对比文件名称：2007-04-26_JP2007109946A_发明专利_JP2007109946A Phosphor plate and light-emitting device provided with the same
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：GPT-4（基于OpenAI的AI模型）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构【直接公开】 | 对比文件[2]记载：“LED素子3是，在蓝宝石（Al2O3）基板上依次结晶生长由AlN构成的缓冲层及n型半导体（n-GaN）层、发光层、p型半导体（p-GaN）层而形成的。” | 对比文件直接公开了发光结构（LED素子），其具有半导体层叠结构，相当于目标专利的发光结构。因此，特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层【直接公开】 | 对比文件[2]记载：“n型半导体（n-GaN）层、发光层、p型半导体（p-GaN）层”。 | 对比文件直接公开了n型层（相当于第一导电半导体层）、发光层（有源层）、p型层（第二导电半导体层），完全对应目标专利的发光结构各层。因此，特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层【未公开】 | 对比文件[2]记载：“封止部材8由硅酮等光透射性树脂材料构成，配置在元件搭载基板6和荧光体板9之间，构成为在壳体5内密封LED素子3。” | 对比文件未公开在发光结构上专门形成透射层。封止部材是填充在封装内的密封材料，并非直接形成在发光结构上的特定层，且荧光体板是独立构件，不是形成在封止部材上的层。因此，特征C未被公开，也不隐含公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层【未公开】 | 对比文件[2]记载：“荧光体板9配置在封止部材8上，覆盖封止部材8。” | 对比文件未公开荧光材料层直接形成在透射层上。荧光体板是独立板，封装时组装在封止部材上，并非在透射层上直接形成。因此，特征D未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案【未公开】 | 对比文件[2]记载：“荧光体板9的光取出侧面9A为凹凸面”，且图2(b)及图4示出多种平面图案（如格子状、圆形状凹部等）。 | 对比文件公开的荧光体板表面凹凸结构属于表面纹理，不是荧光材料层本身被构图形成的图案（如开口暴露下层）。目标专利的图案指荧光材料层被构图以暴露透射层或发光结构，而对比文件的凹凸面没有暴露下层。因此，特征E未公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠。【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开任何荧光材料层部分暴露透射层和发光结构的结构，荧光体板完全覆盖发光区域，无开口。因此，特征F未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件的荧光体板仅位于发光结构上方，未延伸到发光结构的横向侧面。因此，特征G未公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上。【隐含公开】 | 对比文件[2]记载：“封止部材8由硅酮等光透射性树脂材料构成，配置在元件搭载基板6和荧光体板9之间，构成为在壳体5内密封LED素子3。” | 对比文件虽未明确提及“透射层”，但封止部材作为光透射性材料位于LED素子（发光结构）上方，其底表面必然接触LED素子的顶表面。本领域技术人员可以合理推断封止部材的底表面设置在发光结构的顶表面上。因此，特征H被隐含公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度。【未公开】 | 对比文件未记载封止部材或任何类似层的厚度范围。 | 对比文件未公开透射层的厚度范围，本领域技术人员无法直接或隐含得出该具体数值范围。因此，特征I未公开。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度。【未公开】 | 对比文件未记载荧光体板的厚度范围。 | 对比文件未公开荧光材料层的厚度范围。因此，特征J未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内。【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未涉及荧光材料层的构图工艺及面积比例。因此，特征K未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案。【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层在发光结构横向侧面具有图案。因此，特征L未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小。【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开横向侧面荧光材料层厚度与顶面荧光材料层厚度的关系。因此，特征M未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极【未公开】 | 对比文件[2]记载LED素子3为正面安装型，其底部为蓝宝石衬底，未在发光结构下面设置第二电极；电极通过引线连接在顶表面。 | 对比文件未公开在发光结构下面设置第二电极（如反射层、导电衬底等）。因此，特征N未公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极【直接公开】 | 对比文件[2]记载：“LED素子3具有p侧电极和n侧电极（均未图示）”，并通过引线12,13连接到第一配线图案14,15。 | 对比文件直接公开了在LED素子（发光结构）顶表面上存在至少两个电极（p电极和n电极）。因此，特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠。【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开荧光材料层具有暴露透射层的孔。因此，特征P未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小。【未公开】 | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开发光结构与第二电极的宽度关系，且没有第二电极。因此，特征Q未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底【直接公开】 | 对比文件[2]记载：“LED素子3是，在蓝宝石（Al2O3）基板上依次结晶生长...”。蓝宝石为非导电衬底。 | 对比文件直接公开了发光结构（LED素子）形成在蓝宝石非导电衬底上。因此，特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶【未公开】 | 对比文件[2]记载封止部材8由硅酮等树脂材料构成，硅酮属于硅胶的一种。但封止部材并非目标专利的透射层。 | 对比文件未公开透射层，即使封止部材包含硅胶，但其结构、位置和功能与目标专利的透射层不同，且未公开荧光材料层直接形成在透射层上。因此，特征S未公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<O>>><<<R>>><<<h>>>