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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包含正极
B
所述正极包含由下式(1)表示并具有层状结构的第一正极活性材料和由下式(2)表示并具有尖晶石结构的第二正极活性材料作为正极活性材料
C
其中所述第一正极活性材料相对于容量具有0.03μm·g/mAh~0.1μm·g/mAh的平均粒径
D
所述第二正极活性材料相对于容量具有0.1μm·g/mAh~0.2μm·g/mAh的平均粒径
E
其中基于所述第一正极活性材料和第二正极活性材料的总重量,所述第一正极活性材料的量为40重量%~100重量%
F
负极
G
所述负极包含相对于容量具有0.005m2/mAh~0.013m2/mAh的比表面积的结晶性石墨作为负极活性材料
H
隔膜
I
其中所述结晶性石墨为选自如下石墨中的一种石墨或它们的混合物:相对于容量具有0.007m2/mAh~0.011m2/mAh的比表面积的第一种石墨,以及相对于容量具有0.007m2/mAh~0.010m2/mAh的比表面积的第二种石墨
J
Lix(NivMnwCoyMz)O2-tAt (1)
K
其中0.8<x≤1.3,0≤v≤0.9,0≤w≤0.9,0≤y≤0.9,0≤z≤0.9,x+v+w+y+z=2,且0≤t<0.2
L
M是指具有+2~+4氧化数的至少一种金属 of 阳离子
M
A为单价或二价阴离子
N
LiaMn2-bM'bO4 (2)
O
其中0.8<a≤1.3,0≤b≤0.5
P
M'是指具有+2~+4氧化数的至少一种金属的阳离子。
权利要求 2
Q
其中所述第一种石墨在1.4g/cc~1.6g/cc的粉末密度下具有100S/cm以上且小于1000S/cm的粉末电导率。
权利要求 3
R
其中所述第一种石墨为表面改性的石墨
S
并基于XRD数据在2θ=43°下具有可识别为(101)面的菱形峰的3R和2H峰。
权利要求 4
T
其中所述第二种石墨在1.4g/cc~1.6g/cc的粉末密度下具有10S/cm以上且小于200S/cm的粉末电导率。
权利要求 5
U
其中所述第二种石墨基于XRD数据在2θ=43°下具有作为(101)面的菱形峰的2H峰。
权利要求 6
V
其中所述第一正极活性材料在2.65g/cc~2.85g/cc的粉末密度下具有1×10-3S/cm以上且小于10×10-3S/cm的粉末电导率。
权利要求 7
W
其中所述第二正极活性材料在2.65g/cc~2.85g/cc的粉末密度下具有1×10-5S/cm以上且小于10×10-5S/cm的粉末电导率。
权利要求 8
X
其中在式(1)中,M为选自Al、Mg和Ti中的至少一种元素
Y
在式(2)中,M'为选自Co、Mn、Ni、Al、Mg和Ti中的至少一种元素。
权利要求 9
Z
其中在式(1)和(2)中,A和A'各自独立地为选自卤素、S和N中的至少一种元素。