对比文件名称：2009-09-16_CN101532636A_发明公开_CN101532636A 发光二极管芯片模块及光源模块
目标专利名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：专利分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《直接公开》 | 第一实施例：“发光二极管芯片模块200包括发光二极管芯片210”。（具体实施方式第一实施例） | 对比文件明确公开了发光二极管芯片，相当于目标专利的发光结构，作为发光器件的基本组成部分，作用相同，均为发光核心。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《隐含公开》 | 第一实施例：“第一半导体层276a与第二半导体层276b之间的P-N结所发出的光束214”。（具体实施方式第一实施例） | 对比文件公开了第一半导体层（类似第一导电半导体层）和第二半导体层（类似第二导电半导体层），但未明确提及“有源层”这一独立层。然而，本领域技术人员已知发光二极管通常包含有源层（如多量子阱）以实现高效发光，且P-N结必然包含发光复合区，因此可合理推断出对比文件的芯片结构中隐含存在有源层，该有源层被插入两层半导体层之间。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层《直接公开》 | 第一实施例：“增亮膜250配置于出光面212上”。（具体实施方式第一实施例） | 对比文件中的增亮膜位于发光芯片的出光面（即发光结构顶面）上，相当于目标专利的透射层，位于发光结构之上，用于透射光。虽然功能侧重略有不同（增亮膜主要聚光，透射层主要隔热），但位置关系直接公开，且均为透光层。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层《直接公开》 | 第一实施例：“荧光层260配置于增亮膜250上”。（具体实施方式第一实施例） | 对比文件明确将荧光层设置在增亮膜（透射层）上，与目标专利中荧光材料层位于透射层上完全一致，用于波长转换。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件中的荧光层为连续覆盖的层，未公开任何图案或构图结构。本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出荧光层具有图案。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且其中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件中荧光层完全覆盖透射层，未暴露透射层或发光结构；且发光结构仅与透射层和荧光层垂直重叠，但部分暴露特征完全缺失。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件中的荧光层仅位于发光芯片的上方，未延伸至发光结构的横向侧面。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《直接公开》 | 第一实施例：“增亮膜250具有面向发光二极管芯片210的第一表面256”。（具体实施方式第一实施例） | 增亮膜的第一表面面向芯片并直接设置于出光面（发光结构顶表面）上，即透射层的底表面设置在发光结构顶表面，与目标专利一致。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未提及增亮膜的任何厚度数值，本领域技术人员无法由此推断出该具体范围。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未提及荧光层的任何厚度数值，无法公开该范围。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未涉及任何构图工艺，也未提及荧光层面积与发光面积的比例关系。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开荧光材料层在发光结构横向侧面有任何图案。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开侧面荧光层厚度与顶部荧光层厚度的关系。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极《隐含公开》 | 第一实施例：“发光二极管芯片210包括第一电极272a、配置于第一电极层272a上的半导体基材274、配置于半导体基材274上的第一半导体层276a、配置于第一半导体层276a上的第二半导体层276b以及配置于第二半导体层276b上的第二电极272b”。（具体实施方式第一实施例） | 对比文件公开了第一电极272a位于发光结构（半导体基材及半导体层）下方，虽命名为“第一电极”，但该电极在发光结构下面的位置与目标专利的“第二电极”相同。本领域技术人员可以合理推断该底部电极相当于目标专利中的第二电极，且其功能为提供电连接。因此特征N被隐含公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件在发光结构顶表面仅有一个第二电极272b，未公开至少两个电极，且该电极为第二电极而非第一电极。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且其中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未公开荧光层具有任何图案，更无孔结构及重叠关系。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未明确发光结构与电极的宽度比较，且从附图看第二电极宽度小于发光结构，关系相反。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件在发光结构下为半导体基材（通常导电），未公开非导电衬底。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《未公开》 | 无相关描述。 | 对比文件未提及增亮膜的材料，更未指定为硅胶。 |
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