对比文件名称：2003-03-04_JP2003508813A_发明专利_JP2003508813A Improved wire grid polarizing beam splitter
目标专利名称：1754偏振光分离元件CN104105987B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板《直接公开》 | 段落[0025]：“偏光ビームスプリッタ１４は基板４０上に配列されたグリッド３０” | 对比文件明确公开了基板（substrate），作为支撑结构，与目标专利中基板的作用相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：凹凸结构《直接公开》 | 段落[0025]：“グリッド３０，つまり導電要素の平行アレー” | 对比文件公开了导电元件的平行阵列，即凸起的线条和凹下的沟槽构成的凹凸结构，与目标专利的凹凸结构实质相同，直接公开。 |
| 技术特征C：所述凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部《不公开》 | 段落[0026]：“アルミニウム又は銀が好適な材料” | 对比文件凸出部材料为铝或银，属于金属，并非目标专利定义的吸光材料（折射率1-10、消光系数0.5-10且用于紫外区），也未公开“吸光材料”的概念，故不公开。 |
| 技术特征D：包含介电材料的凹入部《直接公开》 | 段落[0025]公开了“導電要素の平行アレー”，阵列间必然存在间隙，形成凹入部，本领域公知该间隙内为空气。 | 对比文件虽未明确说明凹入部材料，但本领域技术人员可直接确定其包含空气，而空气是目标专利明确列举的介电材料之一，因此直接公开。 |
| 技术特征E：吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10《不公开》 | 无 | 对比文件未涉及300nm波长，也未公开折射率范围，故不公开。 |
| 技术特征F：消光系数为0.5至10《不公开》 | 无 | 对比文件未公开消光系数范围，故不公开。 |
| 技术特征G：所述凹凸结构形成于所述基板上《直接公开》 | 段落[0025]：“基板４０上に配列されたグリッド３０” | 直接公开。 |
| 技术特征H：公式1中a为0.74至10《不公开》 | 无 | 对比文件没有公式1及参数a，故不公开。 |
| 技术特征I：b为0.5至10《不公开》 | 无 | 同理，不公开。 |
| 技术特征J：公式2中c为1.3至10《不公开》 | 无 | 不公开。 |
| 技术特征K：d为0.013至0.1《不公开》 | 无 | 不公开。 |
| 技术特征L：公式1表达式《不公开》 | 无 | 不公开。 |
| 技术特征M：公式2表达式《不公开》 | 无 | 不公开。 |
| 技术特征N：i为虚数《不公开》 | 无 | 不公开。 |
| 技术特征O：n1表示介电材料相对于波长为300nm的光的折射率《不公开》 | 无 | 对比文件未定义n1，未给出折射率值，故不公开。 |
| 技术特征P：n2表示凸出部相对于波长为300nm的光的折射率《不公开》 | 无 | 对比文件未定义n2，故不公开。 |
| 技术特征Q：W表示凸出部的宽度《直接公开》 | 段落[0025]：“グリッド素子３０の幅ｗ” | 对比文件直接公开了宽度w，与目标专利的W对应，直接公开。 |
| 技术特征R：P表示凸出部的间距《直接公开》 | 段落[0025]：“周期ｐ” | 对比文件直接公开了周期p，与目标专利的P对应，直接公开。 |
| 技术特征S：介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3《不公开》 | 无 | 对比文件未涉及该波长范围，未公开折射率范围，故不公开。 |
| 技术特征T：凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10《不公开》 | 无 | 对比文件未公开，故不公开。 |
| 技术特征U：凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10《不公开》 | 无 | 对比文件未公开，故不公开。 |
| 技术特征V：吸光材料为选自列表中的至少一种《不公开》 | 段落[0026]：“アルミニウム又は銀” | 对比文件材料为铝或银，不在目标专利的列表中，故不公开。 |
| 技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98《不公开》 | 无 | 对比文件无公式3或偏振度定义，故不公开。 |
| 技术特征X：公式3表达式《不公开》 | 无 | 不公开。 |
| 技术特征Y：Tc定义《不公开》 | 无 | 不公开。 |
| 技术特征Z：Tp定义《不公开》 | 无 | 不公开。 |
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