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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-01-07_JP5649979B_发明专利_JP5649979B2 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物_+++A_F_H_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx

对比文件名称:2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법

目标专利名称:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A**:片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中。《直接公开》[0001]:“시료 주입구”(试样注入口);[0013]:“시료 주입구”作为部件之一。对比文件公开了入口(试样注入口),用于供应天然聚合物溶液。该入口的结构和功能与目标专利中用于供应片材的入口实质相同,均为物料进入装置的通道,本领域技术人员可直接得到该特征。
**技术特征B**:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力。《未公开》[0013]:“압력펌프”(压力泵);[0026]:“将试样投入注入口就会自动流入压力泵”。对比文件虽有压力泵,但根据描述,压力泵位于入口之后(试样先进入注入口再流入压力泵),而目标专利明确高压泵位于入口的前端(上游)。对比文件未公开该特定位置关系,且无任何教导或暗示可使本领域技术人员合理推断出泵在入口前端,故未公开。
**技术特征C**:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化。《直接公开》[0013]:“직각으로 꺾인 구조의 단일 오리피스를 갖는 노즐을 포함하는 저분자화 챔버”(包括具有直角弯曲结构的单孔喷嘴的低分子化腔室);[0029]:“通过腔室内单孔喷嘴产生剪切、空化和碰撞”。对比文件公开了低分子化腔室中的单孔喷嘴,该喷嘴孔径微小(60~250μm,见[0027]),相当于微通道,位于入口后端。物料(天然聚合物溶液)在高压泵推动下穿过喷嘴,受到强剪切力而被均质化(低分子化),与目标专利中微通道的作用完全一致,因此直接公开。
**技术特征D**:出口,位于所述微通道的后端。《直接公开》[0013]:“배출구”(排出口)。对比文件公开了排出口,位于低分子化腔室(即微通道)的后端,用于排出处理后的物料,与目标专利的出口位置功能相同,直接公开。
**技术特征E**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)。《未公开》对比文件未记载相关内容。对比文件完全没有提及微通道后端与出口壁面之间的最小距离、片材速度以及二者满足的特定方程,不存在任何直接或隐含的公开。
**技术特征F**:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口。《未公开》[0019]:“制备天然聚合物溶解的试样”;[0020]:“将试样投入注入口”。对比文件的方法步骤中供应的物料是天然聚合物溶液(如壳聚糖、β-葡聚糖等),绝不是包含石墨的溶液。对比文件未涉及石墨或石墨烯制备,因此未公开该特征。
**技术特征G**:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道。《未公开》[0020]:“将试样投入注入口并通过压力泵施加超高压”;[0027]:“压力为100~2000 bar”。对比文件虽然有用高压泵施加压力使溶液通过腔室的步骤,但其溶液为天然聚合物溶液,并非包含石墨的溶液。该方法的目的在于低分子化而非剥离石墨,故未公开。
**技术特征H**:3)从所述出口回收石墨烯分散体。《未公开》[0022]:“低分子化后的试样冷却后从排出口排出”;回收物为低分子化聚合物。对比文件从排出口回收的是低分子化天然聚合物,不是石墨烯分散体,且未提及石墨烯,因此未公开。
**技术特征I**:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m。《未公开》对比文件未披露出口与微通道后端距离的任何数值。对比文件没有任何关于微通道后端与出口壁面之间距离的记载,本领域技术人员无法从中得到0.001~0.050m的取值范围。
**技术特征J**:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s。《未公开》对比文件未披露片材速度参数。对比文件没有公开微通道后端处流体速度的数值或相关计算,本领域技术人员无法得出10~600m/s的范围。
**技术特征K**:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面。《未公开》对比文件未描述出口形状及微通道后端的位置关系。对比文件仅提及排出口,但未说明其形状为圆柱形,也未说明微通道后端位于出口的侧面,因此未公开。
**技术特征L**:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线。《隐含公开》[0013]:“시료 주입구”(试样注入口);结合高压均质机常规构造。虽然对比文件未明确使用“供应线”一词,但本领域技术人员可以合理推断,为了将试样(片材)连续或批量供应至注入口,必然需要配备相应的供应管线。该隐含内容可从对比文件装置的基本组成及操作方式中推理得出,因此隐含公开。
**技术特征M**:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴。《未公开》[0027]:“초고압은 100 ~ 2,000 bar의 압력”(超高压为100~2000 bar的压力)。对比文件公开的压力范围为100~2000 bar,而目标专利要求100~3000 bar,对比文件未公开2000~3000 bar部分,且未暗示可达到3000 bar。因此该特征的整体范围未被对比文件直接公开,也无法从对比文件合理推断出2000 bar以上的压力,故未公开。

根据上述比对,对比文件直接公开技术特征A、C、D,隐含公开技术特征L,其余特征(B、E、F、G、H、I、J、K、M)未被公开。

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