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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包含正极
B
所述正极包含由下式1表示并具有层状结构的第一正极活性材料和由下式2表示并具有尖晶石结构的第二正极活性材料作为正极活性材料
C
其中基于所述第一正极活性材料和第二正极活性材料的总重量,所述第二正极活性材料的量为40重量%~100重量%
D
负极
E
所述负极包含具有300mAh/g以上容量的无定形碳
F
隔膜
G
Lix(NivMnwCoyMz)O2-tAt (1)
H
其中0.8<x≤1.3,0≤v≤0.9,0≤w≤0.9,0≤y≤0.9,0≤z≤0.9,x+v+w+y+z=2,且0≤t<0.2
I
M是指具有+2~+4氧化数的至少一种金属的阳离子
J
A为单价或二价阴离子
K
LiaMn2-bM'bO4-cA'c (2)
L
其中0.8<a≤1.3,0≤b≤0.5,且0≤c≤0.3
M
M'是指具有+2~+4氧化数的至少一种金属的阳离子
N
A'为单价或二价阴离子
O
其中所述无定形碳为第一种碳和第二种碳的混合物
P
所述第一种碳相对于容量具有0.01m2/mAh~0.031m2/mAh的比表面积
Q
所述第二种碳相对于容量具有0.0035m2/mAh~0.017m2/mAh的比表面积
R
其中所述第一正极活性材料在2.65g/cc~2.85g/cc的粉末密度下具有1×10-3S/cm以上且小于10×10-3S/cm的粉末电导率
S
其中所述第二正极活性材料在2.65g/cc~2.85g/cc的粉末密度下具有1×10-5S/cm以上且小于10×10-5S/cm的粉末电导率。
权利要求 2
T
其中所述第一种碳在1.0g/cc~1.2g/cc的粉末密度下具有15S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率。
权利要求 3
U
其中所述第二种碳在1.4g/cc~1.6g/cc的粉末密度下具有30S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率。
权利要求 4
V
其中所述第一正极活性材料相对于容量具有0.03μm/mAh~0.1μm/mAh的平均粒径。
权利要求 5
W
其中所述第二正极活性材料相对于容量具有0.1μm/mAh~0.2μm/mAh的平均粒径。
权利要求 6
X
其中在式1中,M为选自Al、Mg和Ti中的至少一种
Y
在式2中,M'为选自Co、Ni、Al、Mg和Ti中的至少一种。
权利要求 7
Z
其中在式1和2中,A和A'各自独立地为选自卤素、S和N中的至少一种。