本次调用的模型名称：DeepSeek。
对比文件名称：2010-04-08_JP2010080733A_发明专利_JP2010080733A Magnetoresistive element, and magnetic memory
目标专利名称：334包括位于钉扎层中的功能层的磁性存储元件及其制造方法CN102986047B
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：钉扎层堆叠，其集成在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM中，《直接公开》 | [2] “スピン角運動量移動（ＳＭＴ（Spin Momentum Transfer））を利用した書き込み方式を用いたＭＴＪ（Magneto Tunnel Junction）素子をメモリセルの記憶素子として備えた磁気メモリ（ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory））” | 对比文件明确公开了使用自旋角动量转移（SMT）写入方式的MTJ元件作为存储元件的磁存储器（MRAM）。SMT写入方式即自旋转移力矩（STT）写入方式，因此对比文件公开的MRAM即为STT-MRAM。其MTJ元件必然包含钉扎层堆叠（或称参照层堆叠）。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B**：所述钉扎层堆叠由多个层形成，《直接公开》 | [2] “ＭＴＪ素子１０は、結晶配向用の圧電層１１、記録層（或いは、自由層ともいう）１２、トンネルバリア層（非磁性層）１３、参照層（或いは、固定層ともいう）１４がこの順に積層された積層構造を有する。” | 对比文件公开的MTJ元件10具有包含参照层（固定层，即钉扎层）14的层叠结构，该参照层本身或与其他层（如后文提到的非磁性层17、磁場調整層18）共同构成钉扎层堆叠，该堆叠必然由多个层形成。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C**：所述多个层包括底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层《直接公开》 | [2] “参照層１４、非磁性層１７、及び磁場調整層１８は、ＳＡＦ（Synthetic Anti-Ferromagnet）構造で構成されていても良い。 すなわち、非磁性層１７の材料として例えばルテニウム（Ｒｕ）を用い、反強磁性結合を利用して、参照層１４と磁場調整層１８との磁化方向を反平行に結合させることも可能である。” | 对比文件公开了参照层14、非磁性层17和磁场调整层18可以构成合成反铁磁（SAF）结构，其中非磁性层17（例如Ru）作为耦合层，使参照层14和磁场调整层18反铁磁耦合。参照层14和磁场调整层18可分别对应于SAF结构中的两个磁性层（即顶部钉扎层和底部钉扎层，或反之）。因此，技术特征C中构成钉扎层堆叠的底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层已被直接公开。 |
| **技术特征D**：第一功能层，其安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中，《隐含公开》 | [2] “参照層１４は、参照膜１４Ａと、この参照膜１４Ａとトンネルバリア層１３との界面に挿入された界面膜１４Ｂとを備えている。 界面膜１４Ｂとして、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち少なくとも１つの元素を含む磁性材料が用いてもよい。” | 对比文件公开了参照层14可以包括参照膜14A和在参照膜14A与隧道势垒层13之间插入的界面膜14B。界面膜14B（例如CoFeB）用于改善隧道势垒层13的结晶性（参见[2]“トンネルバリア層１３に接するＣｏＦｅＢ膜１２Ｂは、例えばＭｇＯからなるトンネルバリア層１３の結晶性を向上させる”）。虽然对比文件将此层称为“界面膜”并描述其在参照层“中”，但其位置和作用（插入在参照膜与隧道势垒层之间以改善结晶性）与本领域技术人员理解的“在钉扎层（参照层）中插入功能层”具有高度关联性。目标专利的功能层也用于增强结晶（如结晶增强功能层）。因此，本领域技术人员从对比文件公开的“在参照层结构中插入界面膜以改善结晶性”这一技术手段，能够合理推理出在钉扎层（参照层）中插入功能层（界面膜）的技术方案。故技术特征D被隐含公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第一功能层是形成自钽的结晶增强功能层。《未公开》 | [2] “下地膜１５Ｃとしては、アモルファス構造又は微結晶構造を有する金属が用いられる。 下地膜１５Ｃの材料としては、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、及びニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも１つの元素と、ホウ素（Ｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、シリコン（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、及びジルコニウム（Ｚｒ）のうち少なくとも１つの元素とを含む金属が挙げられる。” | 对比文件虽然提到了材料“タンタル（Ｔａ）”，但仅将其作为下地层15C（用于改善平滑性、结晶性、配向性）的众多可选元素之一列出，并未明确公开在钉扎层（参照层）内部插入由钽（Ta）形成的、用于增强结晶的“功能层”。目标专利明确限定了功能层“形成自钽”且为“结晶增强功能层”，并位于钉扎层内部。对比文件未公开此特定技术特征。 |
| **技术特征F**：其中所述第一功能层保护所述钉扎层堆叠免于穿过所述多个层的高温材料扩散。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件全文未提及任何关于防止高温材料（如Mn、Ru）在钉扎层堆叠内扩散的问题，也未记载任何层具有此种“保护”功能。目标专利的功能层核心作用之一是解决扩散问题，此技术特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征G**：其中所述结晶增强功能层促进晶体形成。《直接公开》 | [2] “トンネルバリア層１３に接するＣｏＦｅＢ膜１２Ｂは、例えばＭｇＯからなるトンネルバリア層１３の結晶性を向上させる。” | 对比文件明确公开了与隧道势垒层13接触的CoFeB膜（界面膜12B）可以提升隧道势垒层13的结晶性。这直接公开了“促进晶体形成”这一功能。虽然该膜在对比文件中位于记录层（自由层）侧，但其“促进晶体形成”的功能与技术特征G所述功能相同。因此，技术特征G被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层包括第一层和第二层，所述第一功能层插入于所述第一层与第二层之间。《隐含公开》 | [2] “参照層１４は、参照膜１４Ａと、この参照膜１４Ａとトンネルバリア層１３との界面に挿入された界面膜１４Ｂとを備えている。” | 对比文件公开的参照层14包括参照膜14A和插入在参照膜14A与隧道势垒层13之间的界面膜14B。从结构上看，参照膜14A和界面膜14B共同构成了参照层。如果将参照膜14A视为“第一层”，将界面膜14B视为“功能层”，则功能层（界面膜14B）插入在“第一层”（参照膜14A）与隧道势垒层13之间。虽然对比文件未明确将参照层描述为被分割成“第一层和第二层，功能层插入其间”，但本领域技术人员从“参照层包括参照膜和插入的界面膜”这一公开内容，能够合理推断出在参照层（钉扎层）内部存在至少一个膜层（参照膜14A），而功能层（界面膜14B）插入在该膜层与相邻层之间。这种结构与技术特征H描述的“钉扎层包括第一层和第二层，功能层插入其间”在构思上存在共通之处，可以认为对比文件隐含公开了该技术特征。 |
| **技术特征I**：其进一步包括第二功能层，所述第二功能层安置于与安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层相对的钉扎层中。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开在相对的钉扎层（例如，若第一功能层在参照层，则在磁场调整层；或反之）中也安置功能层的技术方案。其界面膜仅在记录层侧或参照层侧有描述，但未构成在两个相对的钉扎层中均设置功能层的结构。 |
| **技术特征J**：其中所述第二功能层由不同于所述第一功能层的材料形成。《未公开》 | 无对应内容。 | 由于技术特征I未被公开，其从属特征J自然也未被公开。 |
| **技术特征K**：其中所述第二功能层由相同于所述第一功能层的材料形成。《未公开》 | 无对应内容。 | 由于技术特征I未被公开，其从属特征K自然也未被公开。 |
| **技术特征L**：其进一步包括与所述第一功能层安置于同一底部钉扎层或顶部钉扎层中的第二功能层。《未公开》 | 无对应内容。 | 对比文件未公开在同一钉扎层（参照层）中设置两个或更多功能层的技术方案。其描述的参照层仅包含一个界面膜14B。 |
| **技术特征M**：其进一步包括反铁磁层、隧穿势垒层、自由层和/或罩盖层。《直接公开》 | [2] “ＭＴＪ素子１０は、結晶配向用の圧電層１１、記録層（或いは、自由層ともいう）１２、トンネルバリア層（非磁性層）１３、参照層（或いは、固定層ともいう）１４がこの順に積層された積層構造を有する。” <br> [2] “さらに、図７に示すように、非磁性層１７と参照層１４の間に反強磁性層１６挟んでも良い。” <br> [2] “上部電極１９上には、配線層４７が設けられている。 配線層４７は、ビット線ＢＬとして機能する。” | 对比文件明确公开了MTJ元件包含记录层（即自由层）12、隧道势垒层13、参照层（固定层）14（技术特征M中的部分）。同时，对比文件还公开了可包含反强磁性层16（对应反铁磁层）。上部电极19及其上的配线层47可起到与罩盖层类似的电连接和保护作用。因此，技术特征M被直接公开。 |
| **技术特征N**：其中所述存储元件集成在选自由以下各项组成的群组的电子装置中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机。《直接公开》 | [2] “適用例１”中记载了MRAM用于DSL调制解调器，该调制解调器是通信装置的一种。<br> [2] “適用例２”中记载了MRAM用于携带电话终端（通信装置），其内部包含音乐播放功能（音乐播放器）、导航功能（导航装置）、PDA功能等。<br> 说明书附图及描述涉及多种电子设备。 | 对比文件在多个适用例中明确公开了将包含其MTJ元件的MRAM集成于多种电子装置中，例如：DSL调制解调器（属于通信装置，并可集成于机顶盒等）、携带电话终端（集通信、音乐播放、导航、PDA功能于一体）。这些公开内容直接覆盖了技术特征N所列举的电子装置类型。因此，技术特征N被直接公开。 |
| **技术特征O**：其中所述STT-MRAM装置集成在至少一个半导体裸片中。《直接公开》 | [2] “ＭＲＡＭチップ４０１が内蔵されている。” | 对比文件在适用例3中明确公开了“MRAM芯片401”，芯片即集成在半导体裸片上的产物。本领域技术人员公知，MRAM存储器装置必然集成在半导体裸片中。因此，技术特征O被直接公开。 |
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