开高压均质机具有出口部,产物石墨烯分散体从该出口排出并回收,故直接公开。
技术特征I:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m 《未公开》对比文件全文未涉及任何关于微通道后端与出口壁面距离的数值范围。对比文件完全未提及出口壁面距离的具体数值或范围,故未公开。
技术特征J:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s 《未公开》对比文件全文未涉及任何关于微通道后端片材速度的数值范围。对比文件完全没有公开或暗示片材通过微通道的速度数值,故未公开。
技术特征K:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面 《未公开》对比文件全文未描述出口的形状及微通道后端与出口的连接位置。对比文件未提及出口的圆柱形形状,也未提及微通道后端位于出口侧面,故未公开。
技术特征L:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线 《隐含公开》[0065]段及[0111]段记载了通过入口导入分散液的操作,但未明确描述供应线。对比文件虽然未明确画出或写出“供应线”,但本领域技术人员由对比文件公开的进料操作可以合理推断入口之前必然配备有供应管线(如进料容器、管道等)以实现物料的供应,因此隐含公开。
技术特征M:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴 《直接公开》[0065]段:“...약 100 내지 3000 bar의 고압을 인가하면서...” (...在施加约100至3000 bar的高压的同时...)对比文件直接公开了步骤2)中的压力范围就是100至3000 bar,完全对应,故直接公开。

根据上述比对结果,代码输出如下:

<<<A>>><<<C>>><<<D>>><<<F>>><<<H>>><<<M>>>

<<<b>>><<<g>>><<<l>>>

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