**对比文件名称**：发明公开 WO1992004716A1 METHOD AND DEVICE FOR UPDATING INFORMATION IN A MEMORY AND USE THEREOF IN MEMORY CARDS
**特征比对表格**
| 技术特征描述及公开类型 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A. 所述NV‑RAM被划分成非易失性存储器NVM区域和随机存取存储器RAM区域。**<br>**未公开** | 对比文件全文未明确将同一存储器芯片划分为NVM区域和RAM区域。其提及了EEPROM（非易失性）和RAM（易失性）作为存储器类型（见[p0003], [p0016]），但未描述在单一“NV-RAM”器件内进行此类划分。 | 在对比文件中，EEPROM和RAM是作为不同类型、可能独立的存储器器件来讨论的（例如，[p0020]提到“mémoires EPROM ou EEPROM”）。其技术方案的核心是使用至少两个独立的存储位置（如EO, El）和逻辑指示器来管理更新，并未涉及将一种兼具非易失性和随机存取特性的存储器（即目标专利中的NV-RAM）内部划分为不同功能的NVM和RAM区域。该特征在目标专利中用于在同一存储器内隔离永久存储和临时计算/缓存区域，而在对比文件中无此作用。 |
| **B. 所述方法包括：将原始数据存储在所述NV‑RAM的所述NVM区域中。**<br>**直接公开** | [p0022] “Soit DO la valeur d'origine mise en mémoire et soit Dl la valeur de mise à jour de la donnée D. ... soit EO l'emplacement mémoire où se trouve la valeur d'origine DO...” | 对比文件明确记载了原始数据DO存储在第一个存储位置EO。根据上下文，EO位于EEPROM（见[p0020]）或类似非易失性存储器中，这对应于目标专利的“NVM区域”。两者作用相同，都是作为原始数据的初始非易失性存储位置。 |
| **C. 所述NVM区域包括被配置成存储数据的区域。**<br>**直接公开** | [p0022] “...soit EO l'emplacement mémoire où se trouve la valeur d'origine DO...” | 对比文件中的“emplacement mémoire EO”即是一个被配置用于存储数据（DO）的存储位置。该位置位于非易失性存储器中，因此公开了“NVM区域包括被配置成存储数据的区域”这一特征。作用均为提供数据存储空间。 |
| **D. 将所述原始数据复制到所述NV‑RAM的所述RAM区域中的数据区。**<br>**未公开** | 对比文件未记载将原始数据DO复制到RAM区域。在更新过程中，新数据Dl被写入另一个存储位置El（见[p0028]），而El同样被描述为EEPROM的一部分（见[p0020], [p0022]），并非RAM区域。 | 对比文件的技术方案不涉及将数据从非易失性存储位置复制到一个易失性的RAM区域作为更新流程的一部分。其使用多个非易失性存储位置（EO, El等）来交替存储新旧数据，以确保数据完整性。目标专利中复制到RAM区域是为了在易失性内存中进行计算和暂存更新数据，两者技术手段和作用不同。 |
| **E. 其中所述NVM区域和所述RAM区域是不同的区域。**<br>**未公开** | 同特征A，对比文件未在单一存储器内划分NVM和RAM区域。其区分的是不同类型的存储器（如EEPROM与RAM）或不同的存储位置（EO, El），但这些位置均属于非易失性存储器范畴（见[p0020], [p0022]）。 | 由于对比文件未公开特征A（划分NVM和RAM区域），因此自然也未曾公开这两个区域是“不同的区域”这一限定。目标专利中此特征强调了存储特性的物理或逻辑分区，对比文件无对应概念。 |
| **F. 所述RAM区域被进一步划分成用于存储标志的区域。**<br>**未公开** | 对比文件使用逻辑指示器（比特链b0...bn）来跟踪更新状态（见[p0019], [p0020]）。这些指示器被存储在EPROM或EEPROM中（见[p0020] “une chaîne de bits dans une mémoire EPROM ou EEPROM”），而非RAM中。 | 对比文件确实公开了使用专门的存储区域（比特链）来存储更新标志，但该区域位于非易失性存储器（EPROM/EEPROM）中，而非目标专利所限定的“RAM区域”内。两者作用虽类似（标记更新状态），但存储介质和位置不同，在目标专利中存储在RAM是为了利用其快速读写特性并与NVM中的主数据更新过程配合。 |
| **G. 从存储在所述RAM区域中的所述数据区中的所述原始数据计算经更新数据。**<br>**未公开** | 对比文件描述了在更新请求时，计算或获得新数据Dl（见[p0022]），但未明确记载“计算”过程，也未提及该计算是基于已复制到RAM中的原始数据进行的。其数据源是原始数据DO，而DO存储在EO（非易失性位置）。 | 对比文件未公开特征D（将原始数据复制到RAM），因此不可能存在从RAM中的数据区计算更新数据这一后续步骤。目标专利中此特征旨在RAM中进行数据运算以生成更新值，对比文件的方案未描述此特定计算环境和数据来源。 |
| **H. 将所述经更新数据存储在所述RAM区域中的所述数据区中。**<br>**未公开** | [p0028] “Le premier octet de Dl est écrit dans le premier octet de El à l'instant tl+1...” | 对比文件明确记载了将新数据Dl写入存储位置El。然而，El被定义为另一个存储位置，且根据上下文属于EEPROM（非易失性），并非RAM区域（见[p0022]）。因此，该特征未被公开。 |
| **I. 使所述RAM区域中的所述用于存储标志的区域中的经更新标志有效。**<br>**未公开** | [p0030] “...l'automate écrit le premier bit vierge bi, du compteur, soit bl lors de cette première mise à jour qui passe alors à 1...” | 对比文件公开了在验证新数据写入成功后，将逻辑指示器（比特链中的下一个bit，如bl）设置为“1”（即有效）。但是，如特征F所述，这个指示器比特链存储在非易失性存储器（EPROM/EEPROM）中，而非“RAM区域”中。因此，该特征未被公开。 |
| **J. 将所述经更新数据复制到所述NVM区域。**<br>**直接公开** | [p0053] “- en cas de coïncidence, la donnée présente dans l'espace mémoire est recopiée à l'adresse associée, c'est à dire à l'emplacement E.” | 在对比文件的第二变体（图3/4）中，明确描述了在临时存储空间M中的数据经过验证后，被复制（recopiée）到最终的目标地址E。地址E是应用读取数据的位置，属于非易失性存储器（见[p0047]），这对应于目标专利的“NVM区域”。两者作用相同，都是将已验证的更新数据写入最终的非易失性存储位置。 |
| **K. 使所述RAM区域中的所述用于存储标志的区域中的所述经更新标志无效。**<br>**未公开** | [p0059] “- positionnement de l'indicateur à 1 ("vrai") indiquant que la mise à jour en cours est terminée...” | 在对比文件的第二变体中，在完成数据复制后，将指示器设置为“1”（真），表示更新完成。此操作可类比为使标志“无效”（即更新过程结束）。然而，该指示器存储在为此目的预留的存储空间（见[p0047]），根据上下文，该空间同样位于非易失性存储器中，而非“RAM区域”。因此，该特征未被公开。 |
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