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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
其包含
B
译正极
C
所述正极包含由下式(1)表示并具有层状结构的第一正极活性材料和由下式(2)表示并具有尖晶石结构的第二正极活性材料作为正极活性材料
D
其中基于所述第一正极活性材料和第二正极活性材料的总重量,所述第一正极活性材料的量为40重量%~100重量%
E
译负极
F
所述负极包含容量为300mAh/g以上的无定形碳
G
其中所述无定形碳为选自如下碳中的一种碳或它们的混合物
H
在1.0g/cc~1.2g/cc的粉末密度下具有15S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率的第一种碳
I
在1.4g/cc~1.6g/cc的粉末密度下具有30S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率的第二种碳
J
隔膜
K
译Lix(NivMnwCoyMz)O2-tAt (1)其中0.8<x≤1.3,0≤v≤0.9,0≤w≤0.9,0≤y≤0.9,0≤z≤0.9,x+v+w+y+z=2,且0≤t≤0.2
L
译M是指具有+2~+4氧化数的至少一种金属的阳离子
M
A为单价或二价阴离子
N
译LiaMn2-bM'bO4-cA'c (2)其中0.8<a≤1.3,0≤b≤0.5,且0≤c≤0.3
O
译M'是指具有+2~+4氧化数的至少一种金属的阳离子
P
A'为单价或二载阴离子。
权利要求 2
Q
其中所述第一种碳相对于容量具有译2 2 2译0.01m/mAh~0.031m/mAh的比表面积
R
所述第二种碳相对于容量具有0.0035m/2译mAh~0.017m/mAh的比表面积。
权利要求 3
S
其中所述第一正极活性材料相对于容量具有0.03μm·g/mAh~0.1μm·g/mAh的平均粒径。
权利要求 4
T
其中所述第一正极活性材料在2.65g/cc~-3 -3译2.85g/cc的粉末密度下具有1×10 S/cm以上且小于10×10 S/cm的粉末电导率。
权利要求 5
U
其中所述第二正极活性材料相对于容量具有0.1μm·g/mAh~0.2μm·g/mAh的平均粒径。
权利要求 6
V
其中所述第二正极活性材料在2.65g/cc~-5 -5译2.85g/cc的粉末密度下具有1×10 S/cm以上且小于10×10 S/cm的粉末电导率。
权利要求 7
W
其中在式(1)中,M为选自Al、Mg和Ti中的至少一种元素
X
在式(2)中,M'为选自Co、Mn、Ni、Al、Mg and Ti中的至少一种元素。
权利要求 8
Y
其中在式(1)和(2)中,A和A'各自独立地为选自卤素、S和N中的至少一种元素。
权利要求 10
Z
其中所述隔膜为有机-无机复合隔膜。