对比文件名称：2005-05-26_JP2005137040A_发明专利_JP2005137040A Noncontact power supply
目标专利名称：370用于无线功率发射的发射器CN104617678B
模型名称：DeepSeek-R1
### 特征比对表格
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：发射电路，其配置为谐振储能电路，所述谐振储能电路包含与第一电感器耦合的第一电容器，<br>**《直接公开》** | [2]段落：“１次コイルＬ１０、２次コイルＬ２０をフェライトコアＦ１０，Ｆ２０に各々巻回して構成される。...１次コイルＬ１０に並列接続された１次側の共振コンデンサＣ１０”。<br>译文：“一次线圈L10、二次线圈L20分别绕在铁氧体磁芯F10、F20上构成。...与一次线圈L10并联连接的一次侧共振电容器C10”。 | 对比文件明确公开了包含一次线圈（第一电感器）和与其并联连接的共振电容器C10（第一电容器）的电路。该谐振储能电路用于通过电磁感应进行非接触供电，其作用与目标专利中用于无线功率发射的谐振储能电路相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征B**：所述发射电路经配置以响应于时变信号来无线地发射功率以对接收器装置供电或充电<br>**《直接公开》** | [2]段落：“１次コイルへの通電をオン・オフすることで１次コイルに正弦波状の共振電圧を発生させて２次コイルへのエネルギー供給を制御する”。<br>译文：“通过对一次线圈通电进行ON/OFF，在一次线圈产生正弦波状的共振电压，以控制向二次线圈的能量供给”。 | 对比文件公开了通过切换开关FET10（产生时变信号）驱动一次线圈L10（发射电路），从而在二次线圈L20（接收器）中感应电压以供电。其目的正是无线发射功率以对负载（相当于接收器装置）供电或充电。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征C**：驱动器电路，其可操作地耦合到所述发射电路，<br>**《直接公开》** | [2]段落：“直流電源Ｅ...及び分離着脱式トランスＴの１次コイルＬ１０、ダイオードＤ１０、スイッチング素子ＦＥＴ１０、回路網Ｋ１０の直列回路”。<br>译文：“直流电源E...以及分离式变压器T的一次线圈L10、二极管D10、开关元件FET10、电路网K10的串联电路”。 | 对比文件公开了包含开关元件FET10、驱动控制其的电路（如电路网K10、晶体管Q10、反馈线圈L11等）的驱动器电路，该驱动器电路通过FET10与一次线圈L10（发射电路）串联耦合，即可操作地耦合。其作用是产生驱动信号，与目标专利中驱动器电路的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征D**：所述驱动器电路经配置以产生所述时变信号，<br>**《直接公开》** | [2]段落：“スイッチング素子ＦＥＴ１０...のスイッチング周期で変化する”。<br>译文：“开关元件FET10...以开关周期变化”。<br>[2]段落：“スイッチング素子ＦＥＴ１０がオンすると...スイッチング素子ＦＥＴ１０がオフすると...自由振動を開始する”。<br>译文：“开关元件FET10导通时...开关元件FET10关断时...开始自由振荡”。 | 对比文件公开了驱动器电路中的开关元件FET10周期性地导通和关断，从而在一次线圈L10上产生振荡的（时变）电压和电流信号。这即是产生时变信号。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征E**：所述驱动器电路包括：第一驱动器级电路，其包括：第一开关，其经配置以响应于第一控制信号来控制所述时变信号<br>**《直接公开》** | [2]段落：“スイッチング素子ＦＥＴ１０”。<br>译文：“开关元件FET10”。<br>[2]段落：“第１のスイッチング手段”。<br>译文：“第一开关手段”。<br>[2]段落：“ゲート電圧Ｖｇ...スイッチング素子ＦＥＴ１０がオンし始める”。<br>译文：“栅极电压Vg...开关元件FET10开始导通”。 | 对比文件明确公开了“第一开关手段”，即开关元件FET10。其栅极电压Vg（第一控制信号）控制其导通与关断，从而控制流向一次线圈L10的电流，即控制时变信号。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征F**：第二电容器，其与所述第一开关并联耦合<br>**《直接公开》** | [2]段落：“共振コンデンサＣ１０はスイッチング素子ＦＥＴ１０に並列接続してもよく”。<br>译文：“共振电容器C10也可以与开关元件FET10并联连接”。<br>[2]段落：“さらにはスイッチング素子ＦＥＴ１０の寄生容量で代用してもよい”。<br>译文：“甚至也可以用开关元件FET10的寄生电容代替”。 | 对比文件明确教导了共振电容器C10可以与开关FET10并联连接，并且FET10自身的寄生电容也起到并联电容的作用。在典型的电压谐振逆变器中，该并联电容（无论是外置的还是寄生的）是实现零电压开关的关键元件之一，其作用与E类放大器中的并联电容（如C1）类似，用于与电感形成谐振并为开关创造软开关条件。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出存在与第一开关并联耦合的电容器这一技术特征。 |
| **技术特征G**：第三电容器，其耦合到所述第一开关与所述第二电容器之间的节点<br>**《隐含公开》** | [2]段落：“１次コイルＬ１０に並列接続された１次側の共振コンデンサＣ１０”。<br>译文：“与一次线圈L10并联连接的一次侧共振电容器C10”。<br>（结合图1电路拓扑分析） | 在对比文件的图1电路中，一次线圈L10与共振电容器C10并联。该并联结构的一端连接在开关FET10的漏极（或二极管D10的阴极），另一端连接在电源正极。从交流等效电路来看，并联的L10和C10作为一个整体（谐振负载）耦合在开关FET10（第一开关）与电源之间。在E类放大器的典型拓扑中（如目标专利图7），与开关并联的电容器（C1）和作为负载一部分的谐振电容器（如C2或天线电容）是分开的，但它们在电路节点上是连接的。对比文件中，FET10的漏极节点同时连接了其并联电容（C10或寄生电容，对应于第二电容器）和一次线圈L10。一次线圈L10自身具有电感，并且与C10构成了谐振电路。对于本领域技术人员而言，为了实现特定频率的谐振和阻抗匹配，将电容元件设置在一次线圈的回路中是显而易见的常规设计选择。该电容（即C10）在功能上耦合到了FET10及其并联电容所形成的节点上。因此，本领域技术人员有可能通过合理推断得出该技术特征。 |
| **技术特征H**：第二电感器，其耦合到所述第一开关与所述第二电容器之间的节点<br>**《直接公开》** | [2]段落：“分離着脱式トランスＴの１次コイルＬ１０...の直列回路”。<br>译文：“分离式变压器T的一次线圈L10...的串联电路”。<br>（结合图1，一次线圈L10一端通过二极管D10接FET10漏极，另一端接电源正极） | 对比文件明确公开了一次线圈L10（第二电感器）。在电路连接上，一次线圈L10的一端通过二极管D10连接到开关FET10的漏极（该节点同时也是与FET10并联的电容C10或寄生电容的一个连接点）。因此，第二电感器（L10）耦合到了第一开关（FET10）与第二电容器（并联在FET10上的电容）之间的节点上。其作用是构成谐振和能量发射的一部分。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **技术特征I**：第二驱动器级电路，其包括：第二开关，其经配置以响应于第二控制信号来控制所述时变信号<br>**《未公开》** | 对比文件全文仅公开了一个开关元件（FET10）作为“第１のスイッチング手段”。其驱动是自激振荡或通过单一控制路径（如晶体管Q10）关断。未公开任何与第一开关构成推挽、对称或互补关系的第二开关级电路。 | 对比文件的核心之一是使用单开关（1石）的电压谐振逆变器以实现简单和低成本，这与目标专利要求保护的双开关对称E类放大器电路是两种不同的拓扑结构。本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出存在第二驱动器级电路及第二开关的技术特征。 |
| **技术特征J**：第四电容器，其与所述第二开关并联耦合<br>**《未公开》** | 由于技术特征I（第二开关）未被公开，依赖于其存在的第四电容器也未被公开。 | 对比文件中未提及与第二开关相关的任何并联电容器。 |
| **技术特征K**：第五电容器，其耦合到所述第二开关与所述第四电容器之间的节点<br>**《未公开》** | 由于技术特征I和J未被公开，依赖于其存在的第五电容器也未被公开。 | 对比文件中未提及该技术特征。 |
| **技术特征L**：第三电感器，其耦合到所述第二开关与所述第四电容器之间的节点。<br>**《未公开》** | 由于技术特征I和J未被公开，依赖于其存在的第三电感器也未被公开。 | 对比文件中未提及该技术特征。 |
| **技术特征M**：其中所述发射电路与所述驱动器电路并联耦合。<br>**《未公开》** | [2]段落：“１次コイルＬ１０、ダイオードＤ１０、スイッチング素子ＦＥＴ１０、回路網Ｋ１０の直列回路”。<br>译文：“一次线圈L10、二极管D10、开关元件FET10、电路网K10的串联电路”。 | 对比文件明确公开了发射电路（一次线圈L10及并联的C10）与驱动器电路的主要功率开关（FET10）是串联关系（通过D10）。目标专利权利要求中的“并联耦合”特指发射电路（谐振储能电路）与整个驱动器电路（包含两个E类放大器级）的输入端或输出端之间的并联连接关系（例如目标专利图8中，负载等效电路并联在两个E类级的中点与地之间）。这种并联关系在对比文件的单端串联拓扑中并未公开，也无法通过合理推断得出。 |
| **技术特征N**：其中所述第一驱动器级电路配置为E类放大器电路，且其中所述第二驱动器级电路配置为E类放大器电路。<br>**《未公开》** | 对比文件描述其电路为“電圧共振型インバータ”（电压谐振型逆变器）或“１石電圧共振型インバータ”（单管电压谐振型逆变器）。虽然E类放大器也是一种开关模式谐振功率放大器，但对比文件并未将其电路描述或识别为E类放大器。更重要的是，目标专利中明确限定了对称的、两个E类放大器级的结构，而对比文件仅有一个开关级。 | 对比文件公开的电路拓扑（单管、串联谐振）与E类放大器的典型拓扑（特定要求的并联电容、串联电感负载网络）存在差异。尽管两者都利用谐振实现软开关，但本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出其电路就是“配置为E类放大器电路”，尤其是目标专利所限定的包含两个E类级的结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征O**：其中所述驱动器电路的质量因数包括至少<br>**《未公开》** | 对比文件全文未提及驱动器电路或谐振网络的“质量因数”具体数值要求，也未提及“至少”某个值。 | 对比文件关注于通过电路参数（如R13）来调节对负载变化的响应，以实现输出电压稳定，并未讨论或限定用于确保E类放大器正常工作的负载网络最小质量因数（如QL>1.7879）。该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：其进一步包括与所述第二电感器串联耦合的第一电源电压以及与所述第三电感器串联耦合的第二电源电压。<br>**《隐含公开》** | [2]段落：“直流電源Ｅ”。<br>译文：“直流电源E”。<br>（结合图1，电源E的正极通过一次线圈L10和二极管D10连接到FET10的漏极） | 对比文件公开了一个直流电源E。在电路中，该电源E通过一次线圈L10（第二电感器）和二极管D10与开关FET10串联。对于本领域技术人员，当存在第二电感器（L10）时，为其提供能量的电源电压（E）必然以某种方式（例如串联）与之耦合。虽然对比文件未明确描述“与第二电感器串联耦合的第一电源电压”这样的措辞，但根据电路连接关系，电源E、L10、D10和FET10构成串联回路，可以合理推断出电源电压与第二电感器是串联耦合关系。由于对比文件是单端结构，没有第三电感器和第二电源电压，但技术特征P是一个“包括”式的开放描述，并未要求两个电源电压必须同时存在且不同。因此，可以认为对比文件隐含公开了“包括与第二电感器串联耦合的第一电源电压”这一部分技术内容。 |
| **技术特征Q**：其中所述第一电源电压及所述第二电源电压包括相同的电源电压。<br>**《直接公开》** | [2]段落：“直流電源Ｅ”。<br>译文：“直流电源E”。 | 对比文件仅公开了一个直流电源E。在目标专利的对称E类放大器实施例中（如图8），两个E类级可以共享同一个电源电压。对比文件公开的单一电源电压E，可以视为第一电源电压和第二电源电压是“相同的电源电压”的一种退化情况或特例。本领域技术人员能毫无疑义地得出，当只有一个电源时，它既是第一也是第二电源电压，且相同。 |
| **技术特征R**：其中所述驱动器电路配置为包括所述第一驱动器级电路及所述第二驱动器级电路的对称E类放大器电路，其中所述第一驱动器级电路配置为E类放大器电路，且所述第二驱动器级电路配置为所述第一驱动器级电路的镜像。<br>**《未公开》** | 理由同技术特征I和N。对比文件为单开关拓扑，未公开任何形式的第二驱动器级电路，更未公开由两个E类放大器级构成的对称结构或镜像结构。 | 该技术特征明确限定了驱动器的具体架构为“对称E类放大器电路”，这是目标专利的核心改进点之一。对比文件完全没有涉及此架构。 |
| **技术特征S**：其中所述第一控制信号和所述第二控制信号经配置为彼此相移180度，从而以180度相移波形分别驱动所述第一开关及所述第二开关。<br>**《未公开》** | 对比文件仅有一个控制信号（如栅极电压Vg）驱动唯一的开关FET10。 | 由于不存在第二开关和第二控制信号，因此彼此相移180度的驱动方式无从谈起。 |
| **技术特征T**：其中所述发射电路的所述第一电容器与所述第二电容器、所述第三电容器、所述第四电容器及所述第五电容器中的至少一者相同或与所述第二电容器、所述第三电容器、所述第四电容器及所述第五电容器中的至少一者相组合。<br>**《未公开》** | 对比文件中，发射电路的谐振电容器是C10。在电路中，C10作为一次侧的共振电容，其功能明确。虽然C10也可以被视为与开关FET10并联（对应第二电容器），但目标专利此特征意在强调组件合并以减少元件数量（如说明书第[0077]段所述），这是一种特定的设计优化。对比文件并未描述或暗示C10与其他电容器（如可能存在于驱动器网络中的电容器）是“相同”的元件，或者为了减少BOM而故意进行组合设计。 | 该技术特征涉及具体的元件共享或集成设计。对比文件仅公开了各个电容器元件（如C10, C12等）各自独立存在并履行不同功能，没有公开它们实质上是同一个物理电容器或为了减少数量而进行的组合。本领域技术人员不能从对比文件中直接或合理地推断出该特定设计。 |
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