对比文件名称：2004-09-30_DE29724847U_发明专利_DE29724847U1 Light-emitting semiconductor component with luminescence conversion element
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件图1显示，半导体芯片1通过导电连接材料（例如金属焊料或粘合剂）安装在第一电连接2上；图3示出基础壳体8，其具有凹口9，芯片安装在凹口内。 | 目标专利的第一支撑构件是基底片，用于通过结合层支撑多个发光器件，并可在制造过程中临时支撑。对比文件的第一电连接或基础壳体是单个芯片的安装和电连接部件，不具备支撑多个发光器件的功能，且未公开结合层，因此不能直接或隐含地得出该特征。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件图1中，芯片1通过焊料或粘合剂（Lot oder Klebstoff）固定在电连接2上，该材料用于固定芯片并提供电连接。 | 目标专利的结合层用于将第二支撑构件（导电支撑基板）结合到第一支撑构件，且为至少两个（对应多个发光器件）。对比文件中的焊料/粘合剂仅用于单个芯片安装，且未限定为多个，也未公开与第二支撑构件的连接关系，因此未公开。 |
| 技术特征C：至少两个结合层被布置在第一支撑构件上（未公开） | 同特征B，焊料布置在第一电连接2上，但仅涉及单个芯片。 | 对比文件未公开多个结合层布置在第一支撑构件上的结构，也未公开第一支撑构件（如基底片），因此未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（未公开） | 对比文件图9示出半导体芯片包括衬底18（例如SiC），该衬底是芯片的支撑部分。 | 目标专利的第二支撑构件是导电支撑基板（如Mo、Si、W、Cu等金属），用作电极和散热，并通过结合层连接。对比文件的衬底是生长衬底，不是附加的导电支撑基板，且未与结合层连接，因此未公开。 |
| 技术特征E：第二支撑构件被布置在至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开结合层，也未公开第二支撑构件布置在结合层上。 | 由于特征B和D未公开，特征E自然未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | 说明书第[0021]段（图1描述）："半导体芯片1具有由多个不同层组成的层序列7，该层序列在半导体组件操作中至少具有一个发射辐射的活性区。" 图9描述：包括n型GaN层、p型GaN层和活性区。 | 对比文件公开了具有多层层序列的半导体芯片，该层序列包括发射辐射的活性区，即发光结构。与目标专利的发光结构（包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和有源层）实质相同，功能均为发射光，因此直接公开。 |
| 技术特征G：发光结构被布置在第二支撑构件上（未公开） | 对比文件图9中，层序列形成在衬底18上。 | 衬底18不是目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板），对比文件未公开发光结构布置在导电支撑基板上，因此未公开。 |
| 技术特征H：第一导电类型半导体层（直接公开） | 图9描述："n型GaN层20，n型Ga_xAl_1-xN层21，以及另一n型GaN或Ga_xIn_1-xN层22"。 | 对比文件明确公开了n型半导体层，对应于第一导电类型半导体层（n型），因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | 图9描述："p型Ga_xAl_1-xN或Ga_xIn_1-xN层23，p型GaN层24"。 | 对比文件明确公开了p型半导体层，对应于第二导电类型半导体层，因此直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | 说明书第[0021]段提到"活性区（aktive Zone）"，其在层序列中位于n型和p型层之间。 | 对比文件公开了位于n型和p型层之间的活性区，即目标专利的有源层，功能相同（发射光），因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | 图1示出"正面接触12"和"背面接触11"；图9示出"接触金属化27、28"。 | 对比文件公开了设置在半导体芯片上的电极，用于电连接，因此直接公开（电极的具体位置可根据半导体类型确定，但存在电极是明确的）。 |
| 技术特征L：第一电极被布置在发光结构上（直接公开） | 图9显示接触金属化27直接布置在p型GaN层24上。 | 对比文件中的电极直接布置在半导体层上，与目标专利的第一电极布置在发光结构上一致，因此直接公开。 |
| 技术特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开多个发光器件，也未公开金属层连接相邻器件。 | 对比文件仅涉及单个发光器件，没有阵列概念，因此未公开该特征。 |
| 技术特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层，也未公开边缘位置关系。 | 对比文件没有结合层，因此未公开。 |
| 技术特征O：结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层及凹凸结构。 | 特征O未公开。 |
| 技术特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件和凹凸结构。 | 特征P未公开。 |
| 技术特征Q：金属层的组成的至少预定部分与第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和第二支撑构件。 | 对比文件没有金属层连接结构和第二支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征R：金属层的组成的至少预定部分与结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层和结合层。 | 特征R未公开。 |
| 技术特征S：金属层的组成的至少预定部分与发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层，发光结构为半导体材料，金属层通常为金属，组成不同。 | 对比文件没有金属层，且组成不同，因此未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开后续的欧姆层等特征。 | 目标专利的“进一步包括”引导欧姆层，但对比文件未公开欧姆层，因此该特征未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件未公开欧姆层（如透明导电氧化物层）。 | 对比文件没有描述任何相当于欧姆层的层，因此未公开。 |
| 技术特征V：欧姆层被布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开欧姆层和第二支撑构件。 | 由于特征U和D未公开，特征V未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开后续的反射层等特征。 | 特征W未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未公开反射层（如Al、Ag等金属层）。 | 对比文件没有描述专门用于反射的层，因此未公开。 |
| 技术特征Y：反射层被布置在欧姆层和第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开反射层、欧姆层和第二支撑构件。 | 由于特征U、X、D未公开，特征Y未公开。 |
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