对比文件的名称：2007-04-26_JP2007109948A_发明专利_JP2007109948A Light-emitting device and manufacturing method thereof
目标专利的名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：AI语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（日文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构《直接公开》 | 对比文件第[2]段在“（ＬＥＤ素子３１の構成）”部分记载：“ＬＥＤ素子３１は、ｐ側電極及びｎ側電極を有するフリップチップ型の青色ＬＥＤ素子からなる”。（译文：LED素子31由具有p侧电极和n侧电极的倒装芯片型蓝色LED素子构成） | 对比文件中的“LED素子31”即为发光结构，功能与本专利的发光结构相同，均用于发光。本领域技术人员可直接确定该特征被公开。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层《直接公开》 | 对比文件第[2]段在“（ＬＥＤ素子３１の構成）”部分记载：“ｎ型半導体（ｎ−ＧａＮ）層・発光層・ｐ型半導体（ｐ−ＧａＮ）層を順次結晶成長させる”。（译文：依次结晶生长n型半导体（n-GaN）层、发光层、p型半导体（p-GaN）层） | 对比文件明确公开了n型半导体层（第一导电半导体层）、发光层（有源层）、p型半导体层（第二导电半导体层），与本特征完全对应，直接公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层《直接公开》 | 对比文件第[2]段在“（封止部材８の構成）”部分记载：“封止部材８は、シリコーン等の光透過性樹脂材料からなり、前述したようにＬＥＤ素子３１を封止するように構成されている”。（译文：密封构件8由硅酮等光透过性树脂材料构成，如上所述被构造成密封LED素子31） | 对比文件中的封止部材8位于发光结构（LED素子31）上方，为光透过性材料，相当于本专利的透射层，同样起到透光及隔离作用，直接公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层《直接公开》 | 对比文件第[2]段在“（蛍光体層９の構成）”部分记载：“蛍光体層９は、ＬＥＤ素子３１からの光（青色光）を受けて励起されることにより、波長変換光（黄色光）を発するＹＡＧ等の蛍光体を含有するシリコーン等の光透過性樹脂材料によって形成されている。そして、前述したように封止部材８を覆うように構成されている”。（译文：荧光体层9由含有YAG等荧光体的硅酮等光透过性树脂材料形成，该荧光体接收来自LED素子31的光（蓝光）被激发而发出波长转换光（黄光）。并且，如上所述被构造成覆盖密封构件8） | 对比文件明确记载荧光体层9覆盖在封止部材8（透射层）上，与本特征“透射层上的荧光材料层”一致，直接公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案【未公开】 | 对比文件未记载荧光材料层具有图案。对比文件仅描述荧光体层9为均匀覆盖，没有提及任何图案化结构。 | 对比文件未公开荧光材料层包括图案的内容，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该特征。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者；并且中，所述发光结构被垂直地设置以与所述透射层和所述荧光材料层两者重叠【未公开】 | 对比文件未记载荧光材料层部分暴露透射层和发光结构。对比文件中的荧光体层9完全覆盖封止部材8，不暴露任何部分。 | 对比文件未公开该特征，荧光材料层为完全覆盖，无部分暴露，也不存在相应的垂直重叠关系。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上《直接公开》 | 对比文件第[2]段在“（蛍光体層９の構成）”部分记载：“蛍光体層９は…封止部材８を覆うように構成されている”；同时封止部材8覆盖LED素子31的整个暴露表面（包括横向侧面）。结合图1及制造方法，荧光体层9必然形成在LED素子31的横向侧面上。 | 对比文件中的封止部材8覆盖LED素子31的顶面和侧面，荧光体层9覆盖封止部材8，因此荧光材料层形成在发光结构的横向侧面区域（通过封止部材间接），与本特征实质相同，直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上《直接公开》 | 对比文件第[2]段记载封止部材8直接涂布在LED素子31上，例如“光透過性樹脂材料をＬＥＤ素子３１に塗布する”（制造方法部分）。 | 封止部材8（透射层）的底表面直接接触LED素子31的顶表面，与本特征一致，直接公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度【未公开】 | 对比文件未记载封止部材8的厚度数值或范围。 | 对比文件未公开透射层的具体厚度范围，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该数值范围。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度【未公开】 | 对比文件未记载荧光体层9的厚度数值或范围。 | 对比文件未公开荧光材料层的厚度范围，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出该数值范围。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内【未公开】 | 对比文件未涉及荧光材料层的构图工艺，也未提及保留面积的比例。 | 对比文件未公开任何构图工艺及面积比例，本特征未被公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案【未公开】 | 对比文件未记载荧光材料层在横向侧面处具有图案。 | 对比文件未公开荧光材料层包括图案，更未公开侧面处包括图案，本特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小【未公开】 | 对比文件未记载荧光材料层在侧面和顶面具有不同厚度，且荧光体层9厚度均匀。 | 对比文件未公开侧面处荧光材料层的厚度与顶面处厚度的关系，本特征未被公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极【未公开】 | 对比文件未公开位于发光结构（LED素子31）下面的第二电极。LED素子31通过凸块连接到基板，其底部为蓝宝石衬底，无电极。 | 对比文件没有公开在发光结构下方设置第二电极的结构，本特征未被公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极【未公开】 | 对比文件中的LED素子31为倒装芯片，其p侧电极和n侧电极位于底部（与基板连接），顶表面为出光面，无电极。 | 对比文件未公开在发光结构顶表面设置至少两个第一电极，本特征未被公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠【未公开】 | 对比文件未公开荧光材料层具有图案或孔。 | 对比文件未公开荧光材料层包括孔或任何垂直重叠关系，本特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小【未公开】 | 对比文件未公开第二电极，也未比较发光结构宽度与第二电极宽度。 | 对比文件未公开该特征，本特征未被公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底《直接公开》 | 对比文件第[2]段在“（ＬＥＤ素子３１の構成）”部分记载：“サファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板上にＡｌＮからなるバッファ層（図示せず）及びｎ型半導体層・発光層・ｐ型半導体層を順次結晶成長させる”。（译文：在蓝宝石（Al2O3）基板上依次结晶生长由AlN构成的缓冲层（未图示）及n型半导体层、发光层、p型半导体层） | 对比文件明确公开发光结构（LED素子）形成在蓝宝石基板上，蓝宝石为非导电衬底，与本特征直接对应，直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶《直接公开》 | 对比文件第[2]段在“（封止部材８の構成）”部分记载：“封止部材８は、シリコーン等の光透過性樹脂材料からなる”。（译文：密封构件8由硅酮等光透过性树脂材料构成） | 硅酮（シリコーン）即为硅胶，对比文件公开封止部材（透射层）包括硅胶，与本特征相同，直接公开。 |
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