对比文件名称：2007-04-05_US2007077673A_发明申请_US20070077673A1 Method for manufacturing vertically structured light emitting diode
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：资深专利代理师模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件。 | 对比文件没有公开相当于目标专利中基底片（第一支撑构件）的结构。对比文件中的第一镀层136是在器件制造过程中形成的金属层，用于连接器件区域并起支撑作用，但该镀层属于器件的一部分，并非用于支撑整个阵列的独立支撑构件。因此，未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件没有公开任何结合层。目标专利的结合层170用于将第二支撑构件固定到第一支撑构件，而对比文件通过电镀形成第一镀层和第二镀层，无需额外的结合层。因此，未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开结合层和第一支撑构件。 | 由于对比文件未公开结合层和第一支撑构件，故该特征未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《直接公开》 | 段落[0046]：“the first and second plating layers 136 and 156 act as a supporting substrate”；段落[0051]：“the metallic material, i.e., the second conductive layer 156, formed through the plating process is used as the conductive substrate of the individual LEDs”。 | 对比文件明确公开了第二镀层156作为导电支撑衬底（第二支撑构件），用于支撑发光结构。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件没有结合层，第二镀层156是直接形成在第一镀层136上，而不是结合层上。因此，未公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | 段落[0037]：“an n-type clad layer 115a, an active layer 115b and a p-type clad layer 115c are sequentially formed on a sapphire substrate 101, so as to obtain a light-emitting structure 115”。 | 对比文件直接公开了包括n型层、有源层、p型层的发光结构115。因此，直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《直接公开》 | 段落[0046]提到第一和第二镀层起支撑作用；结合图8-11，发光结构115通过p电极和第一镀层与第二镀层156连接，最终器件中发光结构位于第二镀层之上。 | 对比文件公开了发光结构115由第二镀层156支撑，即发光结构布置在第二支撑构件上。因此，直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层《直接公开》 | 段落[0037]：“an n-type clad layer 115a” | 对比文件公开了n型层115a，相当于第一导电类型半导体层。因此，直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 段落[0037]：“p-type clad layer 115c” | 对比文件公开了p型层115c，相当于第二导电类型半导体层。因此，直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | 段落[0037]：“active layer 115b” | 对比文件公开了有源层115b位于n型层和p型层之间。因此，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | 段落[0048]：“an n-electrode 119 is formed on the exposed n-type clad layer 115a” | 对比文件公开了n电极119形成在n型层上，相当于第一电极。因此，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | 段落[0048]：“an n-electrode 119 is formed on the exposed n-type clad layer 115a” | 对比文件公开了n电极形成在发光结构的n型层上，即第一电极布置在发光结构上。因此，直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接《直接公开》 | 段落[0040]：“a first plating layer 136 is formed on the p-electrode 106 and the device isolation region B such that it connects the plurality of device regions A.” 段落[0042]：“the first plating layer 136 may be coated on the entire surface including all the device regions A and the device isolation region B.” | 对比文件公开了第一镀层136连接多个器件区域，从而连接了形成在其上的第二镀层156（第二支撑构件）。因此，直接公开了第二支撑构件通过金属层（第一镀层）相互连接。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件没有结合层，故未公开该特征。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件没有结合层，故未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件和结合层。 | 对比文件没有第一支撑构件和结合层，故未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同《隐含公开》 | 段落[0020]：“The first plating layer may be formed of at least one metallic material selected from the group consisting of Au, Cu, Ni, Ag, Cr, W, Al, Pt, Sn, Pb, Fe, Ti, Mo, and a combination thereof. The second plating layer may be formed of at least one metallic material selected from the group consisting of Au, Cu, Ni, Ag, Cr, W, Al, Pt, Sn, Pb, Fe, Ti, Mo, and a combination thereof.” | 对比文件公开了第一镀层（金属层）和第二镀层（第二支撑构件）均可从同一组金属材料中选择，本领域技术人员根据工艺便利性，完全有可能选择相同材料，使得金属层的组成与第二支撑构件的组成至少部分相同。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开结合层。 | 对比文件没有结合层，故未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层组成与发光结构组成相同。 | 发光结构为半导体，金属层为金属，两者组成不可能相同，且对比文件也无任何教导。故未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 无实质内容。 | 该特征仅为引导词，无实质技术内容，对比文件未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层《隐含公开》 | 段落[0038]：“a p-electrode 106 is formed on the p-type clad layer 115c. The p-electrode 106, for example, may include a Pt/Au layer, a Ni/Au layer, or a Ni/Ag/Pt layer. This p-electrode 106 is in ohmic contact with the p-type clad layer 115c.” | 对比文件公开了p-electrode 106，其与p型层形成欧姆接触，即该p-electrode起到欧姆层的作用，布置在第二导电类型半导体层（p型层）和第二支撑构件（第二镀层156）之间（通过第一镀层136）。因此，隐含公开了欧姆层。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间《隐含公开》 | 段落[0038]及图4-11：p-electrode 106形成在p型层115c上，第一镀层136形成在p-electrode上，第二镀层156形成在第一镀层上。 | 从对比文件图4-11可看出，p-electrode 106位于p型层115c和第二镀层156之间，即欧姆层（p-electrode）布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间。因此，隐含公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 无实质内容。 | 该特征仅为引导词，无实质技术内容，对比文件未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件没有提到任何反射层，故未公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开反射层。 | 对比文件没有反射层，故未公开。 |
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