对比文件名称：JP2007294579A_Description_20260718_2049
目标专利名称：1808发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统CN102347411B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构 《直接公开》 | [0010] “第１の基板上に少なくともｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層のＧａＮ系半導体からなる各層を順に積層し”<br>翻译：在第一基板上至少依次层叠由n型半导体层、发光层、及p型半导体层的GaN系半导体构成的各层。 | 对比文件明确公开了在基板上依次层叠n型半导体层、发光层、p型半导体层，对应于目标专利的发光结构，因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：钝化层，所述钝化层包围所述发光结构的侧面 《直接公开》 | [0010] “前記ｎ型半導体層、発光層、及びｐ型半導体層を覆い、且つ、ｐ型半導体層表面の少なくとも一部に開口部を有するように保護膜を形成した後”<br>翻译：形成保护膜以覆盖所述n型半导体层、发光层及p型半导体层，并在p型半导体层表面的至少一部分上具有开口部。<br>[0011]第10条 “前記保護膜が、酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化シリコン、及び窒化アルミニウムの内、少なくとも何れか１種以上からなる”<br>翻译：所述保护膜由氧化硅、氧化铝、氮化硅、及氮化铝中的至少一种以上形成。 | 对比文件公开的保护膜覆盖n型半导体层、发光层、p型半导体层的侧面，且由绝缘材料制成，其功能与目标专利的钝化层相同，均用于保护侧面、防止短路，因此技术特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：布置在所述第一导电半导体层上的第一电极 《直接公开》 | [0069] “第１の基板１１を剥離した後、…ｎ型半導体層１３上に負極２５を形成する”<br>翻译：剥离第一基板11后，在n型半导体层13上形成负电极25。 | 对比文件在n型半导体层（第一导电半导体层）上形成负电极，相当于目标专利的第一电极，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：部分地布置在所述第二导电半导体层上的电流阻挡层 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开任何专门用于电流阻挡的层，其保护膜形成于电极层之上而非直接布置在第二导电半导体层上，且不具有电流阻挡功能，因此技术特征D未被公开。 |
| 技术特征E：布置在所述电流阻挡层和所述第二导电半导体层上的欧姆层 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开电流阻挡层，因此欧姆层直接形成在第二导电半导体层上，而非布置在电流阻挡层上，技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：布置在所述第二导电半导体层上的反射电极 《直接公开》 | [0050] “反射層１７には、Ａｇ、Ａｌ等を用いることができる”<br>翻译：反射层17可以使用Ag、Al等。<br>[0015] “反射層１７”<br>翻译：反射层17。 | 对比文件公开了在p型半导体层（第二导电半导体层）上通过欧姆接触层形成反射层，该反射层用作反射电极，因此技术特征F被直接公开。 |
| 技术特征G：布置在所述发光结构上并包围所述反射电极的沟道层 《未公开》 | 无 | 对比文件的第一接合层形成在保护膜上，仅覆盖部分反射电极顶部，并未包围反射电极；且对比文件不存在与目标专利沟道层结构、功能相同的层，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：通过附着层连接到所述沟道层的支撑衬底 《未公开》 | 无 | 对比文件虽有第二基板（支撑衬底）和第二接合层，但缺少沟道层，且第二接合层直接与第一接合层接合，无单独的附着层，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：其中所述反射电极包围所述欧姆层的底表面和侧表面 《未公开》 | 无 | 对比文件的反射层形成在欧姆接触层上，二者侧面对齐，反射层未包围欧姆接触层的侧表面，因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：所述反射电极直接接触所述第二导电半导体层 《未公开》 | 无 | 对比文件的反射层通过欧姆接触层间接接触p型半导体层，未直接接触，因此技术特征J未被公开。 |
| 技术特征K：所述沟道层将所述钝化层与所述反射电极分离 《未公开》 | 无 | 对比文件无沟道层，保护膜直接接触反射层侧面，二者未被分离，因此技术特征K未被公开。 |
| 技术特征L：其中所述沟道层由金属制成 《未公开》 | 无 | 由于沟道层未被公开，该技术特征不成立，因此未公开。 |
| 技术特征M：其中所述沟道层由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成 《未公开》 | 无 | 同上，未公开。 |
| 技术特征N：其中所述欧姆层包围所述电流阻挡层 《未公开》 | 无 | 对比文件无电流阻挡层，欧姆层未包围任何层，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述欧姆层由从由ITO、AZO、IZO、Ni、Pt和Ag组成的组中选择的材料制成 《直接公开》 | [0048] “オーミックコンタクト層１６の材料としては、…Ｐｔ、…又はＡｇを用いることが好ましい”<br>翻译：欧姆接触层16的材料优选使用Pt、…或Ag。 | 对比文件公开的欧姆接触层材料包括Pt和Ag，均落入目标专利欧姆层材料组（Pt、Ag）中，因此技术特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：其中所述欧姆层被分离成至少两个单元欧姆层 《未公开》 | 无 | 对比文件的欧姆接触层为连续层，未公开分离成多个单元，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述反射电极设置在每个欧姆层上 《未公开》 | 无 | 基于特征P未公开，该特征也未公开。 |
| 技术特征R：其中所述支撑衬底由从由Mo、Si、W、Cu和Al组成的组中选择的材料制成 《直接公开》 | [0012]第12条 “前記導電性基板がシリコンからなる”<br>翻译：所述导电性基板由硅形成。<br>[0012]第13条 “前記導電性基板が金属からなる”<br>翻译：所述导电性基板由金属形成。<br>[0052] “第２の基板６１には、…熱伝導率の高いＣｕ又はＣｕ合金を用いることが好ましい”<br>翻译：第二基板61优选使用热导率高的Cu或Cu合金。 | 对比文件公开了导电性基板（支撑衬底）可由硅、铜或铜合金形成，硅和铜在目标专利的组内，因此技术特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成 《直接公开》 | [0094] “Ｃｒ（４０ｎｍ）、Ｔｉ（１００ｎｍ）、Ａｕ（１０００ｎｍ）からなる負極２５”<br>翻译：由Cr(40nm)、Ti(100nm)、Au(1000nm)构成的负电极25。 | 对比文件公开的负电极（第一电极）包含Ti，Ti在目标专利的组内，因此技术特征S被直接公开。 |
| 技术特征T：其中所述附着层由从由In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au和Al组成的组中选择的材料制成 《未公开》 | 无 | 对比文件未公开与目标专利对应的附着层，因此技术特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其中所述沟道层包围所述反射电极的底表面和侧表面 《未公开》 | 无 | 对比文件无沟道层，且无任何层包围反射电极的底表面和侧表面，因此未公开。 |
| 技术特征V：其中所述钝化层在所述发光结构的外表面与所述沟道层接触 《未公开》 | 无 | 对比文件无沟道层，且保护膜与第一接合层的接触位置与目标专利不同，因此未公开。 |
| 技术特征W：其中所述沟道层在至少一个区域中与所述发光结构进行接触 《未公开》 | 无 | 对比文件无沟道层，第一接合层通过多层间接接触发光结构，非直接接触，因此未公开。 |
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