对比文件名称：2009-02-26_US2009053655A_发明申请_US20090053655A1 Methods for forming patterned structures
目标专利名称：1754偏振光分离元件CN104105987B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板《直接公开》 | 【0037】“Multilayer article 10 includes a substrate layer 12…substrate layer 12 can be formed from a glass, such as BK7…or quartz/fused silica.”（多层制品10包括基板层12……基板层12可以由玻璃例如BK7……或石英/熔融二氧化硅形成。） | 对比文件明确公开了基板层12，其作用为支撑结构，与目标专利中基板的作用相同。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：凹凸结构《直接公开》 | 【0035】“methods can be used to form periodic structures (e.g., gratings) having periods of about 100 nm or less.”（该方法可用于形成具有约100nm或更小周期的周期性结构（例如光栅）。）以及图3-7所示的脊/沟槽交替结构。 | 对比文件公开了通过光刻、蚀刻等工艺形成的周期性光栅结构，其具有凸出的脊和凹入的沟槽，等同于目标专利的凹凸结构。该结构用于光学器件，与目标专利作用相同。直接公开。 |
| 技术特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部《未公开》 | 【0039】“As an example, Al can be used to form grating layer 14 where the article is a polarizer for the visible or UV portions of the spectrum.”（作为例子，当制品是用于可见光或紫外光谱部分的偏振器时，铝可用于形成光栅层14。） | 对比文件公开了用铝形成光栅凸出部，但铝在300nm波长的折射率为0.28、消光系数为3.64，不符合目标专利定义的吸光材料（折射率1-10、消光系数0.5-10）。对比文件未教导或暗示使用具有上述光学参数的吸光材料，也未给出任何光学常数范围，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征D：和包含介电材料的凹入部《直接公开》 | 【0082】“Multilayer article 10 now includes rows formed from the material of grating layer 14, extending along the y-direction, and spaced from one another in the x-direction by an amount Λ/2 to form a periodic structure.”（多层制品10现在包括由光栅层14的材料形成的行，沿y方向延伸，并在x方向上彼此间隔Λ/2，形成周期性结构。）该结构行之间的间隔为空（空气）。 | 对比文件形成的周期性结构中，行之间的凹入部为空气，空气是介电材料（折射率约为1）。目标专利说明书【0015】明确记载介电材料可以是空气。因此，本领域技术人员可直接确定凹入部包含介电材料。直接公开。 |
| 技术特征E：所述吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件全文未涉及任何吸光材料在300nm波长的折射率数值或范围，更未将其与特定材料关联。本领域技术人员无法从对比文件中直接或间接得出该具体数值范围。未公开。 |
| 技术特征F：消光系数为0.5至10《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未提及任何材料的消光系数，更未给出0.5至10的范围。未公开。 |
| 技术特征G：所述凹凸结构形成于所述基板上《直接公开》 | 【0039】“Grating layer 14 is supported by substrate layer 12.”（光栅层14由基板层12支撑。） | 对比文件明确光栅层（凹凸结构）形成在基板层上，直接公开了该特征。 |
| 技术特征H：其中，在以下公式1中，a为0.74至10《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何公式1，也未提及参数a及其数值范围。未公开。 |
| 技术特征I：b为0.5至10《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何公式1，也未提及参数b及其数值范围。未公开。 |
| 技术特征J：在以下公式2中，c为1.3至10《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何公式2，也未提及参数c及其数值范围。未公开。 |
| 技术特征K：d为0.013至0.1《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何公式2，也未提及参数d及其数值范围。未公开。 |
| 技术特征L：[公式1](a+bi)²＝n₁²×(1-W/P)+n₂²×W/P《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何类似公式。未公开。 |
| 技术特征M：[公式2](c+di)²＝n₁²×n₂²/((1-W/P)×n₂²+W×n₁²/P)《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何类似公式。未公开。 |
| 技术特征N：其中，i为虚数《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何公式中的复数表示。未公开。 |
| 技术特征O：n₁表示所述介电材料相对于波长为300nm的光的折射率《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开n₁的定义及其与300nm波长的关联。未公开。 |
| 技术特征P：n₂表示所述凸出部相对于波长为300nm的光的折射率《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开n₂的定义及其与300nm波长的关联。未公开。 |
| 技术特征Q：W表示所述凸出部的宽度《直接公开》 | 【0066】“Exposed regions 22a have a width w in the x-direction”（曝光区域22a在x方向上具有宽度w）；【0077】“rows remaining from conformal coating layer 24 have a thickness d in the x-direction”（来自共形涂层层24的剩余行在x方向上具有厚度d）。 | 对比文件在工艺过程中明确给出了光刻胶曝光区域宽度w以及最终光栅脊的宽度d，这些宽度直接对应于凸出部的宽度。本领域技术人员可直接确定W表示凸出部的宽度。直接公开。 |
| 技术特征R：P表示所述凸出部的间距《直接公开》 | 【0065】“The exposure pattern of photoresist layer 22 forms a periodic structure having a period Λ in the x-direction.”（光刻胶层22的曝光图案形成在x方向上具有周期Λ的周期性结构。） | 对比文件公开了周期性结构的周期Λ，该周期即为相邻凸出部之间的中心到中心距离（间距）。本领域技术人员可直接确定P表示凸出部的间距。直接公开。 |
| 技术特征S：其中，所述介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何介电材料在250-350nm波段的折射率范围。虽然空气折射率约1，但对比文件未限定凹入部必须为介电材料或给出折射率范围。未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何凸出部材料在250-350nm波段的折射率范围。未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何凸出部材料在紫外区的消光系数范围。未公开。 |
| 技术特征V：其中，所述吸光材料为选自硅、氧化钛、氧化锌、氧化锆、钨、氧化钨、砷化镓、锑化镓、砷化铝镓、碲化镉、铬、钼、镍、磷化镓、砷化铟镓、磷化铟、锑化铟、碲化镉锌、氧化锡、氧化铯、钛酸锶、碳化硅、铱、氧化铱或碲化硒锌中的至少一种《隐含公开》 | 【0037】“substrate layer 12 can be formed from a crystalline material…or a crystalline (or semicrystalline) semiconductor (e.g., Si, InP, GaN, or GaAs).”（基板层12可以由结晶材料……或结晶（或半结晶）半导体（例如Si、InP、GaN或GaAs）形成。）【0040】“Examples of oxides include SiO₂, Al₂O₃, Nb₂O₅, TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SnO₂, ZnO, ErO₂, Sc₂O₃, and Ta₂O₅.”（氧化物的例子包括SiO₂、Al₂O₃、Nb₂O₅、TiO₂、ZrO₂、HfO₂、SnO₂、ZnO、ErO₂、Sc₂O₃、Ta₂O₅。） | 对比文件直接提到了目标专利吸光材料列表中的硅、砷化镓、磷化铟、氧化钛、氧化锌、氧化锆等材料。虽然这些材料在对比文件中被用于基板或介电层，但本领域技术人员公知这些材料在紫外区具有吸收特性（如硅、氧化钛等），其折射率和消光系数可能落入目标专利的范围。鉴于对比文件教导了这些材料可用于光学元件，且目标专利的吸光材料就是选自这些常见紫外吸收材料，本领域技术人员有合理理由推断出对比文件隐含公开了这些材料作为吸光材料的可能性。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何偏振度计算或数值范围。未公开。 |
| 技术特征X：[公式3]D＝(Tc-Tp)/(Tc+Tp)《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开任何与Tc、Tp相关的偏振度公式。未公开。 |
| 技术特征Y：其中，Tc表示在垂直于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开Tc的定义或测量。未公开。 |
| 技术特征Z：Tp表示在平行于所述凸出部的方向上偏振的波长为250nm至350nm的光相对于所述偏振光分离元件的透射率《未公开》 | 无相应引用。 | 对比文件未公开Tp的定义或测量。未公开。 |
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