对比文件名称：2009-02-12_US2009041971A_发明申请_US20090041971A1 POLARIZER FILMS AND METHODS OF MAKING THE SAME
目标专利名称：1754偏振光分离元件CN104105987B
本次调用模型名称：通用模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板《直接公开》 | [0044] “linear polarizer film 100 includes a grating layer 110 and a substrate 140.” （线性偏振片薄膜100包括光栅层110和基板140） | 对比文件明确公开了偏振片包括基板，基板用于支撑光栅层，与目标专利中基板的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：凹凸结构《直接公开》 | [0044] “Grating layer includes elongated portions 111 that extend along the y-direction ... portions 111 are arranged to form a grating having a period Λ.” （光栅层包括沿y方向延伸的细长部分111，部分111排列形成具有周期Λ的光栅） | 对比文件公开的光栅层即为凹凸结构，具有凸出部（脊）和凹入部（间隙），与目标专利的凹凸结构实质相同，直接公开。 |
| 技术特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部《直接公开》 | [0063] “portions 111 are formed from materials that have relatively low transmissivity at λ1.” 以及[0064]列出TiO₂, W, Si等吸收材料。（部分111由在λ1处具有相对低透射率的材料形成） | 对比文件公开了凸出部由吸收UV光的材料形成，与目标专利的凸出部包含吸光材料相同，直接公开。 |
| 技术特征D：包含介电材料的凹入部《直接公开》 | [0077] “polarizer film 200 includes a material that fills gaps 112 in layer 110... portions are formed from SiO₂ (e.g., quartz).” 以及[0077]提到gaps可以是空气。（偏振片薄膜200包括填充间隙112的材料，部分由SiO₂形成） | 对比文件公开了凹入部可以填充介电材料如SiO₂或空气，与目标专利的凹入部包含介电材料相同，直接公开。 |
| 技术特征E：吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10《直接公开》 | [0005] “the first material has a refractive index of 1.8 or more ... and λ is 300 nm or less.” （第一材料具有1.8或更高的折射率，λ为300nm或更小） | 对比文件要求吸光材料在λ≤300nm时折射率≥1.8，该范围完全落入1至10内，因此直接公开。 |
| 技术特征F：消光系数为0.5至10《直接公开》 | [0005] “an extinction coefficient of 1.8 or more” （消光系数1.8或更高） | 对比文件要求消光系数≥1.8，落入0.5至10内，直接公开。 |
| 技术特征G：凹凸结构形成于基板上《直接公开》 | [0044] 光栅层110形成于基板140上。 | 对比文件公开了光栅层（凹凸结构）直接形成在基板上，直接公开。 |
| 技术特征H：公式1中a为0.74至10《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式1，也未公开a的范围或任何相关计算，本领域技术人员无法直接或隐含得出此特征。 |
| 技术特征I：b为0.5至10《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式1及b的范围，未公开。 |
| 技术特征J：公式2中c为1.3至10《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式2及c的范围，未公开。 |
| 技术特征K：d为0.013至0.1《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式2及d的范围，未公开。 |
| 技术特征L：[公式1] (a+bi)²＝n₁²×(1-W/P)+n₂²×W/P《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式1本身，未公开。 |
| 技术特征M：[公式2] (c+di)²＝n₁²×n₂²/((1-W/P)×n₂²+W×n₁²/P)《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式2本身，未公开。 |
| 技术特征N：i为虚数《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开任何公式，因此未公开i为虚数的定义。 |
| 技术特征O：n1表示介电材料相对于波长为300nm的光的折射率《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式，也未将介电材料折射率与符号n1关联，未公开。 |
| 技术特征P：n2表示凸出部相对于波长为300nm的光的折射率《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式，也未将凸出部折射率与符号n2关联，未公开。 |
| 技术特征Q：W表示凸出部的宽度《直接公开》 | [0007] “The spaced apart portions can have a width of about 100 nm or less” （间隔部分可以具有约100nm或更小的宽度） | 对比文件明确公开了凸出部的宽度，虽然未用符号W，但公开了宽度概念，直接公开。 |
| 技术特征R：P表示凸出部的间距《直接公开》 | [0008] “The grating can have a period of about 200 nm or less” （光栅可以具有约200nm或更小的周期） | 对比文件公开了光栅周期（间距），直接公开。 |
| 技术特征S：介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3《隐含公开》 | [0078] “portions are formed from SiO₂ (e.g., quartz)” 以及[0077] gaps可以是空气。（部分由SiO₂形成，间隙可为空气） | 对比文件公开了介电材料具体种类（SiO₂、空气），本领域技术人员可以合理推断其在250-350nm的折射率在1至3内（SiO₂约1.5，空气约1），因此隐含公开。 |
| 技术特征T：凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10《隐含公开》 | [0005] “refractive index of 1.8 or more” at λ≤300nm（在300nm以下折射率1.8或更高） | 对比文件公开了凸出部材料在300nm以下折射率≥1.8，本领域技术人员可以合理推断在250-350nm范围内折射率仍在1至10内，隐含公开。 |
| 技术特征U：凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10《隐含公开》 | [0005] “extinction coefficient of 1.8 or more” at λ≤300nm（在300nm以下消光系数1.8或更高） | 对比文件公开了在300nm以下消光系数≥1.8，本领域技术人员可合理推断在紫外区（250-350nm）消光系数在0.5至10内，隐含公开。 |
| 技术特征V：吸光材料为选自列表中的至少一种《直接公开》 | [0064]和[0066]列出TiO₂, W, Si, InP, GaAs, Cr, Ni, Mo, GaP等。（部分由TiO₂、W、Si、InP、GaAs、Cr、Ni、Mo、GaP等形成） | 对比文件公开了多种列表中的材料（如硅、氧化钛、钨、砷化镓、磷化铟、铬、钼、镍、磷化镓等），满足“至少一种”，直接公开。 |
| 技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式3，也未公开D的范围，未公开。 |
| 技术特征X：[公式3] D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)《未公开》 | 无公开内容 | 对比文件未公开公式3，未公开。 |
| 技术特征Y：Tc表示在垂直于凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光的透射率《隐含公开》 | [0045] “transmits a relatively large amount of the component of incident light plane-polarized in the x-direction (referred to as “pass” state polarization) compared to the amount of the component plane-polarized in the y-direction (referred to as “block” state polarization).” （透射较大比例的x方向偏振光（通过态），较小比例的y方向偏振光（阻挡态）） | 对比文件定义了通过态（x方向）和阻挡态（y方向），结合图1B凸出部沿y方向，本领域技术人员可对应Tc为垂直于凸出部的偏振透射率，且波长可涉及UV，隐含公开。 |
| 技术特征Z：Tp表示在平行于凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光的透射率《隐含公开》 | 同上 | 对比文件定义了阻挡态，可对应Tp为平行于凸出部的偏振透射率，隐含公开。 |
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