对比文件名称：2010-03-25_JP2010067818A_发明专利_JP2010067818A Wafer for semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开任何对应于第一支撑构件的结构。 | 目标专利的第一支撑构件为基底片（230），用于临时支撑多个发光器件，并在制造过程中提供粘附。对比文件中的支持基板（10）是第二支撑构件，且对比文件未提及任何类似基底片的临时支撑构件，因此未公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件公开了金属接合层（11），但未公开多个分离的结合层。 | 目标专利的结合层（170）用于将第二支撑构件（导电支撑基板）固定到第一支撑构件（基底片）上，每个发光器件具有一个独立的结合层。对比文件的金属接合层是用于结合支撑基板与化合物半导体层的连续层，并非多个分离的结合层，且作用不同，因此未公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件，也未公开结合层布置在其上的结构。 | 由于对比文件没有第一支撑构件，且结合层（金属接合层）位于支撑基板与半导体层之间，并非布置在临时支撑构件上，因此未公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | [第2段] “支持基板１０の一方の主表面が結合されておりかつ他方の主表面には第二電極１３が形成されている”（支持基板的一个主表面被结合，另一个主表面形成第二电极）。 | 对比文件明确公开了支持基板（10），该基板为导电性（如Si），用于支撑发光结构并作为电极，与目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板160）在结构和功能上实质相同，因此直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开至少两个结合层，且第二支撑构件（支持基板10）是通过金属接合层与半导体层结合，而非布置在多个结合层上。 | 目标专利中，每个第二支撑构件通过一个结合层固定到第一支撑构件。对比文件的第二支撑构件是整片基板，通过金属接合层与半导体层整体结合，没有多个独立结合层，因此未公开。 |
| 技术特征F：发光结构（直接公开） | [第2段] “クラッド層４，６に挟まれた発光層（活性層）５を有する化合物半導体層（ダブルへテロ構造を含む積層構造）１４”（具有被包层4、6夹着的发光层（活性层）5的化合物半导体层（包括双异质结构的层叠结构）14）。 | 对比文件公开了化合物半导体层14，其包含双异质结构（第一包层、活性层、第二包层），相当于目标专利的发光结构（包括第一导电类型半导体层、有源层、第二导电类型半导体层），因此直接公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（直接公开） | [第2段] “金属接合層１１によって第一主表面が結合された支持基板１０”（通过金属接合层11结合了第一主表面的支持基板10）。 | 对比文件明确记载化合物半导体层（发光结构）通过金属接合层结合在支持基板（第二支撑构件）上，即发光结构布置在第二支撑构件上，因此直接公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（直接公开） | [第2段] “ｎ型のクラッド層４”（n型包层4）。 | 对比文件公开了n型包层4，对应于目标专利的第一导电类型半导体层（例如n型半导体层），因此直接公开。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（直接公开） | [第2段] “ｐ型のクラッド層６”（p型包层6）。 | 对比文件公开了p型包层6，对应于目标专利的第二导电类型半导体层（例如p型半导体层），因此直接公开。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（直接公开） | [第2段] “発光層（活性層）５”（发光层（活性层）5）。 | 对比文件公开了活性层5，位于n型包层4和p型包层6之间，对应于目标专利的有源层，因此直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极（直接公开） | [第2段] “第一電極１２”（第一电极12）。 | 对比文件明确公开了第一电极12，形成在化合物半导体层的第一主表面，与目标专利的第一电极190功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（直接公开） | [第2段] “第一主表面には第一電極１２が形成されており”（第一主表面上形成有第一电极12）。 | 对比文件记载第一电极形成在发光结构（化合物半导体层）的第一主表面（光提取面），即第一电极直接布置在发光结构上，因此直接公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 对比文件未公开任何金属层连接相邻器件的第二支撑构件。 | 目标专利的金属层（160a）是激光划片后熔融再固化形成的，连接相邻器件的导电支撑基板。对比文件的支撑基板在切割前是整片，切割后成为独立芯片，没有金属层连接相邻芯片，因此未公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层边缘与发光结构边缘的相对位置关系。 | 目标专利限定结合层宽度比发光结构窄，边缘内缩1~10微米。对比文件的金属接合层为连续层，未提及边缘内缩，因此未公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层表面具有凹凸结构。 | 目标专利的结合层（170）表面形成凹凸结构以增加粘附力。对比文件未描述金属接合层表面形貌，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件，也未公开凹凸结构形成在其表面。 | 对比文件没有第一支撑构件，且无凹凸结构相关描述，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 对比文件未公开目标专利所述的金属层（160a）。 | 目标专利的金属层由激光划片熔融各层材料形成，其组成可与第二支撑构件相同。对比文件无此金属层，因此未公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开目标专利所述的金属层。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开目标专利所述的金属层。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件未公开欧姆层，但公开了其他层（如界面电极、扩散阻挡层）。 | 特征T本身是开放性表述，但对比文件未公开后续的欧姆层，且整体结构不包含欧姆层，因此未公开（但对比文件隐含公开了可进一步包括其他层，故本特征不产生实质性影响，为严谨仍判断未公开）。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件未公开欧姆层，仅公开了界面电极（8）和扩散阻挡层（18）等。 | 目标专利的欧姆层（143）位于第二导电类型半导体层与第二支撑构件之间。对比文件在第二导电类型半导体层（p型包层6）与支撑基板之间没有欧姆层，而是依次有接触层、界面电极、介电膜、金属光反射层、合金化阻挡层、金属接合层、扩散阻挡层等，因此未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开欧姆层，故无此布置。 | 同上，未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（直接公开） | [第2段] “金属光反射層９”（金属光反射层9）。 | 对比文件明确公开了金属光反射层9，即反射层，因此本领域技术人员可直接得出晶圆进一步包括反射层，特征W（进一步包括反射层）被直接公开。 |
| 技术特征X：反射层（直接公开） | [第2段] “金属光反射層９”（金属光反射层9）。 | 对比文件公开了金属光反射层9，用于反射从活性层发出的光，与目标专利的反射层（146）功能相同，因此直接公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件未公开欧姆层，且金属光反射层9位于半导体层与金属接合层之间，而非欧姆层与支撑基板之间。 | 目标专利的反射层位于欧姆层和第二支撑构件之间。对比文件没有欧姆层，且反射层直接位于半导体层下方，中间隔有合金化阻挡层等，布置位置不同，因此未公开。 |
### 公开性代码
根据以上分析，对比文件直接公开了技术特征 D、F、G、H、I、J、K、L、W、X。
对比文件未直接公开或隐含公开其他技术特征。
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