对比文件名称：2005-06-14_US6907231B_发明授权_US06907231B2 On-chip impedance matching power amplifier and radio applications thereof
目标专利名称：370用于无线功率发射的发射器CN104617678B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括：发射电路，其配置为谐振储能电路，所述谐振储能电路包含与第一电感器耦合的第一电容器，《未公开》 | 说明书附图3、4、5、6中的负载104（对应天线86）。说明书第[0030]段提到“load 104 (e.g., the antenna 86)”。 | 目标专利的“发射电路”具体指谐振储能电路，即发射天线（例如图3的150），包含明确的第一电感器（LA 480）和第一电容器（CA 478）以形成谐振。对比文件中的负载104（例如天线86）是放大器的输出负载，但说明书中并未明确描述该负载（天线）本身是一个由电感器和电容器耦合形成的谐振储能电路。对比文件公开的电路是用于通信的阻抗匹配功率放大器，其负载是天线，但未公开该天线具有特定的谐振储能电路结构（包含耦合的电感和电容）。因此，本领域技术人员不能从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。 |
| 技术特征B：所述发射电路经配置以响应于时变信号来无线地发射功率以对接收器装置供电或充电，《未公开》 | 说明书第[0026]段：“The power amplifier 84, which may be implemented in accordance with the teachings of the present invention, amplifies the RF signal to produce outbound RF signal 98... The antenna 86 transmits the outbound RF signal 98 to a targeted device such as a base station, an access point and/or another wireless communication device.” | 目标专利的发射电路专门用于无线功率传输，目的是为接收器装置（如电池）供电或充电（见说明书[0009]-[0010], [0037]段）。对比文件中的功率放大器84和天线86用于无线通信系统，其发射的RF信号98用于传输通信数据至目标设备（如基站、接入点或其他无线通信设备），目的是进行数据通信，而非为设备进行无线供电或充电。两者技术领域和应用目的不同，作用不同。因此，对比文件未公开专用于无线功率发射的发射电路。 |
| 技术特征C：驱动器电路，其可操作地耦合到所述发射电路，《直接公开》 | 说明书附图3、4、5、6及对应文字描述。例如，图3显示晶体管105（放大器）通过由电感器100和电容分压器102（C1, C2）组成的阻抗匹配电路连接到负载104（天线）。 | 对比文件公开的功率放大器84（例如图3的晶体管105及相关电路）作为一个驱动器电路，其输出通过匹配网络（电感100和电容分压器102）可操作地耦合到负载104（天线86）。这与目标专利中驱动器电路（如E类放大器306）可操作地耦合到发射天线304的作用相同，都是为天线提供驱动信号。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| 技术特征D：所述驱动器电路经配置以产生所述时变信号，《直接公开》 | 说明书第[0026]段：“...the IF mixing stage 82 directly converts the analog baseband or low IF signal into an RF signal based on a transmitter local oscillation 83 provided by local oscillation module 74. The power amplifier 84... amplifies the RF signal to produce outbound RF signal 98...” | 目标专利的驱动器电路（如E类放大器306）接收振荡器信号并产生时变信号（RF信号）以驱动发射天线。对比文件中的功率放大器84接收来自上变频级82的RF信号并进行放大，产生输出的RF信号98。虽然对比文件的功率放大器是放大已产生的RF信号，而非像目标专利的E类放大器那样从振荡器直接产生，但其功能同样是产生用于驱动天线的时变RF信号。在本领域，放大器产生（即输出）时变信号是其固有功能。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：所述驱动器电路包括：第一驱动器级电路，其包括：第一开关，其经配置以响应于第一控制信号来控制所述时变信号，《直接公开》 | 说明书附图3及第[0030]段：“The impedance matching power amplifier 84 includes an inductor 100, a capacitive divider 102, and at least one transistor 105.” 晶体管105的栅极接收输入信号（即控制信号）。 | 目标专利的第一驱动器级电路中的第一开关（如MOSFET）响应于控制信号控制时变信号的通断。对比文件图3中的晶体管105（例如MOSFET）作为放大器/开关，其栅极接收输入信号（即第一控制信号），通过其导通与关断来控制流经其的电流，从而控制输出到负载的时变信号（RF信号）。两者作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征F：第二电容器，其与所述第一开关并联耦合，《直接公开》 | 说明书附图3及第[0030]段：“...C2 is coupled in parallel with the load 104.” 结合图3，C2一端连接在晶体管105的漏极，另一端接地，因此C2与晶体管105（漏极-源极之间）并联。 | 在对比文件图3中，电容分压器102中的电容器C2一端连接在晶体管105的漏极（与电感100和C1的连接点），另一端接地（AC地）。晶体管105的源极也接地。因此，电容器C2直接连接在晶体管105的漏极和源极（地）之间，即与作为开关的晶体管105并联耦合。这与目标专利中第二电容器（如图7的C2 368）与第一开关（有源装置开关358）并联的作用相同，都是作为E类放大器（或类似开关放大器）中的并联电容。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征G：第三电容器，其耦合到所述第一开关与所述第二电容器之间的节点，《直接公开》 | 说明书附图3及第[0030]段：“...C1 is placed in series between a drain of the transistor and a load 104...” 该节点是晶体管105漏极、电感100、C1和C2的连接点。 | 在对比文件图3中，电容器C1连接在晶体管105的漏极（该节点也是C2和电感100的连接点）与负载104之间。因此，C1的一端明确耦合到了“第一开关（晶体管105）与第二电容器（C2）”之间的节点（即漏极节点）。这与目标专利中第三电容器（如图7的C1 360）耦合到第一开关与第二电容器之间的节点（节点A）的结构和作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征H：第二电感器，其耦合到所述第一开关与所述第二电容器之间的节点，《直接公开》 | 说明书附图3及第[0030]段：“The inductor 100 is coupled to the drain of the transistor and to a second DC voltage potential (e.g., VDD).” 该漏极节点也是C2的连接点。 | 在对比文件图3中，电感器100直接耦合到晶体管105的漏极，该漏极节点同时也是电容器C2的连接点。因此，电感器100明确耦合到了“第一开关（晶体管105）与第二电容器（C2）”之间的节点。这与目标专利中第二电感器（如图7的L1 354）耦合到相应节点的作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征I：第二驱动器级电路，其包括：第二开关，其经配置以响应于第二控制信号来控制所述时变信号，《直接公开》 | 说明书附图4及第[0031]段：“This implementation includes the single-ended impedance matching power amplifier of FIG. 3 and a mirrored amplifier portion. The mirrored amplifier portion includes an inductor 106, a capacitive divider 108, and a transistor 107...” | 对比文件图4公开了差分阻抗匹配功率放大器，其包含一个与图3电路镜像对称的第二部分（镜像放大器部分）。该部分包括晶体管107，它作为第二开关，响应于（差分）输入信号（即第二控制信号）来控制输出时变信号。这与目标专利中对称E类放大器（图8）包含第二开关（有源装置开关428）响应于第二控制信号（426）的结构和作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征J：第四电容器，其与所述第二开关并联耦合，《直接公开》 | 说明书附图4及第[0031]段。镜像部分的电容分压器108包括电容器C2‘（图中未标字母但结构对称），其与晶体管107并联连接。 | 对比文件图4中，镜像放大器部分的电容分压器108包含一个与晶体管107并联的电容器（对应于图3中的C2，可称为C2’）。该电容器一端接晶体管107的漏极节点，另一端接地（AC地），与晶体管107（漏极-源极之间）并联。这对应于目标专利中与第二开关（428）并联的第四电容器（C4 438）。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征K：第五电容器，其耦合到所述第二开关与所述第四电容器之间的节点，《直接公开》 | 说明书附图4及第[0031]段。镜像部分的电容分压器108包括电容器C1‘（图中未标字母但结构对称），连接在晶体管107的漏极节点与负载104之间。 | 对比文件图4中，镜像放大器部分的电容分压器108包含一个电容器（对应于图3中的C1，可称为C1’），它连接在晶体管107的漏极（该节点也是C2‘的连接点）与负载104之间。因此，该电容器（C1’）耦合到了“第二开关（晶体管107）与第四电容器（C2’）”之间的节点。这对应于目标专利中耦合到第二开关与第四电容器之间节点的第五电容器（C3 430）。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征L：第三电感器，其耦合到所述第二开关与所述第四电容器之间的节点，《直接公开》 | 说明书附图4及第[0031]段：“The mirrored amplifier portion includes an inductor 106...”。该电感器106连接在晶体管107的漏极和电源VDD之间。 | 对比文件图4中，镜像放大器部分的电感器106直接耦合到晶体管107的漏极，该节点同时也是电容器C2‘的连接点。因此，电感器106耦合到了“第二开关（晶体管107）与第四电容器（C2’）”之间的节点。这对应于目标专利中耦合到相应节点的第三电感器（L2 424）。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征M：其中所述发射电路与所述驱动器电路并联耦合，《隐含公开》 | 说明书附图3、4。在图3中，负载104（天线）通过C1连接到晶体管105的漏极节点，同时C2并联在晶体管漏极（和C1一端）与地之间。从交流等效电路看，负载104与驱动器输出端（晶体管漏极和匹配网络）是并联连接关系。 | 目标专利中，发射电路（谐振天线）与驱动器电路（放大器输出端）并联（参见图12，天线304与放大器306’输出并联）。在对比文件图3中，负载104（天线）通过串联电容C1连接到驱动器（晶体管105）的输出节点（漏极）。同时，电容C2并联在该节点与地之间。从交流信号通路分析，负载104（通过C1）与C2共同构成了驱动器输出节点的并联负载。本领域技术人员能够理解，这种通过串联电容连接负载的拓扑，在考虑驱动器输出端对地的阻抗时，负载与驱动器输出是并联关系。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| 技术特征N：其中所述第一驱动器级电路配置为E类放大器电路，且其中所述第二驱动器级电路配置为E类放大器电路，《未公开》 | 对比文件全文未提及“E类放大器（Class E amplifier）”。 | 目标专利明确要求驱动器级电路配置为E类放大器电路，并详细描述了E类放大器的特定结构和零电压/零电流开关等特性（见说明书[0045]-[0056]段）。对比文件公开的放大器是一般的阻抗匹配功率放大器，未描述其工作于E类模式，也未提及实现E类操作所需的特定元件关系（如特定并联电容、电感值计算以实现零电压开关）。尽管对比文件的电路图（图3、4）在元件连接上与E类放大器有相似之处，但本领域技术人员不能毫无疑义地确定其就是E类放大器，也不能从对比文件内容中合理推断出其必然配置为E类放大器。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述驱动器电路的质量因数包括至少，《未公开》 | 对比文件全文未提及功率放大器或匹配电路的“质量因数（quality factor）”要求或具体数值。 | 目标专利对驱动器电路（如E类放大器）的质量因数有明确要求（例如，根据说明书[0056]段，负载网络的质量因数QL必须大于1.7879）。这是确保E类放大器正常工作的重要设计参数。对比文件虽然涉及阻抗匹配，但并未对其放大器或匹配电路提出任何关于质量因数的具体要求或限制。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征P：其进一步包括与所述第二电感器串联耦合的第一电源电压以及与所述第三电感器串联耦合的第二电源电压，《直接公开》 | 说明书附图3、4。图3：电感器100一端接晶体管105漏极节点，另一端接第二DC电压电位（VDD）。图4：电感器100和106分别接各自的晶体管漏极节点，并均连接至VDD。 | 在对比文件图3中，第二电感器（电感器100）一端耦合到第一开关与第二电容器的节点，另一端连接到第二DC电压电位（VDD），这构成了与电感器100的串联耦合。在图4的对称结构中，第二电感器（电感器100）和第三电感器（电感器106）分别串联耦合到各自的电源电压（均为VDD）。这对应于目标专利中第一电源电压与第二电感器串联，第二电源电压与第三电感器串联的结构。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征Q：其中所述第一电源电压及所述第二电源电压包括相同的电源电压，《直接公开》 | 说明书附图4。图中明确显示电感器100和106均连接到同一个电源电压VDD。 | 对比文件图4的差分放大器实施例中，两个电感器（100和106）均连接到同一个第二DC电压电位（VDD）。这直接公开了第一电源电压和第二电源电压是相同的电源电压（VDD）。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征R：其中所述驱动器电路配置为包括所述第一驱动器级电路及所述第二驱动器级电路的对称E类放大器电路，其中所述第一驱动器级电路配置为E类放大器电路，且所述第二驱动器级电路配置为所述第一驱动器级电路的镜像，《隐含公开》 | 说明书附图4及第[0031]段：“This implementation includes the single-ended impedance matching power amplifier of FIG. 3 and a mirrored amplifier portion.” | 目标专利要求驱动器电路为对称E类放大器，且第二级是第一级的镜像（图8）。对比文件图4明确公开了一个差分（对称）放大器，其包含图3的单端放大器及其镜像部分（mirrored amplifier portion），即第二驱动器级电路（晶体管107等）是第一驱动器级电路（晶体管105等）的镜像。尽管对比文件未明确将其称为“E类放大器”，但其对称的、镜像的电路结构已被公开。考虑到目标专利中对称E类放大器的核心结构特征之一正是两个镜像的放大器级（见说明书[0059]段），本领域技术人员可以从对比文件公开的对称镜像放大器结构，结合公知常识（对称推挽结构可用于构建E类放大器），合理推断出可以将其配置为对称E类放大器电路。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征S：其中所述第一控制信号和所述第二控制信号经配置为彼此相移180度，从而以180度相移波形分别驱动所述第一开关及所述第二开关，《隐含公开》 | 说明书第[0031]段描述图4为“differential impedance matching power amplifier”。差分放大器的工作原理要求两路输入信号互为反相（即180度相移）。 | 目标专利要求两个控制信号相移180度以驱动对称开关（见说明书[0059]段）。对比文件图4公开的是差分阻抗匹配功率放大器。本领域技术人员公知，差分放大器需要两路相位相反（即相差180度）的输入信号来分别驱动其两个对称的晶体管（105和107），以实现推挽操作。虽然对比文件说明书文字未明确写出“180度相移”，但这是差分放大器固有的、必然的工作方式。因此，本领域技术人员能够从对比文件公开的“差分放大器”这一特征，毫无疑义地推导出第一控制信号和第二控制信号是彼此相移180度的。因此，该特征被隐含公开。 |
| 技术特征T：其中所述发射电路的所述第一电容器与所述第二电容器、所述第三电容器、所述第四电容器及所述第五电容器中的至少一者相同或与所述第二电容器、所述第三电容器、所述第四电容器及所述第五电容器中的至少一者相组合，《未公开》 | 对比文件说明书及附图未描述负载104（天线）的内部结构包含一个明确的“第一电容器”，也未描述该天线内部的电容器与放大器中的电容器（C1, C2, C1‘, C2’）是相同或组合的。 | 目标专利该特征限定了发射天线中的谐振电容器（第一电容器）与驱动器电路中的某些电容器可以相同或组合（参见说明书[0075]-[0077]段及图12，描述了天线电容器CA 478可与滤波电容器CF 474组合为单个元件电容器482）。对比文件中的负载104（天线）被视为一个整体负载，其内部可能包含寄生电容，但对比文件并未公开该负载（天线）本身包含一个用于谐振的、明确的“第一电容器”。更重要的是，对比文件完全没有提及负载（天线）的电容与放大器匹配网络中的电容器是“相同的”或“相组合的”这一特定关系。因此，该特征未被公开。 |
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