对比文件名称：2009-10-08_US2009252795A_发明申请_US20090252795A1 Bioceramic scaffolds for tissue engineering
目标专利名称：1782发光器件和发光器件封装CN102194958B
本次调用的模型名称：GPT-4
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层（未公开） | 对比文件[0002]：“本发明涉及微孔生物陶瓷支架、基质或球体，其包含颗粒状微孔生物惰性陶瓷材料，并且呈支架、基质或球体形式，具有互联的孔隙。” | 对比文件涉及生物陶瓷支架，未提及任何半导体层或发光结构，因此未公开技术特征A。本领域技术人员不能从对比文件得出该特征，也不存在隐含公开的可能。 |
| 技术特征B：在所述第一导电半导体层上的有源层（未公开） | 对比文件[0002]同上，未涉及有源层。 | 对比文件未公开有源层，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述有源层上的第二导电半导体层（未公开） | 对比文件[0002]同上，未涉及第二导电半导体层。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征D：其中所述发光结构具有其中暴露所述第一导电半导体层的顶表面的区域（未公开） | 对比文件未公开发光结构。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征E：透射电极层，所述透射电极层在所述第二导电半导体层上（未公开） | 对比文件未公开任何电极层。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征F：粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层（未公开） | 对比文件未公开粘附层。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征G：第一电极，所述第一电极在所述区域中接触所述粘附层和所述第一导电半导体层上（未公开） | 对比文件未公开第一电极。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征H：第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层（未公开） | 对比文件未公开第二电极。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征I：其中所述第二电极的第一部分通过所述透射电极层接触所述第二导电半导体层的至少一部分（未公开） | 对比文件未公开电极连接。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征J：所述第二电极的第二部分接触所述透射电极层的至少一部分（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征K：其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上；并且中所述第二电极的第一部分被所述透射电极层包围（未公开） | 对比文件未公开粘附层布置。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征L：其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10％至95％的面积（未公开） | 对比文件未公开面积比例。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的5％至90％的宽度（未公开） | 对比文件未公开重叠区域。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征N：其中所述粘附层包括透射导电材料和透射绝缘材料中的至少一个（隐含公开） | 对比文件[0031]：“初级微孔陶瓷支架、基质或球体可以选自包括烧结氧化铝（氧化铝）、氧化锆（氧化锆）或其组合、或羟基磷灰石的陶瓷材料组。” 其中氧化铝（Al₂O₃）是一种透射绝缘材料。 | 对比文件公开了氧化铝（Al₂O₃），该材料属于透射绝缘材料，而目标专利的粘附层可以包括透射绝缘材料。虽然对比文件未公开粘附层，但本对比文件部分公开了粘附层的材料（透射绝缘材料），有可能与其他对比文件（如公开粘附层的文献）组合公开该技术特征，因此根据宽松标准，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征O：其中所述粘附层包括从由SiOx、SiOxNy、Si3N4、TiO2、Al2O3、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锌锡氧化物、铟铝锌氧化物、铟镓锌氧化物、铟镓锡氧化物、铝锌氧化物、锑锡氧化物、镓锌氧化物、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个（隐含公开） | 对比文件[0031]同上，公开了氧化铝（Al₂O₃）。 | 对比文件公开了氧化铝（Al₂O₃），该材料属于目标专利粘附层材料列表中的一种。虽然对比文件未公开粘附层，但本对比文件部分公开了粘附层的材料（Al₂O₃），有可能与其他对比文件组合公开该技术特征，因此根据宽松标准，该技术特征被隐含公开。 |
| 技术特征P：其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分（未公开） | 对比文件未公开粘附层延伸关系。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料（未公开） | 对比文件未公开多层结构。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征R：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料（未公开） | 对比文件未公开第二层。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征S：其中所述粘附层包括：第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率（未公开） | 对比文件未公开折射率。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征T：和第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征U：其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征V：其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征W：其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征X：其中所述第二电极的第一部分没有暴露到外部（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征Y：其中所述第一电极穿过所述粘附层并且在垂直方向上与所述粘附层重叠（未公开） | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
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