对比文件名称：2009-05-21_US2009127575A_发明申请_US20090127575A1 Light-Emitting Diode Chip With High Light Extraction And Method For Manufacturing The Same
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层 **《直接公开》** | [0047] “The epitaxial-layer structure 23 is formed of GaN-based material, which includes an N-type first cladding layer 231, an active layer 232 connecting to the N-type first cladding layer 231 and a P-type second cladding layer 233 connecting to the active layer 232 and opposite to the N-type first cladding layer 231.” （外延层结构23由GaN基材料形成，包括N型第一包覆层231、与该N型第一包覆层连接的有源层232、以及与该有源层连接且与N型第一包覆层相对的P型第二包覆层233。） | 对比文件明确公开了发光结构（外延层结构）包括N型第一包覆层，相当于第一导电半导体层，且该层作为发光结构的一部分，其作用与目标专利中第一导电半导体层作为载流子注入层相同。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层 **《直接公开》** | 同上[0047]：“an active layer 232 connecting to the N-type first cladding layer 231”（有源层232连接N型第一包覆层231）。 | 对比文件明确公开了有源层形成在第一导电半导体层（N型第一包覆层）上，该有源层用于产生光，与目标专利中有源层的作用相同。因此，技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层 **《直接公开》** | 同上[0047]：“a P-type second cladding layer 233 connecting to the active layer 232”（P型第二包覆层233连接有源层232）。 | 对比文件明确公开了第二导电半导体层（P型第二包覆层）形成在有源层上，与目标专利中第二导电半导体层的作用相同。因此，技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域 **《直接公开》** | [0055] “a partial portion of the epitaxial-layer structure 23 is removed to form a mesa thereon. Then, the N-type electrode 241 and P-type electrode 242 are respectively formed on and in ohmic contact with the first cladding layer 231 and second cladding layer 233.”（去除外延层结构的一部分以形成台面。然后，N型电极241和P型电极242分别形成在第一包覆层231和第二包覆层233上并与其欧姆接触。） | 对比文件通过台面蚀刻工艺去除了部分外延层，从而暴露第一导电半导体层（N型第一包覆层）的顶表面，该暴露区域用于形成N型电极。这与目标专利中通过台面蚀刻暴露第一导电半导体层顶表面的区域的结构和作用完全相同。因此，技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上 **《直接公开》** | [0064] “a transparent electrical conductive layer 25 capable of uniformly spreading the current is formed on the top surface 234 of the epitaxial-layer structure 23 to improve the external quantum efficiency of the diode chip. ... the transparent electrical conductive layer of Indium Tin Oxide (ITO) 25 is deposited on the roughened top surface 234 of the epitaxial-layer structure 23.”（透明导电层25形成在外延层结构23的顶表面234上，能够均匀扩展电流以提高二极管芯片的外量子效率。……铟锡氧化物（ITO）透明导电层25沉积在外延层结构23的粗化顶表面234上。）外延层结构23的顶表面234即为P型第二包覆层233的顶表面。 | 对比文件第三实施例明确公开了在第二导电半导体层（P型第二包覆层）上形成透明导电层（ITO），该层用于电流扩展，属于透射电极层。其材料和作用与目标专利中的透射电极层实质相同（目标专利的透射电极层同样用于扩展电流并包括ITO）。因此，技术特征E被直接公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层 **《未公开》** | 对比文件全文未提及任何用于提高电极与半导体层之间粘附强度的粘附层。透明折射层22虽接触第一包覆层，但其作用是作为光提取的折射层和连接衬底的胶层，而非粘附层，且不接触第一电极。 | 对比文件没有公开任何粘附层，更没有公开粘附层接触第一导电半导体层的结构。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含得到该特征。因此，技术特征F未公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上 **《未公开》** | 对比文件公开了N型电极241形成在暴露的第一包覆层231上，但未公开任何粘附层，因此不存在第一电极接触粘附层的结构。 | 由于对比文件未公开粘附层，也不存在第一电极同时接触粘附层和第一导电半导体层的结构。因此，技术特征G未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层 **《直接公开》** | [0048] “The P-type electrode 242 is disposed on and in ohmic contact with the second cladding layer 233.”（P型电极242设置于第二包覆层233上并与其欧姆接触。） | 对比文件明确公开了第二电极（P型电极）接触第二导电半导体层（P型第二包覆层），无论直接接触还是通过透明导电层间接接触，均构成接触。因此，技术特征H被直接公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分 **《直接公开》** | [0064]-[0065] 结合图13：透明导电层25沉积在P型第二包覆层233的顶表面234上，然后P型电极242形成在透明导电层25上。因此，P型电极242通过透明导电层25接触第二包覆层233。 | 对比文件第三实施例中，第二电极（P型电极）形成在透射电极层（透明导电层）上，其底部（第一部分）通过透射电极层间接接触第二导电半导体层。该结构与目标专利中第二电极第一部分通过透射电极层接触第二导电半导体层的方式完全相同。因此，技术特征I被直接公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分 **《直接公开》** | 同上，P型电极242形成在透明导电层25上，其整个底面直接接触透明导电层25。 | 对比文件第三实施例中，第二电极（P型电极）直接接触透射电极层（透明导电层）的至少一部分（整个底面），该部分即第二部分。因此，技术特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且其中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，也没有公开透射电极层包围第二电极的第一部分的结构。透明导电层25仅设置在第二导电半导体层顶表面，未覆盖侧表面，且P型电极的侧面未被透明导电层包围。 | 技术特征K包含两部分：1）粘附层的特定布置，2）第二电极第一部分被透射电极层包围。由于对比文件缺少粘附层，且其透射电极层（透明导电层）仅覆盖平面，未形成对第二电极的包围，因此该特征未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积 **《未公开》** | 对比文件未公开第一电极（N型电极）与第一导电半导体层接触面积的具体比例范围。 | 对比文件仅公开了N型电极形成在暴露的第一包覆层区域，但未给出任何关于接触面积与电极顶表面面积的比例数值或范围，本领域技术人员无法合理推断出该数值范围。因此，技术特征L未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，也不存在第一电极与粘附层的垂直重叠区域。 | 由于对比文件没有粘附层，该特征的前提不存在，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，仅公开了透明折射层22（聚合物或电介质）和透明导电层25（ITO），但这些层并非粘附层。 | 对比文件没有公开任何用于提高电极与半导体层粘附强度的粘附层，也没有公开该粘附层材料的选择。因此，技术特征N未公开。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个 **《未公开》** | 对比文件虽提及透明折射层可包含电介质、透明导电层为ITO，但未公开粘附层，且这些材料在对比文件中用于其他目的。 | 同特征N，对比文件未公开粘附层，因此未公开粘附层的具体材料。技术特征O未公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，且其透明折射层22仅连接第一包覆层底部，不覆盖侧表面。 | 对比文件没有任何层沿着发光结构侧表面从第一导电半导体层延伸到第二导电半导体层顶表面。因此，技术特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，也没有公开粘附层包含多层结构。 | 对比文件没有粘附层，更不存在多层粘附层结构。因此，技术特征Q未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料 **《未公开》** | 同上。 | 技术特征R未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，其透明折射层22虽具有折射率1-2，但并非粘附层且不用于提高电极粘附。 | 技术特征S未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率 **《未公开》** | 同上。 | 技术特征T未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，也不存在透射电极层与粘附层端部隔开的关系。 | 技术特征U未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，其透明导电层25直接形成在第二导电半导体层上，无中间层。 | 技术特征V未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，不存在粘附层延伸到透射电极层顶表面。 | 技术特征W未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部 **《隐含公开》** | [0064]-[0065] 结合图13：透明导电层25沉积在P型第二包覆层233的顶表面234上，然后P型电极242形成在透明导电层25上。因此，P型电极的底部（第一部分）完全被透明导电层25覆盖，不直接接触空气或封装材料。 | 对比文件第三实施例中，第二电极（P型电极）的第一部分（即通过透射电极层接触第二导电半导体层的部分）为其底部，该底部被透射电极层（透明导电层）覆盖，因此没有暴露到器件外部（不接触空气）。本领域技术人员根据对比文件的教导可以合理推断出该部分未暴露到外部。因此，技术特征X被隐含公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠 **《未公开》** | 对比文件未公开粘附层，也不存在第一电极穿过粘附层并与之重叠的结构。 | 技术特征Y未公开。 |
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