**对比文件名称：** 2009-11-19_JP2009270200A_发明专利_JP2009270200A Method for separating semiconductor from substrate
**目标专利名称：** 1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
**本次调用的模型名称：** AI模型（专利分析专用）
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译成中文，标注段落） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开在基板上形成用作缓冲层的氮化镓外延层。对比文件提到在基板上形成棒状体阵列，然后在棒状体上外延生长半导体层（如GaN），但未提及在基板表面直接形成缓冲层，也未明确该半导体层具有降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲作用。 | 目标专利中，GaN外延层是直接形成在第一支撑衬底上的缓冲层，用于后续单晶GaN层的生长。对比文件中的半导体层生长在棒状体顶端，并非作为缓冲层，且棒状体本身为基板材料，结构及作用均不同。本领域技术人员无法从对比文件直接或合理推断出该特征。 |
| **技术特征B**：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件[0010]（对应原文段落编号）：“ステップ１２４において金属鏡面層上に導電基材を堆積”（在金属镜面层上沉积导电基材）。该步骤在半导体层（GaN外延层）上形成金属镜面层后再沉积导电基材，导电基材作为支撑衬底。 | 对比文件的外延生长的半导体层（如GaN）相当于目标专利的氮化镓外延层，在其上形成的导电基材起到支撑作用，相当于第二支撑衬底。虽然中间有金属镜面层，但导电基材直接形成在氮化镓外延层上方，实质公开了在氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。 |
| **技术特征C**：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件[0010]：“エッチング保護層を形成する。当該エッチング保護層は上記半導体層、金属鏡面層及び導電基材を覆う。”（形成蚀刻保护层，该蚀刻保护层覆盖半导体层、金属镜面层和导电基材）。 | 对比文件中的蚀刻保护层覆盖半导体层（相当于氮化镓外延层）和导电基材（相当于第二支撑衬底），必然覆盖其暴露的侧面和上表面，与目标专利的钝化层覆盖范围及作用（保护暴露表面免受蚀刻）一致。因此直接公开了该特征。 |
| **技术特征D**：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。<br>**公开性判断：隐含公开** | 对比文件[0010]：“エッチング保護層を形成して…複数の棒状体をエッチングして、半導体層を基板から分離する。”（形成蚀刻保护层后，蚀刻多个棒状体，将半导体层从基板分离）。 | 对比文件中，蚀刻保护层在蚀刻基板棒状体时保护了上部结构（半导体层、导电基材），实质上起到了掩膜作用。虽然蚀刻对象是棒状体（基板部分），而非整个第一支撑衬底，但本领域技术人员可以合理推断，使用类似保护层作为掩膜选择性蚀刻整个基板是可行的，故隐含公开了该特征。 |
| **技术特征E**：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件[0010]：在蚀刻分离后，需去除蚀刻保护层，露出半导体层和导电基材（见步骤流程，图9-11描述）。 | 对比文件在蚀刻基板后必然去除保护层，以露出半导体层（相当于氮化镓外延层）和导电基材（相当于第二支撑衬底），与目标专利去除钝化层露出相应层的步骤本质相同，直接公开。 |
| **技术特征F**：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未公开在去除保护层后再次生长单晶GaN层的步骤。对比文件在分离后直接得到独立的半导体层（带有金属镜面层和导电基材），无后续外延生长。 | 目标专利在去除钝化层后，利用露出的GaN外延层作为衬底再生长单晶GaN层。对比文件完全没有记载或暗示该步骤，本领域技术人员不能从对比文件直接或合理推断出该特征。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及钝化层的具体材料。对比文件仅称“エッチング保護層”，未限定其材料。 | 对比文件未公开任何该类材料，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及在形成保护层后进行固化工艺。 | 对比文件无相关记载，故未公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。<br>**公开性判断：直接公开** | 对比文件[0010]（或[0011]）：“基板は、サファイア、酸化亜鉛（ZnO）、石英（Quartz）、ケイ素をメインとした半導体材料（例えば、Si、SiC、６H−SiC、４H−SiCなど）”（基板是蓝宝石、氧化锌、石英、以硅为主的半导体材料（如Si、SiC、6H-SiC、4H-SiC等））。 | 对比文件明确列出了蓝宝石（氧化物）、SiC（碳化物）、Si（硅）等材料，与目标专利的第一支撑衬底材料完全对应，直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。<br>**公开性判断：隐含公开** | 对比文件[0012]：“ウェットエッチング方式によって半導体をその基板から分離する”（通过湿蚀刻方式将半导体从其基板分离）。 | 对比文件明确使用湿蚀刻工艺，但蚀刻对象是基板上的棒状体（部分基板），而非整个第一支撑衬底。然而，本领域技术人员可以合理推断，湿蚀刻工艺同样适用于选择性蚀刻整个第一支撑衬底，且目标专利的目的（去除衬底）与对比文件（分离半导体层）相似，故隐含公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。<br>**公开性判断：未公开** | 对比文件未提及去除保护层所用的溶剂。 | 对比文件无相关记载，故未公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。<br>**公开性判断：隐含公开** | 对比文件[0010]：在金属镜面层上堆叠导电基材，导电基材通常为金属（如通过电镀形成）。 | 对比文件未明确导电基材的材料，但本领域公知导电基材常为金属，因此“包含金属的导电材料”部分可合理推断。但“与第一支撑衬底相同的材料”未公开。整体上，由于对比文件公开了导电基材作为支撑，且第二支撑衬底采用导电材料是常见选择，故隐含公开了该特征。 |
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### 公开性代码输出
依据上述分析，对比文件直接公开了技术特征 **B、C、E、I**，隐含公开了技术特征 **D、J、L**，未公开技术特征 **A、F、G、H、K**。
<<<B>>><<<C>>><<<E>>><<<I>>><<<d>>><<<j>>><<<l>>>