对比文件：2007-02-08_JP2007035802A_发明专利_JP2007035802A Light-emitting device
目标专利：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：DeepSeek Chat
| 技术特征 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 包括发光结构 [直接公开] | 对比文件第[2]段（实施例1）：“LED芯片10是发射蓝光的GaN基蓝色LED芯片，在蓝宝石基板11的主表面侧通过GaN基化合物半导体材料形成有发光部12”。 | 对比文件公开了LED芯片10，其发光部12即为发光结构，用于发射光，与目标专利发光结构功能相同，因此直接公开。 |
| B: 发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层 [直接公开] | 对比文件第[2]段（实施例1）：“发光部12具有双异质结构的层叠结构部”。 | 双异质结构必然包含有源层被夹在p型导电半导体层与n型导电半导体层之间，该结构直接对应第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层，因此直接公开。 |
| C: 发光结构上的透射层 [未公开] | 对比文件全文未提及透射层。 | 对比文件未公开任何位于发光结构上的透射层，也无类似层结构或功能描述。 |
| D: 透射层上的荧光材料层 [未公开] | 对比文件全文未提及透射层，且色转换构件40直接覆盖LED芯片或通过密封树脂接触，并非形成在透射层上。 | 由于对比文件缺乏透射层，无法公开荧光材料层形成在透射层上的结构。 |
| E: 荧光材料层包括图案 [未公开] | 对比文件全文未提及荧光材料层具有图案。 | 对比文件中的色转换构件40为连续穹顶形，厚度或浓度有变化，但无图案（如孔、间隙等），故未公开。 |
| F: 荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者 [未公开] | 对比文件全文未公开。 | 对比文件无透射层，且色转换构件完全覆盖LED芯片，无暴露部分，故未公开。 |
| G: 荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上 [隐含公开] | 对比文件第[2]段（实施例1）：“色转换构件40包围LED芯片10”。 | 色转换构件40围绕LED芯片，因此包含荧光材料的构件位于LED芯片的横向侧面，覆盖了侧面区域，可合理推断荧光材料层形成在横向侧面；尽管是整体构件，但功能上相当于形成在侧面的荧光材料层，故隐含公开。 |
| H: 透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上 [未公开] | 对比文件全文未提及透射层。 | 无透射层，故未公开。 |
| I: 透射层具有2μm至200μm的厚度 [未公开] | 对比文件全文未提及透射层厚度。 | 无透射层，故未公开。 |
| J: 荧光材料层具有5μm至500μm的厚度 [未公开] | 对比文件全文未提及荧光材料层或色转换构件的具体厚度数值范围。 | 对比文件未给出荧光材料层的厚度范围，故未公开。 |
| K: 在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光芯片的发光面积的30%至90%的范围内 [未公开] | 对比文件全文未提及构图工艺及面积比例。 | 对比文件无荧光材料层的构图工艺，也无面积比例范围，故未公开。 |
| L: 发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括所述图案 [未公开] | 对比文件全文未提及图案。 | 对比文件未公开横向侧面荧光材料层具有任何图案，故未公开。 |
| M: 发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小 [未公开] | 对比文件全文未提及该厚度关系，且无透射层。 | 无透射层，也无比较厚度关系，故未公开。 |
| N: 进一步包括发光结构下面的第二电极 [未公开] | 对比文件第[2]段（实施例1）公开了LED芯片具有阳极电极和阴极电极，但未说明位于发光结构下面。 | 对比文件中的LED芯片为水平结构，电极位于发光结构同一侧而非下方，未公开发光结构下面的第二电极。 |
| O: 在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极 [隐含公开] | 对比文件第[2]段（实施例1）：“阳极电极（未图示）和阴极电极（未图示）”。 | 对比文件公开了LED芯片具有阳极和阴极两个电极，本领域技术人员已知水平LED芯片的两个电极通常位于发光结构顶表面，因此可合理推断出至少两个第一电极在顶表面，故隐含公开。 |
| P: 荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠 [未公开] | 对比文件全文未提及。 | 对比文件无图案、无孔，也无垂直重叠描述，故未公开。 |
| Q: 发光结构的横向宽度比第二电极的小 [未公开] | 对比文件全文未提及。 | 对比文件未比较发光结构与第二电极的横向宽度，故未公开。 |
| R: 进一步包括在发光结构下的非导电衬底 [直接公开] | 对比文件第[2]段（实施例1）：“由蓝宝石基板构成的晶体生长用基板11”。 | 蓝宝石基板为非导电衬底，位于发光结构（发光部12）下方，直接公开。 |
| S: 透射层包括硅胶 [未公开] | 对比文件全文未提及透射层。 | 无透射层，故未公开。 |
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