对比文件名称：2007-05-10_WO2007052985A_发明申请_WO2007052985A1 ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
目标专利名称：1827有机发光器件及其制备方法CN102414295B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包含透明阳极作为第一电极《直接公开》 | 段落[68]：“阳极优选由功函数2-6eV的金属或金属氧化物构成，更优选ITO或IZO。”段落[96]：“在缓冲层上，通过溅射工艺形成IZO阳极。” | 对比文件明确公开了阳极由透明金属氧化物（IZO）形成，与目标专利的透明阳极相同，因此直接公开。 |
| 技术特征B：包含透明阴极作为第二电极《直接公开》 | 段落[73]：“本发明可应用于顶部发光结构或两者发光结构。”段落[99]：“实施例7采用阴极由薄Al膜（5nm）形成在ITO膜（150nm）上”以制备两者发光型器件。 | 对比文件公开了透明阴极（薄Al/ITO）用于双侧发光器件，与目标专利的透明阴极对应，因此直接公开。 |
| 技术特征C：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层《直接公开》 | 段落[91]-[92]：“在电子传输层上，共沉积Alq3发光主体和C545T形成厚度30nm的发光层。” | 对比文件明确公开了发光层位于阴极和阳极之间，因此直接公开。 |
| 技术特征D：包含与第一电极接触的第一有机材料层《直接公开》 | 段落[65]：“包含式3化合物的缓冲层优选形成为与阳极接触。”段落[96]：“在缓冲层上形成IZO阳极。” | 对比文件公开了与阳极（第一电极）接触的缓冲层，该缓冲层包含式3化合物（即目标专利式1化合物），与目标专利的第一有机材料层对应，因此直接公开。 |
| 技术特征E：包含与第二电极接触的第二有机材料层《未公开》 | 无直接公开。对比文件实施例中阴极与LiF层接触，LiF是无机材料，没有有机材料层直接接触阴极。段落[45]提到电子传输层可与低功函数金属共沉积，但未明确该层直接接触阴极。 | 对比文件没有公开任何有机材料层与阴极直接接触，所有实施例中阴极与LiF（无机物）接触，因此本特征未被公开。 |
| 技术特征F：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物《未公开》 | 第一有机材料层（缓冲层）包含式3（即式1）化合物，但第二有机材料层不存在，更未包含式1化合物。 | 对比文件仅公开了第一有机材料层包含式1化合物，没有公开第二有机材料层，因此不满足“第一和第二有机材料层包含式1化合物”，本特征未公开。 |
| 技术特征G：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层《未公开》 | 对比文件没有公开与第二电极接触的第二有机材料层，因此该层的位置关系无法对应。对比文件公开了电子传输层位于发光层和阴极之间，且可包含n型掺杂剂（段落[45]），但该层不是位于发光层和第二有机材料层之间。 | 由于第二有机材料层不存在，本特征整体未被公开。 |
| 技术特征H：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层《直接公开》 | 段落[92]：“在发光层上，沉积由NPB制成的空穴传输层，厚度40nm。在空穴传输层上，形成由HAT制成的空穴注入/缓冲层。” | 对比文件明确公开了空穴传输层（NPB）位于发光层和缓冲层之间，且与缓冲层接触，NPB属于p型有机材料，因此本特征被直接公开。 |
| 技术特征I：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低《未公开》 | 无相关数值公开。且第二有机材料层不存在，无法比较。 | 对比文件未公开任何能级差值，且未公开第二有机材料层，因此本特征未公开。 |
| 技术特征J：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高《隐含公开》 | 段落[92]使用NPB作为空穴传输层。NPB是本领域公知的空穴传输材料，其HOMO能级通常为5.4eV，属于5eV或更高。 | 对比文件使用了NPB，本领域公知NPB的HOMO能级约为5.4eV，满足≥5eV的要求，因此本特征被隐含公开。 |
| 技术特征K：[式1]《直接公开》 | 段落[47]-[50]公开了式3化合物，其结构与目标专利式1完全相同。 | 对比文件的式3与目标专利的式1具有相同的化学结构，因此直接公开。 |
| 技术特征L：其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺《直接公开》 | 段落[50]详细定义了R1至R6，与目标专利特征L的定义完全一致。 | 对比文件对R1-R6的定义与目标专利完全相同，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料《未公开》 | 对比文件仅公开了第一有机材料层（缓冲层）为式3化合物，未公开第二有机材料层，因此无法判断是否相同。 | 对比文件未公开第二有机材料层，更未公开两者材料相同，因此本特征未公开。 |
| 技术特征N：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料：碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环《直接公开》 | 段落[45]：“电子传输层可以通过将有机材料与低功函数金属共沉积形成，例如Li、Cs、Na、Mg、Sc、Ca、K、Ce、Eu或包含这些金属中至少一种的金属薄膜。” | 对比文件公开了碱金属、碱土金属、稀土金属作为n型掺杂剂，与本特征的内容一致，因此直接公开。 |
| 技术特征O：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%《未公开》 | 无具体含量数值公开。 | 对比文件未提及任何掺杂浓度范围，本领域技术人员无法直接或隐含得出1-50wt%的具体数值，因此本特征未公开。 |
| 技术特征P：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物：咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团《直接公开》 | 段落[22]：“有机材料层包括具有咪唑基、噁唑基或噻唑基的化合物。”段落[45]中电子传输层包含咪唑基化合物。 | 对比文件明确公开了第三有机材料层（电子传输层）包含具有咪唑、噁唑或噻唑基团的化合物，因此直接公开。 |
| 技术特征Q：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料《隐含公开》 | 段落[68]公开阳极功函数2-6eV。对于阴极，常用阴极材料如Al的功函数为4.28eV，在范围内。 | 对比文件公开了阳极功函数范围，阴极材料通常使用Al等，其功函数也在2-6eV内，因此本特征被隐含公开。 |
| 技术特征R：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成《未公开》 | 对比文件阳极使用金属氧化物（IZO或ITO），阴极在实施例中主要使用Al（金属）或Al/ITO复合，阴极不是纯金属氧化物。 | 对比文件没有公开阴极由金属氧化物形成，因此本特征未公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成《未公开》 | 对比文件中阳极和阴极通常材料不同（IZO vs Al），未公开相同材料。 | 对比文件未公开两个电极由相同材料形成，因此本特征未公开。 |
| 技术特征T：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料《直接公开》 | 段落[68]和[96]公开阳极使用IZO（透明），段落[99]公开阴极包含ITO（透明）。 | 对比文件公开了阳极包含透明材料（IZO），因此至少一者包含透明材料，直接公开。 |
| 技术特征U：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极《未公开》 | 对比文件的结构是倒置结构：阴极在下，阳极在上（段落[91]-[96]）。 | 对比文件公开的是倒置结构，而非目标专利的通常结构，因此本特征未公开。 |
| 技术特征V：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层《直接公开》 | 段落[72]：“可以在阳极和缓冲层之间额外形成具有绝缘性的薄氧化物膜。” | 对比文件明确公开了在阳极和缓冲层之间可形成薄氧化物膜，属于金属氧化物层，因此直接公开。 |
| 技术特征W：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层《未公开》 | 对比文件没有公开与第二电极接触的第二有机材料层，因此该层的位置不存在。虽然对比文件在阴极和电子传输层之间有LiF金属盐层，但该位置是第二电极和第三有机材料层之间，而不是第二有机材料层和第三有机材料层之间。 | 由于第二有机材料层不存在，本特征整体未被公开。 |
| 技术特征X：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤《直接公开》 | 段落[72]：“可以在阳极和缓冲层之间额外形成具有绝缘性的薄氧化物膜。” | 对比文件公开了形成薄氧化物膜的步骤，对应本特征，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤《未公开》 | 无对应公开。 | 与特征W类似，未公开。 |
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