对比文件名称：2008-11-19_EP1993152A_发明公开_EP1993152A2 Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：gpt-4-0613
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件 《未公开》 | 对比文件未公开第一支撑构件。对比文件[0052]提及“erster elektrischer Anschluss 2”（第一电连接），用于支撑单个半导体器件，但并非用于支撑多个发光器件的基底片。 | 目标专利的第一支撑构件（基底片）用于支撑多个发光器件，具有粘附性质并承载多个结合层。对比文件中的第一电连接是引线框的一部分，功能为电连接和固定单个芯片，与目标专利的基底片作用不同，且未暗示任何阵列结构。因此，本领域技术人员不能从对比文件直接或隐含得到该特征。 |
| 技术特征B：至少两个结合层 《未公开》 | 对比文件未公开多个结合层。对比文件[0052]使用“elektrisch leitenden Verbindungsmittels, z. B. ein metallisches Lot oder ein Klebstoff”（导电连接装置，例如金属焊料或粘合剂）将芯片连接到第一电连接，但仅为一个连接层。 | 目标专利要求至少两个结合层分别对应不同器件，用于将第二支撑构件固定到第一支撑构件。对比文件仅公开单个连接材料用于固定单个芯片，无任何多个结合层的暗示，也未涉及阵列布局。因此，未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上 《未公开》 | 同上，对比文件未公开第一支撑构件和多个结合层。 | 由于特征A和B均未公开，该组合特征自然未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件 《未公开》 | 对比文件未公开第二支撑构件。对比文件[0050]提及“Substrat 18”（衬底），例如SiC，但该衬底是生长衬底，并非通过结合层固定的导电支撑基板。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板，用于支撑发光结构并作为电极，且通过结合层固定于第一支撑构件。对比文件中的衬底是外延生长用基底，未设结合层，功能不同。因此，未公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上 《未公开》 | 同上，未公开。 | 由于D和B未公开，E未公开。 |
| 技术特征F：发光结构 《直接公开》 | [0049]：“weist ein Halbleiterkörper 1 einen Rückseitenkontakt 11, einen Vorderseitenkontakt 12 und eine sich aus einer Anzahl von unterschiedlichen Schichten zusammensetzende Schichtenfolge 7 auf, die im Betrieb des Halbleiterbauelements mindestens eine eine Strahlung aussendende aktive Zone besitzt.”（半导体芯片1具有背面接触11、正面接触12和由多个不同层组成的层序列7，该层序列在器件运行时具有至少一个发射辐射的有源区。）[0050]进一步详细描述了包括n型和p型层的具体层叠结构。 | 对比文件明确公开了发光结构（半导体层序列），该层序列包含有源区，与目标专利的发光结构（包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和有源层）实质相同。因此，直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上 《未公开》 | 对比文件未公开第二支撑构件。发光结构（半导体层）布置在衬底18上，而非目标专利的第二支撑构件。 | 目标专利的发光结构布置在第二支撑构件（导电支撑基板）上，而对比文件的发光结构布置在生长衬底上，该衬底并非目标专利意义上的第二支撑构件。因此，未公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层 《直接公开》 | [0050]：“einer n-leitenden GaN-Schicht 20, einer n-leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 21, einer weiteren n-leitenden GaN- oder einer GaxIn1-xN-Schicht 22”（n型GaN层、n型GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层、另一n型GaN或GaxIn1-xN层）。 | 对比文件明确公开了n型半导体层，对应于目标专利的第一导电类型半导体层（通常为n型）。因此，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层 《直接公开》 | [0050]：“einer p-leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 23 und einer p-leitenden GaN-Schicht 24”（p型GaxAl1-xN或GaxIn1-xN层和p型GaN层）。 | 对比文件明确公开了p型半导体层，对应于目标专利的第二导电类型半导体层。因此，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层 《直接公开》 | [0049]：提到“aktive Zone”（有源区），并且根据[0050]描述的层结构，有源区必然位于n型和p型层之间。 | 对比文件公开了有源区，且本领域技术人员知晓在LED结构中该有源区位于n型和p型层之间。因此，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极 《直接公开》 | [0049]：“Vorderseitenkontakt 12”（正面接触12）。 | 对比文件明确公开了正面接触作为电极。因此，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上 《直接公开》 | [0049]：Vorderseitenkontakt 12位于半导体芯片上，图1可见其布置在发光结构上表面。 | 对比文件明确正面接触布置在发光结构上。因此，直接公开。 |
| 技术特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻发光器件的第二支撑构件连接 《未公开》 | 对比文件未公开多个发光器件，未公开金属层连接。 | 目标专利涉及阵列中相邻器件通过金属层连接第二支撑构件。对比文件仅描述单个器件，无任何阵列或金属层连接结构。因此，未公开。 |
| 技术特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米 《未公开》 | 对比文件未公开结合层及该尺寸关系。 | 对比文件无结合层概念，更无相关尺寸限定。因此，未公开。 |
| 技术特征O：结合层包括凹凸结构 《未公开》 | 对比文件未公开结合层凹凸结构。 | 无相关公开。 |
| 技术特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无相关公开。 |
| 技术特征Q：金属层的组成的至少预定部分与第二支撑构件的组成相同 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无相关公开。 |
| 技术特征R：金属层的组成的至少预定部分与结合层的组成相同 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无相关公开。 |
| 技术特征S：金属层的组成的至少预定部分与发光结构的组成相同 《未公开》 | 对比文件未公开。 | 无相关公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（引出U、V） | — | 过渡语，不单独判断。 |
| 技术特征U：欧姆层 《未公开》 | 对比文件未明确公开欧姆层。对比文件[0050]提及“Kontaktmetallisierung 27, 28”（接触金属化），但未提及其成分或功能为欧姆层。 | 目标专利的欧姆层是特定透明导电层（如ITO），用于改善欧姆接触，位于第二导电类型半导体层与第二支撑构件之间。对比文件未公开此类层，也未公开其位置。因此，未公开。 |
| 技术特征V：欧姆层被布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间 《未公开》 | 对比文件未公开第二支撑构件，故无法判断位置。 | 由于第二支撑构件未公开，且欧姆层未明确公开，该特征未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（引出X、Y） | — | 过渡语。 |
| 技术特征X：反射层 《未公开》 | 对比文件未公开反射层。 | 目标专利的反射层（如Al、Ag）用于反射有源层的光。对比文件未提及任何反射层。因此，未公开。 |
| 技术特征Y：反射层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间 《未公开》 | 同上。 | 未公开。 |
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