对比文件名称：1999-08-06_None_发明专利_JPH11211422A Device and method for measuring line width
目标专利名称：1754偏振光分离元件CN104105987B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括基板《直接公开》 | 对比文件[0005]：“パターンＳの基板を構成する媒質の屈折率ｎ3”（中文：“图案S的基板构成的介质的折射率n3”） | 对比文件明确公开了图案S具有基板，该基板用于支撑图案，与目标专利中基板承载凹凸结构的作用相同。本领域技术人员可以直接、毫无疑义地确定该技术特征被公开。 |
| 技术特征B：凹凸结构《直接公开》 | 对比文件[0004]：“ラインアンドスペースパターン”（线条和空间图案）；[0005]详细描述其结构：第一媒质C和第二媒质E交替排列。 | 对比文件公开的线条和空间图案即是由凸出部（第一媒质）和凹入部（第二媒质）构成的凹凸结构，与目标专利的凹凸结构实质相同，故直接公开。 |
| 技术特征C：凹凸结构具有包含吸光材料的凸出部《隐含公开》 | 对比文件[0005]：“第１媒質Ｃと第２媒質Ｅは、例えば第１媒質がレジストであり、第２媒質がレジストに形成された潜像であっても良いし、また、第１媒質が空間、すなわち入射光側の媒質と同じ媒質であり、第２媒質がレジストであっても良い。”（中文：“第一媒质C和第二媒质E，例如第一媒质是光刻胶，第二媒质是光刻胶中形成的潜像，或者第一媒质是空间，即与入射光侧介质相同，第二媒质是光刻胶。”）；[0020]：“金属を含めた各種の薄膜”（中文：“包括金属的各种薄膜”） | 尽管对比文件未明确限定凸出部必须为吸光材料，但本领域技术人员可以合理推断，凸出部可由金属等具有吸光特性的材料构成（金属薄膜在紫外区具有吸收性）。且对比文件提到了金属薄膜，因此凸出部包含吸光材料的可能性被隐含公开。 |
| 技术特征D：凹入部包含介电材料《直接公开》 | 对比文件[0005]：“第１媒質が空間、すなわち入射光側の媒質と同じ媒質であり、第２媒質がレジストであっても良い。”（中文：“第一媒质是空间，即与入射光侧介质相同，第二媒质可以是光刻胶。”） | 对比文件公开了凹入部（第二媒质E）可以是空间（即空气，介电常数约1）或光刻胶（介电材料），因此直接公开了凹入部包含介电材料。 |
| 技术特征E：吸光材料相对于波长为300nm的光的折射率为1至10《未公开》 | 对比文件未提供任何材料在300nm下的折射率数据。 | 对比文件未公开吸光材料折射率的具体数值范围，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征F：消光系数为0.5至10《未公开》 | 对比文件未提及消光系数。 | 对比文件完全没有涉及消光参数，无法公开。 |
| 技术特征G：凹凸结构形成于基板上《直接公开》 | 对比文件图1及[0005]显示图案S形成于基板上。 | 对比文件明确图案S形成在基板上，直接公开此特征。 |
| 技术特征H：公式1中a为0.74至10《未公开》 | 对比文件没有公式1及参数a。 | 对比文件未公开该数值范围。 |
| 技术特征I：b为0.5至10《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征J：公式2中c为1.3至10《未公开》 | 对比文件没有公式2及参数c。 | 未公开。 |
| 技术特征K：d为0.013至0.1《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征L：公式1形式：(a+bi)²＝n₁²×(1‑W/P)+n₂²×W/P《隐含公开》 | 对比文件[0007]‑[0009]公开了等效折射率公式，对于s偏振光：N₀² = (n_c²·c/d + n_e²·e/d)（实数形式）。 | 对比文件公开了无吸收情况下的等效折射率公式，其形式与目标专利公式1相同（将实数折射率替换为复数）。本领域技术人员在考虑材料吸收时，自然会扩展为复数形式，因此隐含公开该公式结构。 |
| 技术特征M：公式2形式：(c+di)²＝n₁²×n₂²/((1‑W/P)×n₂²+W×n₁²/P)《隐含公开》 | 对比文件[0007]‑[0009]公开了对于p偏振光：1/Nₑ² = (c/d)/n_c² + (e/d)/n_e²，即Nₑ² = n_c²n_e²/((1‑f)n_e²+f n_c²)，其中f=e/d。 | 对比文件公开了实数形式的等效折射率公式，与目标专利公式2结构一致。本领域技术人员可合理推断在吸收情况下公式形式不变，故隐含公开。 |
| 技术特征N：i为虚数《隐含公开》 | 对比文件未提虚数，但复数表示是光学常识。 | 本领域技术人员公知在光学中吸收材料的折射率为复数，虚部表示消光系数。虽对比文件未明确，但此属公认常识，故隐含公开。 |
| 技术特征O：n1表示介电材料相对于波长为300nm的光的折射率《未公开》 | 对比文件有n_c和n_e，但未与波长300nm关联。 | 对比文件未指定波长，未公开该特征。 |
| 技术特征P：n2表示凸出部相对于波长为300nm的光的折射率《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：W表示凸出部的宽度《直接公开》 | 对比文件[0005]定义c为第一媒质宽度（即凸出部宽度）。 | 对比文件直接公开了凸出部宽度参数c，与目标专利的W对应。 |
| 技术特征R：P表示凸出部的间距《直接公开》 | 对比文件[0005]定义d为周期（即凸出部间距）。 | 对比文件直接公开了间距d，与目标专利的P对应。 |
| 技术特征S：介电材料相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至3《隐含公开》 | 对比文件[0005]中凹入部可以是空气（折射率≈1）或光刻胶（折射率≈1.5）。 | 尽管对比文件未明确限定波长范围和折射率数值，但本领域技术人员知道空气在紫外区折射率约1，光刻胶约1.5，均在1‑3范围内，因此隐含公开。 |
| 技术特征T：凸出部相对于波长为250nm至350nm的光的折射率为1至10《未公开》 | 对比文件未提供任何凸出部材料在紫外区的折射率数据。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征U：凸出部相对于波长在紫外区的光的消光系数为0.5至10《未公开》 | 对比文件未提及消光系数。 | 未公开。 |
| 技术特征V：吸光材料为具体列表中的至少一种《未公开》 | 对比文件仅提到“金属”，未列出具体材料。 | 未公开。 |
| 技术特征W：由公式3计算的D为0.67至0.98《未公开》 | 对比文件没有公式3及偏振度概念。 | 未公开。 |
| 技术特征X：公式3形式《未公开》 | 无。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：Tc定义《未公开》 | 无。 | 未公开。 |
| 技术特征Z：Tp定义《未公开》 | 无。 | 未公开。 |
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