A 其包含： 密封环，其限定所述集成电路，

B 所述密封环包括具有入口部分及出口部分的至少一个沟道，

C 所述入口部分从所述出口部分偏移

D 及所述沟道下的衬底的掺杂区域，

E 其具有比所述密封环之下的所述衬底的掺杂浓度低的掺杂浓度，借此对跨越所述沟道的信号传播的抵抗力得以增加。