对比文件名称：2007-09-13_WO2007102704A_发明申请_WO2007102704A1 OLED AND FABRICATING METHOD OF THE SAME
目标专利名称：1827有机发光器件及其制备方法CN102414295B
调用的模型名称：GPT-4o
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 包含透明阳极作为第一电极（直接公开） | 对比文件[88]段：“第一导电层可以优选由金属、金属氧化物或导电聚合物形成。”金属氧化物包括ITO，是透明材料。此外，[35]段：“第一导电层和第二导电层可以分别是阳极电极和阴极电极。” | 对比文件公开了第一导电层可以作为阳极，并且可以由透明金属氧化物如ITO形成，因此直接公开了透明阳极作为第一电极。 |
| B: 包含透明阴极作为第二电极（直接公开） | 对比文件[39]段：“第二导电层可以由铝(Al)、银(Ag)或透明电极材料如ITO形成。” | 对比文件明确公开了第二导电层可以由透明电极材料如ITO形成，因此直接公开了透明阴极作为第二电极。 |
| C: 包含置于第一电极和第二电极之间的发光层（直接公开） | 对比文件[3]段：“有机发光器件通常包括两个电极，以及插在阳极和阴极之间的有机材料层。”以及图2-4显示发光层。 | 对比文件公开了在阳极和阴极之间设置有机材料层，其中包括发光层，因此直接公开了发光层置于第一电极和第二电极之间。 |
| D: 其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层（直接公开） | 对比文件[52]段：“图案层(120)设置在第一导电层(110)和第二导电层(170)之间，即与第一导电层(110)接触。”[54]段：“图案层(120)可以由有机材料形成。优选地，图案层(120)可以是n型有机材料层。” | 对比文件公开了与第一导电层（阳极）接触的图案层，该图案层由有机材料形成，即与第一电极接触的第一有机材料层。因此直接公开。 |
| E: 所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层（直接公开） | 对比文件[77]段：“图案层(260)设置为与第二导电层(270)接触。”[80]段：“图案层可以由空穴阻挡层、电子传输层或电子注入层材料形成。”这些通常是有机材料。 | 对比文件公开了与第二导电层（阴极）接触的图案层，该图案层可以由有机材料（如电子注入层）形成，因此直接公开了与第二电极接触的第二有机材料层。 |
| F: 所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物（未公开） | 对比文件[54]段和[61]段公开了图案层（第一有机材料层）可以是n型有机材料层，包含式1化合物。但没有公开第二有机材料层包含式1化合物。 | 对比文件仅公开了第一有机材料层（阳极侧图案层）包含式1化合物，但未公开与第二电极接触的第二有机材料层也包含式1化合物。因此，特征F未被公开。 |
| G: 包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层（未公开） | 对比文件未提及任何n型掺杂剂或类似层。 | 对比文件没有公开任何包含n型掺杂剂的有机材料层，也没有公开在发光层和第二有机材料层之间设置这样的层。因此，特征G未被公开。 |
| H: 包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层（直接公开） | 对比文件[54]段：“图案层(120)可以是n型有机材料层，而与图案层(120)接触的空穴注入层(130)可以是p型有机材料层。”图2显示空穴注入层位于图案层和发光层之间。 | 对比文件公开了空穴注入层（p型有机材料层）位于发光层和图案层（第一有机材料层）之间，并与图案层接触。因此直接公开了特征H。 |
| I: 所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低（未公开） | 对比文件未公开第三有机材料层，也未公开第二有机材料层的LUMO能级及二者的能级差。 | 对比文件没有公开特征I所涉及的层结构和能级关系。因此，特征I未被公开。 |
| J: 所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高（未公开） | 对比文件未公开p型有机材料层的HOMO能级具体数值。 | 对比文件没有提供p型有机材料层（空穴注入层）的HOMO能级数值，因此未公开特征J。 |
| K: [式1]（直接公开） | 对比文件[59]-[61]段公开了式1及其子式1-1至1-6。 | 对比文件明确公开了与目标专利完全相同的式1化合物，因此直接公开。 |
| L: 其中R1至R6各自选自...（直接公开） | 对比文件[61]段定义了R1至R6，与目标专利特征L的表述一致。 | 对比文件公开了与目标专利完全相同的取代基定义，因此直接公开。 |
| M: 其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料（未公开） | 对比文件未公开第一有机材料层和第二有机材料层材料相同。 | 对比文件仅公开阳极侧图案层（第一有机材料层）为式1化合物，阴极侧图案层（第二有机材料层）未限定为相同材料，因此未公开特征M。 |
| N: 其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括...（未公开） | 对比文件未提及任何n型掺杂剂。 | 对比文件没有公开n型掺杂剂的具体种类，因此未公开特征N。 |
| O: 其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%（未公开） | 对比文件未提及n型掺杂剂含量。 | 对比文件没有公开n型掺杂剂的含量范围，因此未公开特征O。 |
| P: 其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自...官能团的化合物（未公开） | 对比文件未公开具有咪唑、噁唑、噻唑官能团的化合物。 | 对比文件没有公开第三有机材料层的具体化合物类型，因此未公开特征P。 |
| Q: 其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料（未公开） | 对比文件未公开电极材料的功函数数值范围。 | 对比文件虽然公开了电极材料如ITO、Al等，但未明确其功函数在2-6eV范围内，因此未公开特征Q。 |
| R: 其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成（未公开） | 对比文件公开了电极可以由金属氧化物如ITO形成，但未限定两个电极都必须是金属氧化物，也未限定相同或不同。 | 对比文件没有明确公开第一电极和第二电极由金属氧化物形成，更没有公开两者的关系，因此未公开特征R。 |
| S: 其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成（未公开） | 对比文件未公开两个电极材料相同。 | 对比文件中阳极和阴极通常采用不同材料（如阳极ITO，阴极Al），未公开两者相同，因此未公开特征S。 |
| T: 其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料（直接公开） | 对比文件[39]段和[88]段公开了透明电极如ITO可用于阳极或阴极。 | 对比文件公开了至少一个电极可以是透明材料（如ITO），因此直接公开了特征T。 |
| U: 其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极（直接公开） | 对比文件图2-4显示第一导电层在基底上，第二导电层在上方，且[35]段说明第一导电层可以是阳极，第二导电层可以是阴极。 | 对比文件公开了第一导电层（下电极）为阳极、第二导电层（上电极）为阴极的结构，因此直接公开了特征U。 |
| V: 进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层（未公开） | 对比文件未公开在阳极和图案层之间设置金属薄膜或金属氧化物层。 | 对比文件没有公开在阳极和第一有机材料层之间额外设置金属或其合金薄膜或金属氧化物层，因此未公开特征V。 |
| W: 进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层（未公开） | 对比文件未公开第三有机材料层，也未公开在第二有机材料层和第三有机材料层之间设置金属氧化物层或金属盐层。 | 对比文件未公开特征W所涉及的层结构，因此未公开。 |
| X: 进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤（未公开） | 对比文件的方法未包括形成该层的步骤。 | 对比文件的方法中没有公开在阳极和第一有机材料层之间形成金属或金属氧化物层的步骤，因此未公开特征X。 |
| Y: 进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤（未公开） | 对比文件的方法未包括形成该层的步骤。 | 对比文件的方法中没有公开在第二有机材料层和第三有机材料层之间形成金属氧化物或金属盐层的步骤，因此未公开特征Y。 |
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