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权利要求与技术特征
权利要求 1
A
包含正极
B
所述正极包含由下式1表示并具有层状结构的第一正极活性材料和由下式2表示并具有尖晶石结构的第二正极活性材料作为正极活性材料
C
其中基于所述第一正极活性材料和第二正极活性材料的总重量，所述第二正极活性材料的量为40重量％～100重量％
D
负极
E
所述负极包含结晶性石墨和无定形碳作为负极活性材料
F
其中基于所述负极活性材料的总重量，所述无定形碳的量为40重量％～100重量％
G
隔膜
H
其中所述结晶性石墨为选自如下石墨中的一种或它们的混合物：相对于容量具有0.007m2/mAh～0.011m2/mAh的比表面积的第一种石墨，以及相对于容量具有0.005m2/mAh～0.013m2/mAh的比表面积的第二种石墨
I
其中所述无定形碳包含相对于容量具有0.01m2/mAh～0.031m2/mAh的比表面积的碳
J
Lix(NivMnwCoyMz)O2-tAt (1)
K
其中0.8＜x≤1.3，0≤v≤0.9，0≤w≤0.9，0≤y≤0.9，0≤z≤0.9，x+v+w+y+z＝2，且0≤t＜0.2
L
M是指具有+2～+4氧化数的至少一种金属或过渡金属的阳离子
M
A为单价或二价阴离子
N
LiaMn2-bM'bO4-cA'c (2)
O
其中0.8＜a≤1.3，0≤b≤0.5，且0≤c≤0.3
P
M'是指具有+2～+4氧化数的至少一种金属或过渡金属的阳离子
Q
A'为单价或二价阴离子。
权利要求 2
R
其中所述第一种石墨在1.4g/cc～1.6g/cc的粉末密度下具有100S/cm以上且小于1000S/cm的粉末电导率。
权利要求 3
S
其中所述第一种石墨为表面改性的石墨
T
并基于XRD数据在2θ＝43°下具有可识别为(101)面的菱形峰的3R和2H峰。
权利要求 4
U
其中所述第二种石墨在1.4g/cc～1.6g/cc的粉末密度下具有10S/cm以上且小于200S/cm的粉末电导率。
权利要求 5
V
其中所述第二种石墨基于XRD数据在2θ＝43°下具有作为(101)面的菱形峰的2H峰。
权利要求 6
W
其中所述无定形碳为如下碳 of 混合物：相对于容量具有0.01m2/mAh～0.031m2/mAh的比表面积的第一种碳，以及相对于容量具有0.0035m2/mAh～0.0170m2/mAh的比表面积的第二种碳。
权利要求 7
X
其中所述第一种碳在1.0g/cc～1.2g/cc the 份末密度下具有15S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率。
权利要求 8
Y
其中所述第二种碳在1.4g/cc～1.6g/cc的粉末密度下具有30S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率。
权利要求 9
Z
其中所述第一正极活性材料相对于容量具有0.03μm/mAh～0.1μm/mAh的平均粒径。