本次调用的模型名称：AI模型
对比文件名称：2007-12-24_KR1020070120424A_发明公开_KR1020070120424A 반도체 발광소자 및 그 제조방법
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：第一支撑构件**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件涉及单个半导体发光元件，其支撑基板（2）是每个元件自身的导电支撑基板，并非用于支撑多个发光器件的公共基底片（如目标专利的基底片230）。对比文件未记载任何相当于第一支撑构件的结构，本领域技术人员不能从对比文件直接且毫无疑义地得出该特征，也不能合理推断出该特征。 |
| **技术特征B：至少两个结合层**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件中的接合金属层（4,5）用于将发光半导体区域（1）与支撑基板（2）接合，而非用于将第二支撑构件固定到第一支撑构件上的结合层（如目标专利的结合层170）。对比文件未公开至少两个用于固定到第一支撑构件的结合层，因此未公开该特征。 |
| **技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 基于特征A和B未公开，该特征也未被公开。对比文件无任何第一支撑构件，亦无布置在其上的结合层。 |
| **技术特征D：第二支撑构件**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[28]：“도 1에 나타낸 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 발광소자로서의 발광 다이오드는, 크게 나누면, 발광 반도체영역(1), 도전성을 가지는 지지기판(2), 광반사 금속층(3), 제1 및 제2 접합 금속층(4, 5), 본 발명에 따른 마이그레이션 억제층(6), 제1 전극(7), 및 제2 전극(8)으로 이루어진다.” 翻译：图1所示的本发明实施例1的半导体发光元件作为发光二极管，大致由发光半导体区域(1)、具有导电性的支撑基板(2)、光反射金属层(3)、第一和第二接合金属层(4,5)、本发明的迁移抑制层(6)、第一电极(7)和第二电极(8)构成。 | 对比文件明确公开了“具有导电性的支撑基板(2)”，该支撑基板用于支撑发光半导体区域并作为电极，对应于目标专利的导电支撑基板（第二支撑构件）。该支撑基板在结构和功能上与目标专利的第二支撑构件相同，因此被直接公开。 |
| **技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何结合层，其支撑基板（2）通过接合金属层（4,5）直接与发光半导体区域连接，而不是布置在结合层上。因此该特征未公开。 |
| **技术特征F：发光结构**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[29]：“발광 반도체영역(1)은, 더블 헤테로 접합 구조의 발광 다이오드를 구성하기 위해, 일반적으로 ｐ형 클래드층이라 불리는 ｐ형 반도체층(9), 활성층(10), 그리고 일반적으로 ｎ형 클래드층이라 불리는 ｎ형 반도체층(11)을 가지고 있다.” 翻译：发光半导体区域(1)具有构成双异质结结构的发光二极管，通常称为p型包层的p型半导体层(9)、活性层(10)、以及通常称为n型包层的n型半导体层(11)。 | 对比文件公开了发光半导体区域（1），包括p型半导体层、活性层、n型半导体层，该区域用于产生光，对应于目标专利的发光结构。因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[51]：“그런 다음, 도 6에 나타낸 바와 같이 제1 및 제2 접합 금속층(4, 5)을 맞대어 열압착시킴으로써 제1 및 제2 접합 금속층(4, 5)의 일체화, 즉 접합을 달성한다.” 翻译：然后，如图6所示，将第一和第二接合金属层(4,5)对接并热压，从而实现第一和第二接合金属层的一体化，即接合。结合图6及[28]可知，发光半导体区域(1)通过接合金属层固定于支撑基板(2)上。 | 对比文件通过接合工艺将发光半导体区域（发光结构）固定在支撑基板（第二支撑构件）上，明确公开了发光结构布置在第二支撑构件上，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[29]（同上）公开了n型半导体层(11)或p型半导体层(9)作为第一导电类型半导体层（取决于极性）。 | 对比文件公开了发光半导体区域包含n型半导体层（或p型半导体层），该层具有第一导电类型，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征I：第二导电类型半导体层**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[29]（同上）公开了p型半导体层(9)（或n型半导体层）作为第二导电类型半导体层。 | 对比文件公开了发光半导体区域包含p型半导体层，该层具有第二导电类型，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[29]（同上）公开了活性层(10)位于p型半导体层(9)和n型半导体层(11)之间。 | 对比文件明确公开了活性层（有源层）布置在p型层和n型层之间，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征K：第一电极**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[28]（同上）公开了“제1 전극(7)”（第一电极）。 | 对比文件直接公开了第一电极（7），因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[44]：“캐소드 전극으로서 기능하는 제1 전극(7)은, 발광 반도체영역(1)의 일측 주면(12)의 일부에 접속되어 있다.” 翻译：作为阴极电极的第一电极(7)连接在发光半导体区域(1)的一侧主面(12)的一部分上。 | 对比文件明确公开了第一电极连接在发光半导体区域的主面上，即布置在发光结构上，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件仅涉及单个发光元件，未提及多个发光器件及其第二支撑构件之间的连接，也未公开任何用于连接相邻第二支撑构件的金属层，因此该特征未公开。 |
| **技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何结合层，也未公开任何层的边缘相对于发光结构边缘的位置关系，因此该特征未公开。 |
| **技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何结合层，也未提及任何凹凸结构，因此该特征未公开。 |
| **技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开第一支撑构件，也未公开任何凹凸结构形成在支撑构件表面，因此该特征未公开。 |
| **技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开任何用于连接相邻第二支撑构件的金属层，也未公开其组成与第二支撑构件相同，因此该特征未公开。 |
| **技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开结合层，也未公开相关金属层的组成关系，因此该特征未公开。 |
| **技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同**<br>公开性判断：未公开 | 对比文件无相关公开内容。 | 对比文件未公开相关金属层，亦未公开其组成与发光结构相同，因此该特征未公开。 |
| **技术特征T：进一步包括**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[67]：“투광성 도전체층(22)은 예컨대 ITO(인듐·주석·옥사이드)로 이루어지며, 발광 반도체영역(1)과 광반사 금속층(3)의 양쪽에 저(低)저항 접촉하고 있다.” 翻译：透明导电层(22)例如由ITO(铟锡氧化物)形成，并与发光半导体区域(1)和光反射金属层(3)两者低电阻接触。 | 对比文件在实施例3中公开了透明导电层（相当于欧姆层），即进一步包括欧姆层，因此该特征被直接公开（开放式特征，对比文件包含该进一步特征）。 |
| **技术特征U：欧姆层**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[67]（同上）公开了透明导电层(22)作为欧姆接触层。 | 对比文件明确公开了透明导电层，该层与发光半导体区域和光反射金属层形成低电阻接触，起到欧姆层的作用，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[67]及[28]：透明导电层(22)位于发光半导体区域(1)（其p型层为第二导电类型半导体层）和光反射金属层(3)之间，而光反射金属层(3)通过接合金属层(4,5)连接至支撑基板(2)（第二支撑构件）。因此透明导电层整体位于p型层和支撑基板之间。 | 从对比文件公开的结构可知，透明导电层（欧姆层）布置在p型半导体层（第二导电类型半导体层）和支撑基板（第二支撑构件）之间，虽然中间有光反射金属层和接合层，但位置关系明确，该特征被直接公开。 |
| **技术特征W：进一步包括**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[28]（同上）公开了“광반사 금속층(3)”（光反射金属层）。 | 对比文件在基础结构上进一步包括光反射金属层（反射层），因此该特征被直接公开（开放式特征，对比文件包含该进一步特征）。 |
| **技术特征X：反射层**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[28]（同上）公开了“광반사 금속층(3)”。 | 对比文件明确公开了光反射金属层，用于反射从活性层发出的光，对应于目标专利的反射层，因此该特征被直接公开。 |
| **技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间**<br>公开性判断：《直接公开》 | 对比文件[67]及[28]：光反射金属层(3)位于透明导电层(22)（欧姆层）和接合金属层(4,5)之间，而接合金属层(4,5)连接至支撑基板(2)（第二支撑构件）。因此光反射金属层整体位于欧姆层和第二支撑构件之间。 | 从对比文件实施例3的结构可知，光反射金属层（反射层）布置在透明导电层（欧姆层）和支撑基板（第二支撑构件）之间，虽然中间有接合层，但位置关系明确，该特征被直接公开。 |
<<<D>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<I>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>><<<X>>><<<Y>>>