2008-01-10_None_发明专利_JPWO2005076404A1 平衡型分配器_+++B_C_D_I_k+++.docx

对比文件名称:2008-01-10_None_发明专利_JPWO2005076404A1 平衡型分配器

目标专利名称:416具有平衡I_Q变压器的接收器CN102439847B

本次调用模型名称:gpt-4

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:其包含:第一电路,其包括低噪声放大器LNA,且提供单端信号<br>**《未公开》**无相应内容。对比文件全文未提及“低噪声放大器(LNA)”。目标专利的特征A限定了一个包含LNA的第一电路,该LNA用于放大射频信号并提供单端信号(参见说明书[0022]、[0025]段)。对比文件公开的是一种无源平衡分配器,其从“不平衡端子”输入信号,该信号来源未限定,分配器本身不包含任何有源放大电路。因此,对比文件既未直接也未隐含公开包含LNA的第一电路。
**技术特征B**:及变压器,其耦合到所述第一电路且包含至少一个初级线圈,其接收所述单端信号<br>**《直接公开》**[0008]段:“不平衡線路の第1ストリップラインに電気的に接続された不平衡端子と、第1ストリップラインに電磁結合した第3ストリップラインと第2ストリップラインに電磁結合した第4ストリップラインとで構成された第1平衡線路と...第1ストリップラインに電磁結合した第5ストリップラインと第2ストリップラインに電磁結合した第6ストリップラインとで構成された第2平衡線路と...”。<br>[0013]段:“不平衡端子から入った不平衡信号は、第1ストリップライン、第2ストリップラインと伝搬する。 そして、第1ストリップラインにおいては第3ストリップラインおよび第5ストリップラインと電磁結合し、第2ストリップラインにおいては第4ストリップラインおよび第6ストリップラインと電磁結合することによって、一つの不平衡信号は二つの平衡信号に変換される”。目标专利的“变压器”是一个通过电磁耦合(即以磁性方式耦合)实现信号转换和分配的组件。对比文件中的“第1ストリップライン”和“第2ストリップライン”串联构成了不平衡线路(相当于初级侧),它们分别与第3、5和第4、6带状线电磁耦合。这种通过电磁耦合将一路输入信号(不平衡信号,即单端信号)分配到两路输出信号的结构,实质上公开了一个“变压器”的结构。其中,串联的“第1ストリップライン”和“第2ストリップライン”共同构成了接收单端信号的“至少一个初级线圈”。
**技术特征C**:第一次级线圈,其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且将第一差分信号提供到第二电路<br>**《直接公开》**[0008]段:“第1ストリップラインに電磁結合した第3ストリップラインと第2ストリップラインに電磁結合した第4ストリップラインとで構成された第1平衡線路と、2つの端子を有し、そのうちの一方および他方が第1平衡線路の第3ストリップラインと第4ストリップラインにそれぞれ電気的に接続された第1平衡端子と”。<br>[0020]段:“ストリップライン33の一端33aは接地され、他端33bは第1平衡端子23aに電気的に接続されている。 ストリップライン34の一端34aは接地され、他端34bは第1平衡端子23bに電気的に接続されている。”对比文件中的“第3ストリップライン”和“第4ストリップライン”分别与初级侧(第1和第2带状线)电磁耦合,并共同构成“第1平衡线路”,其两端(23a, 23b)输出第一路平衡(差分)信号。这完全对应于目标专利中“以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈”的“第一次级线圈”。虽然对比文件未明确该信号提供至“第二电路”,但其输出端子(第1平衡端子)必然连接至后续电路,本领域技术人员能够毫无疑义地理解该输出信号将被提供给某个外部电路进行处理。
**技术特征D**:及第二次级线圈,其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且将第二差分信号提供到第三电路<br>**《直接公开》**[0008]段:“第1ストリップラインに電磁結合した第5ストリップラインと第2ストリップラインに電磁結合した第6ストリップラインとで構成された第2平衡線路と、2つの端子を有し、そのうちの一方および他方が第2平衡線路の第5ストリップラインと第6ストリップラインにそれぞれ電気的に接続された第2平衡端子と”。<br>[0020]段:“ストリップライン35の一端35aは接地され、他端35bは第2平衡端子24aに電気的に接続されている。 ストリップライン36の一端36aは接地され、他端36bは第2平衡端子24bに電気的に接続されている。”同理,对比文件中的“第5ストリップライン”和“第6ストリップライン”分别与初级侧电磁耦合,并共同构成“第2平衡线路”,其两端(24a, 24b)输出第二路平衡(差分)信号。这对应于目标专利中的“第二次级线圈”。其输出同样必然连接至外部电路。
**技术特征E**:其中所述至少一个初级线圈并联耦合至相应的可变电抗器以形成相应谐振电路,其中所述电抗器经调谐以改变所述LNA的负载。<br>**《未公开》**无相应内容。对比文件中未提及“可变电抗器”。图1、2中仅示出两个电阻R1、R2,其连接在两个平衡输出端之间,用于阻抗匹配和隔离,并非与初级线圈并联。目标专利的特征E限定了与初级线圈并联的可变电抗器,其作用是形成谐振电路,并且通过调谐该电抗器来改变LNA的负载,从而调整LNA的增益等特性(参见说明书[0032]段)。这是一个具体的、有源的调谐负载结构。对比文件中的平衡分配器是完全无源的,其初级侧(不平衡线路)没有并联任何电抗元件,更无“可变”和“调谐以改变LNA负载”的功能。该特征未被公开。
**技术特征F**:所述LNA放大所接收的射频RF信号且将所述单端信号提供到所述变压器。<br>**《未公开》**无相应内容。如特征A所述,对比文件未公开LNA。因此,LNA放大RF信号并提供单端信号给变压器的功能自然未被公开。
**技术特征G**:所述至少一个初级线圈作为所述LNA的无源负载来操作。<br>**《未公开》**无相应内容。该特征描述了初级线圈与LNA之间的功能关系。由于对比文件根本不存在LNA,因此“作为LNA的无源负载”这一特定作用和操作方式无从谈起。
**技术特征H**:所述第二电路包含第一混频器,所述第一混频器用同相I本机振荡器LO信号对所述第一差分信号进行下变频转换且提供差分I经下变频转换的信号,且所述第三电路包含第二混频器,所述第二混频器用正交Q LO信号对所述第二差分信号进行下变频转换且提供差分Q经下变频转换的信号。<br>**《未公开》**无相应内容。目标专利的特征H限定了接收变压器输出信号的具体电路是I/Q混频器,并描述了其下变频功能(参见说明书[0016]段)。这是接收器架构的核心。对比文件仅公开了无源分配器本身,其输出端子之后的电路(第二、第三电路)未作任何限定,完全没有提及混频器、LO信号或下变频操作。
**技术特征I**:所述至少一个初级线圈包含第一初级线圈,其以磁性方式耦合到所述第一次级线圈且接收所述单端信号,及第二初级线圈,其以磁性方式耦合到所述第二次级线圈且接收所述单端信号。<br>**《直接公开》**[0008]段、[0020]段及图1。如特征B、C、D所述,不平衡线路由串联的第1和第2带状线构成。第1带状线与第3、5带状线耦合,第2带状线与第4、6带状线耦合。第1和第2带状线在中央连接点(中継端子25,见图4)接收输入信号。目标专利的图2实施例展示了具有两个独立初级线圈(252, 254)的结构,每个线圈分别耦合到一个次级线圈。对比文件中的结构实质相同:串联的“第1ストリップライン”和“第2ストリップライン”可被视为两个独立的初级线圈(或一个线圈的两部分),它们分别主要与第一次级线圈对(3,4)和第二次级线圈对(5,6)进行电磁耦合,并且共同在连接点接收单端输入信号。本领域技术人员从对比文件的电路图和描述中能毫无疑义地得出该结构。
**技术特征J**:所述至少一个初级线圈包含具有接收所述单端信号的中央分接头的单一初级线圈,所述第一次级线圈以磁性方式耦合到所述初级线圈的第一半部,且所述第二次级线圈以磁性方式耦合到所述初级线圈的第二半部。<br>**《未公开》**无相应内容。对比文件中未描述单一初级线圈带中心抽头的结构。其初级侧始终是两个串联的带状线(第1和第2)。目标专利的特征J限定了变压器的另一种实施方式(参见图4及说明书[0029]段),即单个初级线圈,其两半分别耦合到两个次级线圈。对比文件的所有实施例均采用两个串联带状线作为初级侧,未公开这种“单一初级线圈”且具有“中央分接头”的替代结构。
**技术特征K**:所述至少一个初级线圈制造于第一导电层上,且所述第一及第二次级线圈制造于第二导电层上。<br>**《隐含公开》**[0034]段:“グランド電極51,52,53を表面に形成した誘電体シート65と、1/4波長ストリップライン31,32,33,34,35,36や層間接続用ビアホール60を形成した誘電体シート65と...”。<br>[0035]段:“グランド電極51と52の間には、スパイラル状のストリップライン31を設けた誘電体シートを挟んで同じくスパイラル状のストリップライン33,35を設けた誘電体シートが配置されている...グランド電極52と53の間には、スパイラル状のストリップライン32を設けた誘電体シートを挟んで同じくスパイラル状のストリップライン34,36を設けた誘電体シートが配置されている。”目标专利的特征K涉及线圈在集成电路不同金属层上的制造布局。对比文件公开了一种多层结构的平衡分配器,其带状线制造于不同的介质片(导电层)上。具体地,第1带状线(初级线圈的一部分)与第3、5带状线(次级线圈)被布置在接地电极51和52之间的不同层上;第2带状线(初级线圈的另一部分)与第4、6带状线(次级线圈)被布置在接地电极52和53之间的不同层上。这表明初级线圈和次级线圈是制造在不同的导电层(介质片)上的。虽然对比文件使用的是多层陶瓷技术而非IC金属层,但“将线圈制造于不同导电层上”这一布局概念已被隐含公开。本领域技术人员可以合理推断,为实现电磁耦合和紧凑布局,将初级和次级线圈布置在不同层上是常见技术手段。
**技术特征L**:所述至少一个初级线圈以及所述第一及第二次级线圈制造于单一导电层上。<br>**《未公开》**无相应内容。对比文件的所有实施例均为多层结构,未描述所有线圈制造于单一导电层上的方案。目标专利的特征L限定了线圈并排制造于单一层的替代方案(参见说明书[0043]段)。对比文件未提及或暗示此种布局。
**技术特征M**:所述第一及第二初级线圈各自包含第一数目的匝,且所述第一及第二次级线圈各自包含比所述第一数目的匝少的第二数目的匝。<br>**《未公开》**[0035]段提到“スパイラル状のストリップライン”,即螺旋状带状线,意味着它们具有多匝。但说明书未具体描述或比较初级和次级带状线的匝数。目标专利的特征M限定了初级和次级线圈之间特定的匝数比例关系(初级匝数多于次级),以实现电流增益(参见说明书[0042]段)。对比文件虽然使用了螺旋状(多匝)带状线,但未公开其具体的匝数,更未公开初级匝数多于次级匝数这一特定关系。该特征未被公开。
**技术特征N**:所述第一次级线圈覆盖所述第一初级线圈,且所述第二次级线圈覆盖所述第二初级线圈。<br>**《未公开》**[0035]段描述了不同带状线在叠层中的相对位置关系,例如“ストリップライン31を設けた誘電体シートを挟んで同じくスパイラル状のストリップライン33,35を設けた誘電体シートが配置されている”。这暗示了层叠关系,但“覆盖”一词在目标专利中特指一个线圈在垂直投影上位于另一个线圈之上或之下(参见图6、7)。对比文件未明确描述这种精确的“覆盖”关系。“覆盖”是目标专利中描述线圈空间位置关系的特定术语。对比文件仅公开了线圈位于不同层,但多层结构中的层叠顺序有多种可能(如交错),不能毫无疑义地推导出次级线圈一定“覆盖”在对应的初级线圈正上方或正下方。该特征未被直接或隐含公开。
**技术特征O**:所述第一初级线圈及所述第一次级线圈在第一方向上以螺旋图案形成,且所述第二初级线圈及所述第二次级线圈在与所述第一方向相反的第二方向上以螺旋图案形成。<br>**《未公开》**[0035]段提及“スパイラル状”(螺旋状),但未描述螺旋的方向。目标专利的特征O限定了两个次级线圈以相反方向的螺旋图案形成,目的是减小耦合、改善隔离(参见说明书[0044]段)。这是一个具体的优化设计特征。对比文件仅公开线圈为螺旋状,但未提及它们的螺旋方向,更未公开两个次级线圈螺旋方向相反。该特征未被公开。

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