对比文件的名称：2007-06-14_US2007131958A_发明申请_US20070131958A1 Single chip with multi-LED
目标专利的名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：无
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层《直接公开》 | 段落[0033]：“发光芯片10包括依次形成在衬底11上的N型半导体层13、有源层14和P型半导体层15。” | 对比文件明确公开了N型半导体层13，对应于第一导电半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层《直接公开》 | 同上段落[0033]：“有源层14”位于N型半导体层13上。 | 对比文件明确公开了有源层14位于第一导电半导体层（N型）上，直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层《直接公开》 | 同上段落[0033]：“P型半导体层15”位于有源层14上。 | 对比文件明确公开了P型半导体层15（第二导电半导体层）位于有源层上，直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域《直接公开》 | 段落[0013]：“至少一个N型电极连接到N型半导体层，并通过穿过有源层和P型半导体层的开口暴露。”以及段落[0033]：“N型电极17设置在开口19中。” | 对比文件公开了通过开口暴露N型半导体层（第一导电半导体层）的顶表面，该开口穿过有源层和P型半导体层，形成暴露区域，直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上《直接公开》 | 段落[0045]：“在绝缘层122和P型半导体层125之间添加透明导电层(TCL)151。” | 对比文件公开了透明导电层(TCL)位于P型半导体层（第二导电半导体层）上，用于电流扩展，相当于透射电极层，直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层《隐含公开》 | 段落[0039]：“在沟槽78中依次沉积绝缘层72和金属线7a。”沟槽78穿过P型半导体层75和有源层74到达N型半导体层73，绝缘层72沉积在沟槽内，接触N型半导体层73的顶表面和侧表面。 | 对比文件中的绝缘层72接触第一导电半导体层（N型半导体层），虽然名称为绝缘层，但其结构特征（接触第一导电半导体层）与目标专利的粘附层相同，且本领域技术人员可以合理推断该绝缘层也能起到粘附作用（如粘附金属线），因此隐含公开了粘附层接触第一导电半导体层的特征。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上《未公开》 | 段落[0034]：“N型电极17直接堆叠在N型半导体层13上。” | 对比文件中，N型电极（第一电极）直接接触N型半导体层，未接触任何绝缘层或粘附层，因此未公开第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层的特征。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层《直接公开》 | 段落[0033]：“P型电极16形成在P型半导体层15上。” | 对比文件明确公开了P型电极（第二电极）接触P型半导体层（第二导电半导体层），直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分《未公开》 | 段落[0033]描述P型电极直接接触P型半导体层；段落[0045]描述透明导电层在P型层上，但未明确P型电极通过透明导电层接触。 | 对比文件没有明确公开第二电极的第一部分通过透射电极层接触第二导电半导体层，也不能毫无疑义地推导出该结构，因此未公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分《未公开》 | 同上，无明确记载。 | 对比文件未公开第二电极的第二部分直接接触透射电极层，未公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围《未公开》 | 无明确记载。 | 对比文件未公开粘附层覆盖上述区域，也未公开第二电极第一部分被透射电极层包围，未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开第一电极与第一导电半导体层接触面积的比例，未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开第一电极与粘附层垂直重叠的宽度比例，未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个《未公开》 | 对比文件未明确绝缘层或其它层的材料种类。 | 对比文件未公开粘附层的材料组成，未公开。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个《未公开》 | 对比文件未具体列出绝缘层材料。 | 对比文件未公开粘附层具体材料，未公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分《未公开》 | 无记载。 | 对比文件中的绝缘层仅沉积在沟槽内，未延伸至第二导电半导体层顶表面，未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开粘附层的多层结构，未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开第二层，未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开折射率相关的层结构，未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开第二层，未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开透射电极层与粘附层的位置关系，未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开粘附层位于透射电极层和第二导电半导体层之间，未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开粘附层延伸到透射电极层顶表面，未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开第二电极第一部分是否暴露，未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠《未公开》 | 无记载。 | 对比文件未公开第一电极与粘附层的垂直重叠关系，未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<H>>><<<f>>>