对比文件名称：2007-07-05_JP2007518220A_发明专利_JP2007518220A Organic electroluminescent element
目标专利名称：1827有机发光器件及其制备方法CN102414295B
模型名称：无
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包含透明阳极作为第一电极；《直接公开》 | 对比文件[2]第53段：“約１０００Åの厚さのＩＴＯがコーティングされたガラス基板”；第5段：“前面発光型である場合には、前記導電層として透明物質だけでなく、光反射率に優れた不透明物質も使われうる。” | 对比文件明确公开了有机发光元件中阳极使用ITO透明导电层，该阳极作为第一电极是透明的，与目标专利的透明阳极完全一致，因此本领域技术人员能毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| **技术特征B**：包含透明阴极作为第二电极；《隐含公开》 | 对比文件[2]第5段：“負極または正極の導電層は、透明物質を含みうる。”以及“負極は、正極の導電層と同じ物質で形成されうる。” | 对比文件虽然实施例中阴极多使用不透明金属，但明确教导阴极可以包含透明物质，且可与阳极相同材料，因此本领域技术人员可以合理推断出阴极可以是透明阴极，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征C**：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层；《直接公开》 | 对比文件[2]第5段：“有機発光素子は、正極、負極及び前記正極と負極との間に位置するｐ型有機物層を備える。...前記ｐ型有機物層は、正孔注入層、正孔輸送層、または発光層を備える。”以及图3中EML 35。 | 对比文件明确公开了有机发光元件具有发光层，且该发光层位于阳极和阴极之间，与目标专利的特征C完全相同，直接公开。 |
| **技术特征D**：其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层；《直接公开》 | 对比文件[2]第5段：“正極３２は、正孔をＨＩＬ ３３、ＨＴＬ ３４、またはＥＭＬ ３５に正孔を輸送し、導電層３２ａ及びｎ型有機物層３２ｂを備える。” | 对比文件中的n型有机层（如HAT）直接位于阳极导电层上并与阳极接触，该层完全对应于目标专利的与第一电极接触的第一有机材料层，直接公开。 |
| **技术特征E**：所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层；未公开 | 对比文件[2]图3及描述：阴极37直接与ETL 36接触，未设置额外的有机材料层。 | 对比文件仅公开了阳极侧具有n型有机层，阴极侧未公开任何与阴极接触的有机材料层（如包含式1化合物的层），本领域技术人员无法从对比文件直接或间接得出该特征。 |
| **技术特征F**：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物；未公开 | 对比文件[2]第53段：“ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）”，该化合物属于式1范围，但仅用于阳极侧（第一有机材料层），未用于阴极侧。 | 特征F要求第一和第二有机材料层均包含式1化合物，对比文件仅公开了第一有机材料层包含HAT（式1化合物），未公开第二有机材料层包含式1化合物，因此该特征未被公开。 |
| **技术特征G**：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层；未公开 | 对比文件全文未公开包含n型掺杂剂的有机材料层，也未在发光层和阴极之间设置第三有机材料层。 | 对比文件未涉及任何n型掺杂剂，也未在发光层与阴极侧之间设置额外层，因此特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层；《直接公开》 | 对比文件[2]第5段：“ＮＰ接合が正極３２のｎ型有機物層３２ｂとｐ型ＨＩＬ ３３との間で形成される。”以及实施例中NPB作为p型HTL与HAT n型层接触。 | 对比文件明确公开了p型有机材料层（如HIL、HTL）位于发光层和阳极侧n型有机层之间，并且与n型有机层直接接触，形成NP结，完全对应目标专利的p型有机材料层，直接公开。 |
| **技术特征I**：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低；未公开 | 对比文件未公开第三有机材料层和第二有机材料层，因此未公开该能量差。 | 对比文件仅公开了阳极侧n型有机层LUMO与导电层费米能级及p型层HOMO的能量差，但未涉及阴极侧任何能量差，且特征I涉及器件中未公开的结构，因此未被公开。 |
| **技术特征J**：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高；《直接公开》 | 对比文件[2]第59段：“約５.４ｅＶのＨＯＭＯ準位を有する４,４'−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＢ）”。 | 对比文件使用的p型有机材料NPB的HOMO能级为5.4eV，明确大于5eV，符合特征J，直接公开。 |
| **技术特征K**：[式1]；《直接公开》 | 对比文件[2]第53段：“ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）”，其结构对应于目标专利式1-1。 | 对比文件明确公开了HAT化合物，其结构属于式1的范围，本领域技术人员能毫无疑义确定其结构，因此直接公开了式1的化合物。 |
| **技术特征L**：其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺；《隐含公开》 | 对比文件公开的HAT其R1-R6均为氰基，氰基属于特征L中列举的基团之一。 | 对比文件虽然没有直接公开式1的取代基定义，但公开了具体化合物HAT，其取代基选自氰基，属于特征L定义的一种情况，本领域技术人员可以合理推断出该特征的定义范围包含该具体选择，因此隐含公开。 |
| **技术特征M**：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料；未公开 | 对比文件未公开阴极侧第二有机材料层，更没有公开与阳极侧相同的材料。 | 对比文件未公开第二有机材料层，因此无法判断是否相同，该特征未被公开。 |
| **技术特征N**：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环；未公开 | 对比文件全文未公开n型掺杂剂。 | 对比文件未涉及任何n型掺杂剂，因此特征N未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%；未公开 | 对比文件全文未公开n型掺杂剂含量。 | 对比文件未公开n型掺杂剂及其含量，因此特征O未被公开。 |
| **技术特征P**：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团；未公开 | 对比文件全文未公开具有此类官能团的化合物作为n型掺杂层主体。 | 对比文件未公开具有咪唑、噁唑或噻唑官能团的化合物，因此特征P未被公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料；《直接公开》 | 对比文件[2]第5段：“前記導電層は、金属、金属酸化物または導電性ポリマーを含む。”以及实施例中ITO（约4.8eV）、Al（约4.2eV）等。 | 对比文件公开的阳极和阴极材料如ITO、Al等功函数均在2-6eV范围内，直接公开。 |
| **技术特征R**：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成；《直接公开》 | 对比文件[2]第5段：“負極は、正極の導電層と同じ物質で形成されうる。”以及“負極または正極の導電層は、透明物質を含みうる。” | 对比文件明确教导阴极可以与阳极导电层形成相同材料，因此公开了相同或不同金属氧化物的可能性，直接公开。 |
| **技术特征S**：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成；《直接公开》 | 对比文件[2]第5段：“負極は、正極の導電層と同じ物質で形成されうる。” | 对比文件明确公开阴极可以阳极导电层相同材料，直接公开。 |
| **技术特征T**：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料；《直接公开》 | 对比文件[2]第5段：“前面発光型である場合には、前記導電層として透明物質だけでなく、光反射率に優れた不透明物質も使われうる。”以及实施例中阳极使用ITO透明材料。 | 对比文件公开了阳极可以使用透明导电材料，因此至少一者透明，直接公开。 |
| **技术特征U**：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极；《直接公开》 | 对比文件图3及描述：基板31、正极32、有机层、负极37，典型底部阳极顶部阴极结构。 | 对比文件公开的有机发光元件通常为底部阳极、顶部阴极的结构，与特征U一致，直接公开。 |
| **技术特征V**：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层；未公开 | 对比文件[2]第5段：“正極３２は、導電層３２ａ及びｎ型有機物層３２ｂを備える。”未提及中间层。 | 对比文件公开的阳极结构中导电层直接接触n型有机层，未在界面设置金属薄膜或金属氧化物层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征W**：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层；未公开 | 对比文件未公开第二有机材料层和第三有机材料层，因此无此界面层。 | 对比文件未公开该特征所需的基础层结构，因此未公开。 |
| **技术特征X**：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤；未公开 | 对比文件制备方法中，直接形成导电层然后形成n型有机层，无中间层步骤。 | 对比文件未公开在阳极和n型有机层之间形成金属薄膜或金属氧化物层的步骤，因此未公开。 |
| **技术特征Y**：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤；未公开 | 对比文件未公开第二和第三有机材料层，因此无此步骤。 | 对比文件未公开该特征，因此未公开。 |
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