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对比文件列表
2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-10-25_US2012270108A_发明申请_US20120270108A1 ANODE ACTIVE MATERIAL, ANODE AND LITHIUM BATTERY INCLUDING THE MATERIAL, AND METHOD OF PREPARING THE MATERIAL_+++a_b_c_d_f_g_h+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
2026-07-03 01:19
2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx

对比文件名称:2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액

目标专利名称:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

本次调用的模型名称:GPT-4

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中。《隐含公开》对比文件[0027]:“作为物理剪切应力施加方法,使用主要施加剪切应力的均质机或高压均质机。”[0016]:“第三阶段的物理剪切应力施加优选使用均质机或高压均质机剥离氧化石墨。”对比文件明确使用高压均质机或均质机进行剪切处理。本领域技术人员熟知,此类设备必然具有供料入口,用于将片材(如氧化石墨分散液)送入设备内部处理。因此,该技术特征被隐含公开。
技术特征B:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力。《隐含公开》对比文件[0027]:同上,提及高压均质机。[0016]亦提及高压均质机。高压均质机的核心部件是高压泵,其位于入口前端,用于产生高压以推动流体通过狭窄通道。对比文件使用高压均质机,本领域技术人员可以合理推断其包含高压泵并实现加压功能。因此隐含公开。
技术特征C:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化。《隐含公开》对比文件[0027]:提及均质机或高压均质机,其主要施加剪切应力。高压均质机通过微米级窄缝(微通道)产生高剪切力实现均质化。均质机/高压均质机内部均具有微通道(如均质阀间隙),片材在高压下穿过该通道受到剪切力而被均质化。对比文件使用该设备进行剥离,必然包括微通道及均质化作用。隐含公开。
技术特征D:出口,位于所述微通道的后端。《隐含公开》对比文件[0027]:使用均质机或高压均质机,处理后的流体从出口排出。均质机在微通道后端设有出口,供处理后的物料流出。对比文件采用该装置,隐含公开出口位于微通道后端。
技术特征E:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:y≥(2.7×10<sup>-5</sup>)x-(4.2×10<sup>-5</sup>)。《未公开》对比文件未公开任何关于微通道后端与出口壁面距离、片材速度或二者关系的技术内容,也未提及碰撞压力控制。目标专利为解决石墨烯研磨问题,专门限定出口距离与速度的线性方程。对比文件仅关注通过剪切应力剥离氧化石墨,未涉及任何出口几何优化或速度‑距离关系,本领域技术人员无法从中得出该方程式。因此未公开。
技术特征F:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口。《隐含公开》对比文件[0025]‑[0027]:描述制备氧化石墨分散溶液,然后使用均质机或高压均质机施加物理剪切应力。[0036]:具体使用均质机对氧化石墨分散溶液进行剥离。进行均质处理前,必须将包含石墨(氧化石墨)的溶液送入均质机入口,这是设备操作的必要步骤。对比文件虽未明确写出,但隐含公开该步骤。
技术特征G:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道。《隐含公开》对比文件[0027]:使用高压均质机,其通过高压泵产生高压使溶液通过微通道。高压均质机必然利用高压泵产生压力,迫使溶液通过微通道。对比文件采用高压均质机,故隐含公开该步骤。
技术特征H:3)从所述出口回收石墨烯分散体。《隐含公开》对比文件[0036]:使用均质机剥离后得到单层氧化石墨烯分散液。[0037]:对该分散液进行后续还原处理。剥离所得分散液必然从均质机出口收集。经过均质机处理后的分散液需从出口回收以进行后续操作。对比文件虽然未明述“回收”,但由技术流程可合理推断该步骤。隐含公开。
技术特征I:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m。《未公开》对比文件未公开任何最小距离的具体数值或范围。目标专利限定出口壁面最小距离的确切范围,对比文件对此无任何记载或暗示。本领域技术人员无法从对比文件直接或间接获得该数值范围。未公开。
技术特征J:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s。《未公开》对比文件未公开任何片材速度的具体数值或范围。目标专利限定了微通道后端片材速度的明确区间,对比文件无任何相关描述。无法从对比文件推断该速度范围。未公开。
技术特征K:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面。《未公开》对比文件未描述出口的形状或微通道与出口的相对位置。目标专利对出口形状及微通道位置有具体限定,对比文件未涉及相关内容。本领域技术人员无法从对比文件得出出口为圆柱形且微通道后端位于侧面的构造。未公开。
技术特征L:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线。《隐含公开》对比文件[0027]等使用均质机或高压均质机,此类设备通常配备进料管线以供应料液。均质机装置的标准配置包括供应线(进料管),以实现连续或批次供料。对比文件使用均质机,隐含公开其装备有供应线。
技术特征M:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴。《未公开》对比文件未公开高压泵施加压力的具体数值范围。目标专利限定了施加压力为100‑3000巴,对比文件虽使用高压均质机但未提供压力范围,仅笼统提及“高压”,无法具体确定该数值区间。未公开。

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