对比文件名称：2005-04-12_US6878469B_发明授权_US06878469B2 Material for transporting electrons and organic electroluminescent display using the same
目标专利名称：1827有机发光器件及其制备方法CN102414295B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包含透明阳极作为第一电极《直接公开》** | 段落[00113]：“在玻璃基板上涂覆厚度为1500 Å的ITO薄膜”；段落[00035]：“可以使用具有大功函数的材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等”。 | 对比文件明确公开了使用ITO作为透明阳极，因此技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：包含透明阴极作为第二电极《未被公开》** | 段落[00114]：“依次沉积厚度为5 Å的氟化锂和厚度为2500 Å的铝以形成阴极”。 | 对比文件仅公开了不透明的金属阴极（LIF/Al），未提及任何透明阴极材料，因此技术特征B未被公开。 |
| **技术特征C：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层《直接公开》** | 段落[00114]：“真空沉积厚度为300 Å的Alq3作为发光层”；段落[00020]描述了阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极的结构。 | 对比文件明确公开了发光层位于阳极和阴极之间，因此技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层《直接公开》** | 段落[00114]：“在制备好的ITO透明电极上，热真空沉积厚度为500 Å的六氰基六氮杂苯并菲以形成空穴注入层”。 | 对比文件明确公开了空穴注入层（第一有机材料层）直接与ITO阳极接触，因此技术特征D被直接公开。 |
| **技术特征E：所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层《直接公开》** | 段落[00114]：“在发光层上，真空沉积厚度为200 Å的化学式1-4化合物以形成电子注入和传输层；在该电子注入和传输层上依次沉积LIF和Al形成阴极”。 | 对比文件明确公开了电子传输层（第二有机材料层）与阴极直接接触，因此技术特征E被直接公开。 |
| **技术特征F：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物《未被公开》** | 段落[00114]：第一有机材料层使用HAT（六氰基六氮杂苯并菲），第二有机材料层使用化学式1-4化合物。HAT并非式1化合物。 | 对比文件中的第一有机材料层（空穴注入层）所采用的HAT不属于目标专利的式1化合物，且对比文件未教导或暗示将式1化合物用于第一有机材料层，因此技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层《未被公开》** | 全文未公开独立的包含n型掺杂剂的第三有机材料层。段落[00040]提到“用低功函数的导电金属掺杂电子传输层”是对电子传输层本身的掺杂，并非单独层。 | 对比文件没有公开位于发光层和第二有机材料层之间的独立的包含n型掺杂剂的有机材料层，其提及的掺杂是对电子传输层本身的掺杂，不具备独立层结构，且无具体实施，因此技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层《直接公开》** | 段落[00114]：“真空沉积厚度为600 Å的NPB作为空穴传输层”。该空穴传输层位于空穴注入层（第一有机材料层）和发光层之间，且与空穴注入层接触。 | 对比文件明确公开了空穴传输层（p型有机材料层）位于空穴注入层和发光层之间并与空穴注入层接触，因此技术特征H被直接公开。 |
| **技术特征I：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低《未被公开》** | 全文未提及任何LUMO能级或能级差值。 | 对比文件没有公开任何关于LUMO能级或能级差的信息，因此技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高《未被公开》** | 全文未提及HOMO能级数值。 | 对比文件没有公开任何关于HOMO能级的信息，因此技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K：[式1]《隐含公开》** | 对比文件公开了化学式1-5，例如化学式1-4（2-(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)-9,10-二苯基蒽）等具体化合物（见段落[00096]-[00100]等）。这些化合物落入目标专利式1的范围。 | 对比文件未直接给出目标专利的式1通式，但公开了具体化合物，这些化合物是式1的具体实例。根据宽松的隐含公开标准，本领域技术人员可以合理推断出式1的化合物，因此技术特征K被隐含公开。 |
| **技术特征L：其中R1至R6各自选自……《隐含公开》** | 段落[00012]定义了R1和R2为氢、C1-20脂肪烃、苯、萘、联苯、蒽、或衍生自芳杂环或芳环的基团；段落[00053]还提到R5可被C1-20烷基、烷氧基等取代，R6可被C1-20烷基、烷氧基等取代。这些定义与目标专利的部分选择重叠。 | 对比文件公开了部分与目标专利重叠的取代基定义，但未完全覆盖所有选项。根据宽松的隐含公开标准，本领域技术人员可以合理推断出这些基团属于目标专利的R1-R6定义，因此技术特征L被隐含公开。 |
| **技术特征M：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料《未被公开》** | 对比文件第一有机材料层为HAT，第二有机材料层为化学式1-4化合物，材料不同。 | 对比文件明确使用不同材料，且未教导或暗示使用相同材料，因此技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括……《未被公开》** | 段落[00040]提到“用低功函数的导电金属掺杂电子传输层”，但未具体列出碱金属、碱土金属、稀土金属、环戊二烯等。 | 对比文件虽提及掺杂金属，但未明确公开n型掺杂剂的具体种类，且未公开独立的n掺杂层，因此技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%《未被公开》** | 全文未提及掺杂剂含量。 | 对比文件没有公开任何掺杂剂含量范围，因此技术特征O未被公开。 |
| **技术特征P：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物：咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团《未被公开》** | 对比文件公开了具有咪唑基团的化合物（如化学式1-4）用于电子传输层，但该层不是n掺杂层。 | 对比文件虽然公开了具有咪唑基团的化合物，但未将其用于n掺杂层，且对比文件没有公开任何n掺杂层，因此技术特征P未被公开。 |
| **技术特征Q：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料《直接公开》** | 段落[00035]提到阳极材料如ITO具有大功函数；段落[00041]提到阴极材料如铝具有低功函数。本领域公知ITO功函数约4.8eV，铝约4.2eV，均在2-6eV范围。 | 对比文件公开了电极材料，本领域技术人员公知其功函数在2-6eV范围内，因此技术特征Q被直接公开。 |
| **技术特征R：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成《未被公开》** | 对比文件阳极是ITO（金属氧化物），阴极是铝（金属），不是金属氧化物。 | 对比文件阴极不是金属氧化物，因此技术特征R未被公开。 |
| **技术特征S：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成《未被公开》** | 对比文件阳极和阴极材料不同。 | 对比文件使用不同材料，因此技术特征S未被公开。 |
| **技术特征T：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料《直接公开》** | 对比文件阳极是透明的ITO。 | 对比文件公开了透明阳极，因此至少一电极透明，技术特征T被直接公开。 |
| **技术特征U：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极《直接公开》** | 段落[00020]描述了基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极，其中阳极在基板上（下电极），阴极在上。 | 对比文件公开了阳极作为下电极，阴极作为上电极，因此技术特征U被直接公开。 |
| **技术特征V：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层《未被公开》** | 对比文件实施例中，阳极和空穴注入层之间没有额外的层。 | 对比文件没有公开任何位于阳极和空穴注入层之间的金属或金属氧化物层，因此技术特征V未被公开。 |
| **技术特征W：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层《未被公开》** | 对比文件没有n掺杂层，也没有在电子传输层和阴极之间（除了LiF）有额外的金属氧化物层或金属盐层（LiF是电子注入层，位于电子传输层和阴极之间，并非位于第二有机材料层和n掺杂层之间）。 | 对比文件没有公开n掺杂层，因此不可能存在位于第二有机材料层和n掺杂层之间的层，技术特征W未被公开。 |
| **技术特征X：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤《未被公开》** | 对比文件无相应步骤。 | 对比文件没有公开在第一电极和第一有机材料层之间形成金属薄膜或金属氧化物层的步骤，因此技术特征X未被公开。 |
| **技术特征Y：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤《未被公开》** | 对比文件无相应步骤。 | 对比文件没有公开在第二有机材料层和n掺杂层之间形成金属氧化物层或金属盐层的步骤，因此技术特征Y未被公开。 |
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