对比文件的名称：JP2009231356A_Description_20260718_2048
目标专利的名称：1808发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统CN102347411B
本次调用的模型名称：AI
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| A: 包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的发光结构（直接公开） | [0017] "半導体発光素子１は...第１導電型半導体層２と、第２導電型半導体層３と、第１導電型半導体層２と第２導電型半導体層３の間に介設された発光層４とを有する半導体発光部である半導体積層部５を備え"（翻译：半导体发光元件1具备半导体层叠部5，其是半导体发光部，具有第一导电型半导体层2、第二导电型半导体层3、以及夹设在第一导电型半导体层2和第二导电型半导体层3之间的发光层4） | 对比文件明确公开了发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和位于两者之间的发光层，与目标专利的发光结构完全对应，因此直接公开。 |
| B: 钝化层，所述钝化层包围所述发光结构的侧面（直接公开） | [0017] "１２ａは、絶縁膜であり、半導体積層部５の側面で絶縁膜１２ｂと連絡している。"（翻译：12a是绝缘膜，在半导体层叠部5的侧面与绝缘膜12b连接）以及图1 | 对比文件公开了绝缘膜12a覆盖半导体层叠部5的侧面，相当于目标专利的钝化层包围发光结构侧面，因此直接公开。 |
| C: 布置在所述第一导电半导体层上的第一电极（直接公开） | [0017] "第１導電型半導体層２に接続される第１導電側電極６"（翻译：连接到第一导电型半导体层2的第一导电侧电极6） | 对比文件公开了第一导电侧电极设置在第一导电型半导体层上，与目标专利的第一电极对应，因此直接公开。 |
| D: 部分地布置在所述第二导电半导体层上的电流阻挡层（隐含公开） | [0034] "絶縁膜１２ａ，１２ｂは、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁性材料で形成される。"（翻译：绝缘膜12a、12b由SiO2、SiN、Al2O3等绝缘材料形成）；图1显示绝缘膜12b部分覆盖第二导电型半导体层3 | 对比文件公开了绝缘膜12b部分地设置在第二导电型半导体层上，该绝缘膜由绝缘材料制成，可以起到电流阻挡作用。虽然其主要用于防止迁移，但本领域技术人员可以合理推断其具有电流阻挡功能，因此隐含公开。 |
| E: 布置在所述电流阻挡层和所述第二导电半导体层上的欧姆层（不公开） | 对比文件未公开任何欧姆层 | 对比文件中没有与目标专利欧姆层对应的结构，因此不公开。 |
| F: 布置在所述第二导电半导体层上的反射电极（直接公开） | [0017] "第２導電型半導体層３に接続される第２導電側電極７"（翻译：连接到第二导电型半导体层3的第二导电侧电极7）；[0030] "第２導電側電極７は、Ａｇ、Ａｌ等で形成され"（翻译：第二导电侧电极7由Ag、Al等形成） | 对比文件公开了第二导电侧电极设置在第二导电型半导体层上，并由反射材料Ag、Al等制成，与目标专利的反射电极对应，因此直接公开。 |
| G: 布置在所述发光结构上并包围所述反射电极的沟道层（直接公开） | [0023] "第１金属層８および第２金属層９は、基板等との貼り合わせや実装に際して、第２導電側電極７と、さらに絶縁膜１２ｂと、を基板等に接合するための接合層を構成する。"（翻译：第1金属层8和第2金属层9构成用于将第二导电侧电极7和绝缘膜12b接合到基板等的接合层）；图1显示第2金属层9覆盖第二导电侧电极7并包围其侧面 | 对比文件公开了第2金属层9设置在发光结构上（通过电极和绝缘膜）并包围第二导电侧电极（反射电极），与目标专利的沟道层对应，因此直接公开。 |
| H: 通过附着层连接到所述沟道层的支撑衬底（直接公开） | [0053] "Ｓｉ基板７２を用意し、Ｓｉ基板７２の上表面に基板側メタライズ層７３を形成する。"（翻译：准备Si基板72，在Si基板72的上表面形成基板侧金属化层73）；[0054] "第２金属層７０と、Ｓｉ基板側メタライズ層７３とを貼り合わせ、...接合する。"（翻译：将第2金属层70与Si基板侧金属化层73贴合，加热接合） | 对比文件公开了支撑衬底（Si基板72）通过基板侧金属化层73（附着层）连接到第2金属层70（沟道层），因此直接公开。 |
| I: 其中所述反射电极包围所述欧姆层的底表面和侧表面（不公开） | 对比文件未公开欧姆层，且反射电极与欧姆层的位置关系不存在 | 对比文件没有公开欧姆层，因此无法公开反射电极包围欧姆层的特征，不公开。 |
| J: 所述反射电极直接接触所述第二导电半导体层（直接公开） | [0017] "第２導電型半導体層３に接続される第２導電側電極７"（翻译：连接到第二导电型半导体层3的第二导电侧电极7）；图1显示第二导电侧电极直接接触第二导电型半导体层 | 对比文件公开了第二导电侧电极（反射电极）直接形成在第二导电型半导体层上，即直接接触，因此直接公开。 |
| K: 所述沟道层将所述钝化层与所述反射电极分离（直接公开） | 图1显示第2金属层9（沟道层）位于绝缘膜12a（钝化层）和第二导电侧电极7（反射电极）之间，使两者不直接接触 | 对比文件中的第2金属层9设置在绝缘膜12a和电极7之间，阻止了绝缘膜和电极的直接接触，实现了分离作用，因此直接公开。 |
| L: 其中所述沟道层由金属制成（直接公开） | [0023] "第１金属層８および第２金属層９は、金属材料または合金材料からなる"（翻译：第1金属层8和第2金属层9由金属材料或合金材料形成） | 对比文件明确公开第2金属层（沟道层）由金属制成，因此直接公开。 |
| M: 其中所述沟道层由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成（直接公开） | [0024] "第２金属層９は、融点の高いＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｍｏ等を含むことができる。"（翻译：第2金属层9可以包含高熔点的Ru、Rh、Os、Ir、Pt、W、Mo等） | 对比文件公开了第2金属层（沟道层）包含Pt、Rh、Ir、W，这些材料均属于目标专利所述组，因此直接公开。 |
| N: 其中所述欧姆层包围所述电流阻挡层（不公开） | 对比文件未公开欧姆层和电流阻挡层 | 对比文件没有公开欧姆层和电流阻挡层，因此不公开。 |
| O: 其中所述欧姆层由从由ITO、AZO、IZO、Ni、Pt和Ag组成的组中选择的材料制成（不公开） | 对比文件未公开欧姆层 | 对比文件没有公开欧姆层，因此不公开。 |
| P: 其中所述欧姆层被分离成至少两个单元欧姆层（不公开） | 对比文件未公开欧姆层 | 对比文件没有公开欧姆层，因此不公开。 |
| Q: 所述反射电极设置在每个欧姆层上（不公开） | 对比文件未公开欧姆层 | 对比文件没有公开欧姆层，因此不公开。 |
| R: 其中所述支撑衬底由从由Mo、Si、W、Cu和Al组成的组中选择的材料制成（直接公开） | [0026] "基板１０は、例えばシリコン(Ｓｉ)で構成される。また、Ｓｉのほか、...金属単体基板としては、例えば、Ｃｕ基板が、また、金属基板の材料としては、...Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ等の高硬度の金属から選ばれる少なくとも１種以上の金属と、からなるものを用いることができる。"（翻译：基板10例如由硅(Si)构成。此外，作为金属单质基板，例如Cu基板，作为金属基板的材料，可以使用选自W、Mo、Cr、Ni等的高硬度金属中的至少一种金属） | 对比文件公开了支撑衬底（基板10）可以由Si、Cu、W、Mo等材料制成，这些材料均在目标专利所述组中，因此直接公开。 |
| S: 其中所述第一电极由从由Ti、Ni、Pt、Pd、Rh、Ir和W组成的组中选择的材料制成（不公开） | 对比文件未明确公开第一导电侧电极的具体材料 | 对比文件没有公开第一电极的材料，本领域技术人员不能毫无疑义地确定其材料，因此不公开。 |
| T: 其中所述附着层由从由In、Sn、Ag、Nb、Ni、Au和Al组成的组中选择的材料制成（直接公开） | [0025] "第２金属層９は、少なくともＳｎ、Ｐｂなどの低融点材料を含み、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｚｎ等の金属材料およびこれらの合金で形成される。"（翻译：第2金属层9至少包含Sn、Pb等低熔点材料，由Ti、Pt、Au、Sn、Au、Ag、Cu、Bi、Pb、Zn等金属材料及其合金形成） | 对比文件公开了接合层（可视为附着层）包含Au、Sn，这些材料属于目标专利所述组，因此直接公开。 |
| U: 其中所述沟道层包围所述反射电极的底表面和侧表面（不公开） | 图1显示第2金属层9覆盖反射电极的顶面和侧面，但不覆盖底面 | 对比文件中第2金属层（沟道层）仅覆盖反射电极的顶面和侧面，未覆盖底面，因此不公开“包围底表面和侧表面”的特征。 |
| V: 其中所述钝化层在所述发光结构的外表面与所述沟道层接触（直接公开） | 图1显示绝缘膜12a（钝化层）在半导体层叠部侧面与第2金属层9（沟道层）接触 | 对比文件公开了绝缘膜12a在发光结构外表面与第2金属层9接触，因此直接公开。 |
| W: 其中所述沟道层在至少一个区域中与所述发光结构进行接触（直接公开） | 图1显示第2金属层9在电极与绝缘膜之间的间隙区域直接接触半导体层3（第二导电型半导体层） | 对比文件公开了第2金属层9在至少一个区域（间隙区域）与半导体层直接接触，因此直接公开。 |
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