对比文件名称：2008-05-15_JP2008516511A_发明专利_JP2008516511A Array of capacitors to be switched by Mos transistor
目标专利名称：401补偿封装电感的可调谐电容器电路CN103189979B
模型名称：专利创造性评估模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A《未公开》** | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件（JP2008516511A）描述了一种由MOS晶体管开关的电容阵列，其用于例如调谐电路、替换变容二极管等。全文未提及“IC接地焊盘”、“片上接地节点”或任何将焊盘直接连接到片上接地节点的结构或连接关系。本领域技术人员无法从对比文件毫无疑义地得出或合理推断出该技术特征。 |
| **B《未公开》** | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件描述了电容阵列（即可调谐电容器电路）本身及其连接，例如电容阵列连接在信号线23和24（输出线，可接地）之间（参见图1及对应描述）。然而，该连接是作为一个整体功能模块（如替代变容二极管）使用，并未公开该阵列用于连接“第二IC接地焊盘”和“片上接地节点”以构成特定接地路径。目标专利中该连接旨在形成与直流路径并行的射频接地路径，以补偿封装电感，该特定应用场景和技术目的在对比文件中未见任何记载或暗示。 |
| **C《未公开》** | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件全文未提及“封装电感”，也未提及使电容阵列的电容与任何外部电感在特定工作频率处“谐振”的概念或技术目的。对比文件关注的是电容阵列本身的特性（如电容单调性、串联电阻控制），其应用场景（如调谐滤波器）涉及与电感形成LC谐振回路，但这是LC电路的公知常识，并未指向“补偿封装电感”这一特定技术问题。因此，该技术特征未被公开。 |
| **D《未公开》** | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件未提及“PCB接地节点”、“第一/第二IC接地焊盘”及其连接关系，也未提及封装电感来源于焊盘与PCB接地节点之间的连接。该特征涉及集成电路封装与印刷电路板之间的具体物理连接和寄生参数来源，在对比文件中完全没有记载。 |
| **E《未公开》** | 对比文件未记载相关内容。 | 该特征描述了当可调谐电容器电路与封装电感谐振时，片上接地节点阻抗降低的技术效果。由于对比文件未公开前述的谐振结构（特征C）及其应用场景（特征A、B、D），因此也不可能公开由此产生的特定技术效果。 |
| **F《未公开》** | 对比文件未记载相关内容。 | 对比文件公开的电容阵列（如图1、21）由多个开关电容器分支并联构成。虽然在图10的实施例中，在信号线23和24之间连接有一个固定的并联电容Cp（156），但其说明书描述该电容“固定されて、漂遊容量の主な原因となる”（被固定，是漂游电容的主要原因），其作用是作为主要的漂游电容，而非为了与开关电容器并联以构成可调谐电容器电路的一部分。在目标专利中，固定电容器（C0）是与开关电容器并联以参与谐振调谐的主动元件。两者作用不同，本领域技术人员无法从对比文件中直接或隐含地得出目标专利中固定电容器与开关电容器并联以构成可调谐电容器的技术方案。 |
| **G《直接公开》** | [2] “各個々のキャパシタは、ＭＯＳトランジスタを用いてスイッチングされる。”（每个单独的电容使用MOS晶体管进行开关。）以及图1示出了电容器2-8分别与MOS晶体管9-15串联。 | 对比文件明确公开了开关电容器的基本结构：每个电容器与一个开关（MOS晶体管）串联。通过向MOS晶体管的栅极施加控制电压（正电压使NMOS导通），可以控制该电容器是否接入电路，即“纳入或排除所述电容器的电容”。这与目标专利特征G的技术方案完全相同。 |
| **H《直接公开》** | [2] “スイッチング機能を実施するのに最も適切なデバイスは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、略してＭＯＳＦＥＴ、ＭＯＳＴ、またはＭＯＳトランジスタである。”（实施开关功能最合适的器件是金属氧化物半导体场效应晶体管，简称为MOSFET、MOST或MOS晶体管。） | 对比文件明确指出其实施开关功能的器件是MOS晶体管，即晶体管。这直接公开了特征H。 |
| **I《直接公开》** | [2] “正電圧をＮＭＯＳＴのゲートに印加することによって、そのＮＭＯＳＴが、ターン・オンされる。”（通过对NMOST的栅极施加正电压，该NMOST被开启。） | 对比文件在描述开关操作时，具体提到了NMOST（N型金属氧化物半导体晶体管），即NMOS场效应晶体管。这直接公开了特征I。 |
| **J《未公开》** | 对比文件图1、21等示出了多个开关电容器（例如2-8与9-15串联的分支）彼此并联。但未公开这些开关电容器与一个“固定电容器”并联。 | 对比文件确实公开了“多个开关电容器彼此并联”的结构。然而，特征J要求的是“多个开关电容器彼此并联并且与所述固定电容器并联”。如特征F所述，对比文件未公开与开关电容器并联的固定电容器（用于谐振调谐的C0）。因此，该组合特征未被公开。 |
| **K《直接公开》** | [2] “アレイ・キャパシタ３の容量は、アレイ・キャパシタ２の容量の２倍である。 アレイ・キャパシタ４の容量は、アレイ・キャパシタ３の容量の２倍であり、以下同様である。”（阵列电容3的容量是阵列电容2的容量的2倍。阵列电容4的容量是阵列电容3的容量的2倍，以下同样。）以及描述了“バイナリ重み付きアレイ”（二进制加权阵列）。 | 对比文件明确其电容阵列是二进制加权的，即各个电容器的电容值按照二进制权重递增（例如，2倍递增），这完全对应于“电容根据二进制比特递增来增大”。该特征被直接公开。 |
| **L《未公开》** | [2] “ＭＯＳトランジスタのそれぞれの幾何学的プロパティは、ＭＯＳトランジスタが結合されるキャパシタの容量に比例している。”（各MOS晶体管的几何特性与和该MOS晶体管耦合的电容器容量成比例。）以及公式(6) “Ｗ ｉ ∝Ｃ・２ （ｉ−１）”。 | 对比文件公开了晶体管的宽度（W）与所串联电容器的容量成比例地增大（按2的幂次）。根据MOS管原理，在其它条件（如L、Vgs）固定的情况下，宽度W增大，其导通电阻（Ron）会减小。这与目标专利特征L要求的“接通电阻根据二进制比特递增来增大”正好相反。目标专利旨在通过使电阻也递增来维持谐振品质因数等特性，而对比文件是为了维持电容单调性并控制串联电阻的总体行为，两者设计思路不同。因此，该特征未被公开。 |
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