对比文件的名称：2009-02-12_US2009039986A_发明申请_US20090039986A1 PACKAGE-BASED FILTERING AND MATCHING SOLUTIONS
目标专利的名称：补偿封装电感的可调谐电容器电路CN103189979B
本次调用的模型名称：专利创造性评估模型
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A：第一IC接地焊盘，其被直接连接到片上接地节点《直接公开》 | [0019] ... a plurality of bond pads may be disposed spaced-apart on the die 102 to provide contact pads to which electrical connections may be made. <br> [0019] ... the first bond pad 112a (or amplifier output bond pad) may be coupled to an output of the die 102 ... <br> [0020] The main inductance between the output of the power amplifier and the input to an antenna is provided by the first wire bond 210 coupling the first bond pad 112a to the package output 118. | 对比文件公开了设置在管芯（die）102上的多个键合焊盘（bond pads），其中包括第一键合焊盘112a（放大器输出焊盘）。第一键合焊盘112a通过键合线210耦合至封装输出118，同时也与管芯102上的放大器输出节点相连（见附图1A, 1C）。在目标专利中，“第一IC接地焊盘”被直接连接到“片上接地节点”。在对比文件中，第一键合焊盘112a被直接连接到放大器输出节点，该节点位于管芯（片上）上。尽管目标专利中的节点是“接地节点”，而对比文件中的节点是“放大器输出节点”，但两者均属于芯片上的特定电路节点（即“片上节点”）。从结构连接关系来看，对比文件明确公开了一个IC焊盘（112a）直接连接到一个片上电路节点（放大器输出）。本领域技术人员能够毫无疑义地认识到，这种“焊盘直接连接到片上节点”的结构关系已被公开。因此，技术特征A被对比文件直接公开。 |
| B：第二IC接地焊盘，其经由可调谐电容器电路连接到所述片上接地节点《未公开》 | [0019] ... the second bond pad 112b (or downbond pad) may be coupled to the package ground 104 via a second wire bond 220. <br> [0019] The first MIM capacitor 202 may be serially coupled between a first bond pad 112a and a second bond pad 112b. | 对比文件公开了第二键合焊盘112b通过第二键合线220连接到封装地104。同时，第一MIM电容器202串联连接在第一键合焊盘112a和第二键合焊盘112b之间（见附图1A, 1C）。因此，第二焊盘112b通过一个固定电容器（MIM电容202）连接到放大器输出节点（即片上节点）。然而，目标专利要求的是“经由可调谐电容器电路连接”。对比文件中使用的MIM电容器202是一个固定电容，其电容值由电极尺寸和介电材料决定（见[0028]），文中并未提及任何使其电容可调谐的机制或电路（如开关阵列）。因此，对比文件公开的是通过一个“固定电容器”连接，而非“可调谐电容器电路”。技术特征B未被对比文件直接或隐含公开。 |
| C：其中所述可调谐电容器电路的电容与封装电感在所述IC的工作频率处谐振。《未公开》 | [0028] ... the parasitic capacitance (corresponding to the first MIM capacitor 202) resonates with the downbond or shunt inductance (corresponding to the second wire bond 220) to create a low-impedance signal path to the ground 104. <br> [0028] The desired harmonic rejection frequency may be adjusted by varying the capacitance or the inductance. | 对比文件公开了由第一MIM电容202（寄生电容）和第二键合线220（并联电感）形成的LC谐振电路，该谐振会在特定频率（谐波抑制频率）处产生一个到地104的低阻抗路径。然而，首先，对比文件中的电容（202）是固定的，其谐振频率虽然可以通过改变电容或电感来“调整”（adjust），但这种调整是通过改变物理设计（如电极尺寸、键合线长度或数量）实现的，并非通过一个即时、电控的“可调谐电容器电路”实现的（见[0028]）。其次，目标专利的谐振目的是“补偿封装电感”以降低片上接地节点在工作频率处的阻抗。而对比文件中谐振的目的是为特定谐波频率创建到地的低阻抗路径，从而“抑制谐波”（harmonic rejection），这是两种不同的技术目的和应用场景。因此，尽管对比文件公开了LC谐振现象，但未公开目标专利中“可调谐电容器电路的电容”与“封装电感”在“IC的工作频率处”谐振以进行补偿这一特定技术方案。技术特征C未被公开。 |
| D：其特征在于，印刷电路板(PCB)接地节点被连接到所述第一IC接地焊盘和所述第二IC接地焊盘，其中所述封装电感来自于所述第二IC接地焊盘和所述PCB接地节点之间的连接。《未公开》 | [0018] ... an active die 102 ... may be coupled to a ground plane 104. The ground plane 104 may be either a metal layer on the package topmost layer or a stackup of both package metal and a metallization layer on the back of the die 102. <br> [0019] ... the second bond pad 112b ... may be coupled to the package ground 104 via a second wire bond 220. <br> [0020] The shunt inductance or downbond ... is provided by a second wire bond 220 coupling the second bond pad 112b to the package ground 104. | 对比文件公开了封装地平面（package ground）104。第二键合焊盘112b通过第二键合线220连接到该封装地104，并且该键合线提供了并联电感（downbond inductance）。第一键合焊盘112a通过第一键合线210连接到封装输出118，并未明确描述其直接连接到封装地104。目标专利中，两个IC接地焊盘都连接到“PCB接地节点”，并且封装电感特指“第二IC接地焊盘和PCB接地节点之间的连接”产生的电感。在对比文件中，第二焊盘112b通过键合线220连接到“封装地104”，该连接产生的电感被明确提及。虽然“封装地104”可以对应于安装在PCB上的封装的地节点，但对比文件并未明确提及“PCB接地节点”这一具体术语，也未描述第一焊盘112a连接到该地节点（它连接的是信号输出）。更重要的是，目标专利中两个焊盘都连接到同一个PCB接地节点以形成并联的DC和RF路径，而对比文件中两个焊盘连接的是不同的网络（一个输出，一个地），目的和电路结构不同。因此，技术特征D未被对比文件直接或隐含公开。 |
| E：其特征在于，当所述可调谐电容器电路与所述封装电感谐振时，所述片上接地节点在所述集成电路的所述工作频率处的阻抗比没有所述可调谐电容器电路的情形要低。《未公开》 | [0028] ... resonates ... to create a low-impedance signal path to the ground 104. | 对比文件公开了在谐振频率处，会形成一个到地104的低阻抗路径。然而，这个低阻抗路径是针对流向封装地的特定谐波信号而言的，其目的是将谐波分流到地，而不是为了降低“片上接地节点”本身的阻抗。目标专利的核心是通过谐振来降低片上接地节点在工作频率处的对地阻抗，从而改善芯片内部电路的接地质量。对比文件中的谐振发生在放大器输出节点（通过电容和键合线到地），目的是滤波，而非改善芯片内部的地平面阻抗。两者技术效果和作用对象不同。因此，技术特征E未被公开。 |
| F：其特征在于，所述可调谐电容器电路包括与开关电容器并联的固定电容器。《未公开》 | 全文未提及“开关电容器”（switched capacitor）或任何通过开关改变电容值的结构。对比文件中仅公开了金属-绝缘体-金属（MIM）固定电容器。 | 对比文件仅描述了固定的MIM电容器（如202，302，402，502），其电容值是制造时确定的。说明书中没有任何关于使用开关来控制或切换电容的描述。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“包括与开关电容器并联的固定电容器”的可调谐电容器电路。技术特征F未被公开。 |
| G：其特征在于，所述开关电容器包括与电容器串联的开关，其中所述开关进行操作以基于控制电压在可调谐电容器排中纳入或排除所述电容器的电容。《未公开》 | 全文未提及基于控制电压操作的开关，也未提及通过开关纳入或排除电容器以构成可调谐电容器排。 | 该技术特征是实现电容可调谐的具体电路结构。对比文件中完全没有涉及任何形式的可调谐电容电路，更不用说这种由开关控制电容接入的详细结构。因此，技术特征G未被公开。 |
| H：其特征在于，所述开关是晶体管。《未公开》 | 全文未提及在电容电路中使用晶体管作为开关。 | 由于对比文件未公开任何开关电容器结构，因此自然也未曾公开开关的具体类型为晶体管。技术特征H未被公开。 |
| I：其特征在于，所述开关是n型金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管。《未公开》 | 全文未提及NMOS晶体管或任何特定类型的晶体管在电容调谐电路中的应用。 | 同上，由于根本未公开开关，因此其具体类型（NMOS）更无从谈起。技术特征I未被公开。 |
| J：其特征在于，所述可调谐电容器电路包括彼此并联并且与所述固定电容器并联的多个开关电容器。《未公开》 | 全文未提及多个开关电容器，也未提及它们以并联方式连接并与一个固定电容器并联的结构。 | 对比文件中的多个电容器（例如图3A中的202和502）是并联连接，但它们都是固定MIM电容，用于实现多频点谐波抑制，并非用于构成一个可调谐的电容阵列。其目的和结构与目标专利中用于连续或步进调谐的开关电容器阵列不同。因此，技术特征J未被公开。 |
| K：其特征在于，所述开关电容器中的所述电容器的电容根据二进制比特递增来增大。《未公开》 | 全文未提及任何关于电容器容值按照二进制权重（如C, 2C, 4C, 8C）进行设计或排列的描述。 | 该特征涉及数字控制的可调谐电容器阵列的特定设计方法。对比文件完全没有涉及电容器的可调谐性，因此这种基于二进制比特递增的容值缩放方式未被公开。技术特征K未被公开。 |
| L：其特征在于，所述开关电容器中的所述晶体管的接通电阻根据二进制比特递增来增大。《未公开》 | 全文未提及晶体管开关，更未提及晶体管开关的导通电阻（on-resistance）及其与二进制权重的关系。 | 该特征是配合二进制加权电容阵列，对开关晶体管尺寸进行相应缩放以优化性能的进一步设计细节。由于对比文件未公开任何开关晶体管，该特征当然也未被公开。技术特征L未被公开。 |
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