对比文件名称：2005-09-29_JP2005268642A_发明专利_JP2005268642A Method for forming light emitting diode having metallic base
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件——《未公开》 | 对比文件【002】公开了“臨時ベース（１０）”，即临时基底，用于在制造过程中支撑外延层，并在后续步骤中被移除。 | 目标专利的第一支撑构件（基底片230）是发光器件阵列的组成部分，用于固定器件并最终保留在阵列中。对比文件的临时基底是临时结构，制造后被完全移除，不构成最终产品中的支撑构件，且作用不同，故未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层——《未公开》 | 对比文件【002】未公开结合层，金属永久基底（20）直接形成在导电促进层（16）上，或通过电镀、蒸镀等工艺直接形成。 | 目标专利的结合层（170）用于将第二支撑构件（导电支撑基板）固定到第一支撑构件（基底片）。对比文件采用金属永久基底直接形成，无需额外的结合层，未公开该特征。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上——《未公开》 | 对比文件【002】未公开结合层及其布置。 | 结合层未公开，故该特征未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“金属永久ベース（２０）”，即金属永久基底，作为支撑结构，并描述其材料如Ag、Ni、Cu、Au等，厚度为10-300微米。 | 目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板160）用于支撑发光结构且作为电极。对比文件的金属永久基底具有相同的支撑和导电功能，直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上——《未公开》 | 对比文件【002】未公开结合层，金属永久基底直接形成在导电促进层上。 | 结合层未公开，故该特征未公开。 |
| 技术特征F：发光结构——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“エピタキシャル層（１２）は、N-エピタキシャル層、活性層及びP-エピタキシャル層を順に含む”，即外延层依次包括N-外延层、活性层和P-外延层。 | 目标专利的发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。对比文件的外延层构成完全相同，直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上——《直接公开》 | 对比文件【002】图2A-2G及描述公开：外延层（12）形成在临时基底（10）上，然后依次形成第一电极层（14）、导电促进层（16）和金属永久基底（20），移除临时基底后，外延层位于金属永久基底上。 | 目标专利中发光结构布置在第二支撑构件上。对比文件的外延层最终位于金属永久基底上，实质相同，直接公开。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“N-エピタキシャル層”，即N-外延层。 | 目标专利的第一导电类型半导体层（如n型）。对比文件的N-外延层直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“P-エピタキシャル層”，即P-外延层。 | 目标专利的第二导电类型半导体层（如p型）。对比文件的P-外延层直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“活性層”，即活性层，位于N-外延层和P-外延层之间。 | 目标专利的有源层位于第一和第二导电类型半导体层之间。对比文件的活性层位置相同，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“第一電極層（１４）”，即第一电极层，形成在外延层（12）上。 | 目标专利的第一电极（190）布置在发光结构上。对比文件的第一电极层直接形成在外延层上，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“第一電極層（１４）が、エピタキシャル層（１２）上に形成される”，即第一电极层形成在外延层上。 | 直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接——《未公开》 | 对比文件【002】中，分割步骤沿分割点线（30）将金属永久基底（20）、导电促进层（16）等完全分割，形成独立器件，未公开连接相邻器件的金属层。 | 目标专利的金属层（160a）用于连接相邻器件的第二支撑构件。对比文件完全分离器件，未公开任何连接结构，故未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米——《未公开》 | 对比文件【002】未公开结合层及边缘位置。 | 未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构——《未公开》 | 对比文件【002】未公开结合层及凹凸结构。 | 未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上——《未公开》 | 对比文件【002】未公开凹凸结构，临时基底表面通常为平整表面。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同——《未公开》 | 对比文件【002】未公开连接金属层，第二支撑构件为金属永久基底，但无连接层，故无组成比较。 | 未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同——《未公开》 | 对比文件未公开结合层及金属层。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同——《未公开》 | 对比文件【002】未公开金属层包含发光结构材料（如半导体材料）。 | 未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“第一電極層（１４）”，该层作为欧姆接触层，实现了“进一步包括欧姆层”的技术特征。 | 目标专利的“进一步包括欧姆层”被对比文件公开的第一电极层（欧姆层）所公开，直接公开。 |
| 技术特征U：欧姆层——《直接公开》 | 对比文件【002】公开了“第一電極層（１４）は、エピタキシャル層（１２）と、接触が良好なオーム接触を示す”，即第一电极层与外延层表现出良好的欧姆接触。 | 目标专利的欧姆层（143）用于改善欧姆接触。对比文件的第一电极层具有相同的欧姆接触功能，直接公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间——《直接公开》 | 对比文件【002】中，第一电极层（14）形成在P-外延层（116）上，导电促进层（16）形成在第一电极层上，金属永久基底（20）形成在导电促进层上，因此第一电极层位于P-外延层和金属永久基底之间。 | 目标专利的欧姆层位于第二导电类型半导体层（P型层）和第二支撑构件之间。对比文件的第一电极层（欧姆层）位置类似，直接公开。 |
| 技术特征W：进一步包括——《未公开》 | 对比文件【002】未公开反射层。 | 未公开。 |
| 技术特征X：反射层——《未公开》 | 对比文件【002】未公开反射层，第一电极层材料为NiO/Au等，不具有高反射性，且未提及反射功能。 | 目标专利的反射层（146）用于反射光。对比文件未公开任何反射层，故未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间——《未公开》 | 对比文件【002】未公开反射层。 | 未公开。 |
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