对比文件名称：2008-01-17_US2008013635A_发明申请_US20080013635A1 TRANSFORMER COILS FOR PROVIDING VOLTAGE ISOLATION
目标专利名称：具有平衡I/Q变压器的接收器CN102439847B
模型名称：DeepSeek最新版本模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包含：第一电路，其包括低噪声放大器LNA，且提供单端信号<br>**未被公开** | 无 | 对比文件涉及用于数字隔离器（如电源转换产品）的变压器线圈，以在不同电压域之间提供电压隔离并传输数据（参见[0002]-[0003]）。其描述的电路是用于处理数字数据（如来自PWM控制器的控制信号）的发射器/接收器电路（例如图7中的702、704），并通过RF载波（如2 GHz）进行调制/解调以通过变压器进行传输（[0078]-[0091]）。对比文件未描述或提及任何用于放大所接收射频（RF）信号的低噪声放大器（LNA），也未描述提供单端射频信号的此类第一电路。其技术领域、解决的问题和电路功能与目标专利的无线接收器中的LNA不同。 |
| **技术特征B**：及变压器，其耦合到所述第一电路且包含<br>至少一个初级线圈，其接收所述单端信号，<br>**未被公开** | 无 | 对比文件确实公开了具有初级线圈的变压器，该初级线圈接收来自发射器电路的信号（例如，图7中的变压器714，其初级线圈接收来自NAND门709的输出信号，[0078]）。然而，对比文件中变压器接收的信号是用于数据传输的调制RF载波信号（例如，由数据门控的2 GHz信号，[0078]），而目标专利中变压器接收的是来自LNA的单端射频信号（RFin）。两者信号的性质、来源和作用均不同：目标专利中变压器用于接口单端放大器和差分混频器，而对比文件中变压器用于跨隔离屏障传输数字数据。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征C**：第一次级线圈，其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且将第一差分信号提供到第二电路，<br>**未被公开** | 无 | 对比文件的变压器具有次级线圈，该次级线圈以磁性方式耦合到初级线圈并输出信号（例如，图7中的变压器718的次级线圈将信号提供给接收器电路704，[0078]）。然而，对比文件中次级线圈的输出是提供给检测器电路以恢复传输的数字数据（[0078], [0090]），而目标专利中第一次级线圈是将第一差分信号（例如，用于I通道的RF1p和RF1n）提供到第二电路（即I混频器）。两者输出的信号性质（恢复的数字数据 vs. 射频差分信号）和接收电路（数据检测器 vs. 下变频混频器）均不相同。此外，目标专利明确要求“差分信号”，而对比文件图7中的接收器电路704的输入虽然是来自变压器次级线圈的两端，但其放大器705和检测器706的具体连接方式并未被明确描述为处理标准的差分信号对。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征D**：及第二次级线圈，其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且将第二差分信号提供到第三电路<br>**未被公开** | 无 | 目标专利的关键特征在于变压器具有两个次级线圈，分别用于提供同相（I）和正交（Q）信号路径。对比文件中描述的变压器（如图7、28、29等）通常用于单一数据信道，其变压器通常只涉及一个次级线圈（或一个具有中心抽头的次级线圈用于差分接收，如图28-29）。对比文件没有描述或暗示存在两个独立的次级线圈，分别以磁性方式耦合到初级线圈（或其不同部分），并各自将差分信号提供给不同的电路（如I混频器和Q混频器）。其系统是多通道的，但每个通道使用独立的变压器对（[0101], 图15），而非单个变压器具有两个次级线圈。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征E**：其中所述至少一个初级线圈并联耦合至相应的可变电抗器以形成相应谐振电路，其中所述电抗器经调谐以改变所述LNA的负载。<br>**未被公开** | 无 | 对比文件中没有公开将可变电抗器与变压器的初级线圈并联以形成谐振电路，并且为了改变LNA的负载而进行调谐。对比文件涉及的是通过变压器进行数据通信的隔离器，其电路设计重点在于信号传输、接收和共模抑制（例如，[0122]-[0129]），并未描述任何与变压器初级线圈并联的可调谐谐振电路用于调整前置放大器（如LNA）的负载特性。目标专利的该特征是为了优化LNA性能（如增益），这在对比文件的上下文中不存在。 |
| **技术特征F**：所述LNA放大所接收的射频RF信号且将所述单端信号提供到所述变压器。<br>**未被公开** | 无 | 如特征A所述，对比文件未描述LNA。其发射器电路处理的是数字基带数据，并用RF载波进行调制，并非放大所接收的RF信号。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征G**：所述至少一个初级线圈作为所述LNA的无源负载来操作。<br>**未被公开** | 无 | 在目标专利中，平衡I/Q变压器的初级线圈作为LNA的无源负载（[0022], [0032]）。在对比文件中，变压器的初级线圈是发射器电路的有源驱动部分（例如，图7中晶体管710驱动变压器714的初级侧，[0078]），用于将能量耦合到次级侧，其作用是为数据隔离链路提供驱动，而非作为放大器的无源负载。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征H**：所述第二电路包含第一混频器，所述第一混频器用同相I本机振荡器LO信号对所述第一差分信号进行下变频转换且提供差分I经下变频转换的信号，且所述第三电路包含第二混频器，所述第二混频器用正交Q LO信号对所述第二差分信号进行下变频转换且提供差分Q经下变频转换的信号。<br>**未被公开** | 无 | 对比文件中的接收器电路（如图7中的704，图29中的2904）用于检测是否存在RF载波以恢复数字数据（[0078], [0090]）。这些电路包含放大器、检测器等，但不包含用于下变频转换的混频器，也不涉及使用同相（I）和正交（Q）本机振荡器（LO）信号。对比文件处理的是数字数据的直接传输和恢复，而非目标专利所涉及的将RF信号下变频转换为基带I和Q信号的无线接收器架构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征I**：所述至少一个初级线圈包含第一初级线圈，其以磁性方式耦合到所述第一次级线圈且接收所述单端信号，及第二初级线圈，其以磁性方式耦合到所述第二次级线圈且接收所述单端信号。<br>**未被公开** | 无 | 这是目标专利中平衡I/Q变压器的一种实施方式（如图2所示）。对比文件中描述的变压器通常具有一个初级线圈（可能带有中心抽头，如图28-30），而不是两个独立的初级线圈分别磁性耦合到两个独立的次级线圈。虽然对比文件图18-20、30-32显示了变压器线圈，但并未描述这种具有两个初级线圈和两个次级线圈的特定结构。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征J**：所述至少一个初级线圈包含具有接收所述单端信号的中央分接头的单一初级线圈，所述第一次级线圈以磁性方式耦合到所述初级线圈的第一半部，且所述第二次级线圈以磁性方式耦合到所述初级线圈的第二半部。<br>**未被公开** | 无 | 这是目标专利中平衡I/Q变压器的另一种实施方式（如图4所示）。对比文件中虽然提到了具有中心抽头的变压器（例如，图28-30），但其中心抽头用于连接电容或接地以改善共模抑制（[0123]），并且次级侧是单个线圈（带有中心抽头用于差分接收）。对比文件没有描述或暗示存在两个独立的次级线圈，分别磁性耦合到单一初级线圈的不同半部。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征K**：所述至少一个初级线圈制造于第一导电层上，且所述第一及第二次级线圈制造于第二导电层上。<br>**《直接公开》** | [0113] “A first coil 1802 consists of a first terminal 1804 and a second terminal 1806 formed in the metal layer of a chip referred to as the ‘Metal 1’ layer. Each of the terminals in the Metal 1 layer are connected to the transformer coil 1808 which resides on a second metal layer of a chip referred to as the ‘Metal 2’ layer.” <br>[0113] “A second coil resides upon a fifth metal layer referred to as the ‘Metal 5’ layer.” <br>[0115] 以及图18a, 18b, 19, 20。 <br>类似地，[0130]-[0132]及图30a, 30b, 31, 32描述了中心抽头变压器的类似分层结构。 | 对比文件明确且详细地描述了变压器线圈制造于不同的导电（金属）层上。具体而言，一个线圈（例如，1808）制造在第二金属层（Metal 2）上，而另一个线圈（例如，1818）制造在第五金属层（Metal 5）上。虽然对比文件中具体提及的层编号（Metal 1, Metal 2, Metal 5）可能因工艺而异，但其核心教导是变压器的不同线圈可以且确实制造在不同的导电层上，以实现电压隔离和磁耦合。这与目标专利技术特征K中“初级线圈制造于第一导电层上，次级线圈制造于第二导电层上”的构思相同。本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出该技术方案。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：所述至少一个初级线圈以及所述第一及第二次级线圈制造于单一导电层上。<br>**未被公开** | 无 | 对比文件中描述的变压器线圈均制造于多个金属层上（例如Metal 2和Metal 5），以实现高压隔离（[0115]-[0117]）。对比文件没有描述或暗示将所有线圈（至少一个初级线圈和两个次级线圈）制造在单一导电层上。其技术目的是通过层间距离实现高压隔离，这与使用单一层是相悖的。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征M**：所述第一及第二初级线圈各自包含第一数目的匝，且所述第一及第二次级线圈各自包含比所述第一数目的匝少的第二数目的匝。<br>**未被公开** | 无 | 对比文件描述了线圈的物理尺寸和布局（例如[0114], [0130]），但并未提及或公开初级线圈和次级线圈的具体匝数，更没有公开初级线圈匝数多于次级线圈匝数以获得电流增益的特定关系。目标专利的该特征涉及变压器的设计以获得特定增益（电流或电压），而对比文件未涉及此目的。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征N**：所述第一次级线圈覆盖所述第一初级线圈，且所述第二次级线圈覆盖所述第二初级线圈。<br>**《隐含公开》** | [0115] “Referring now also to FIG. 19, there is illustrated the overlapping view of the first and second coils of a transformer on a chip.” <br>[0115] “The two coils 1818 and 1808 are similar in their configuration and are oriented such that they are substantially ‘non-overlapping.’ However, they could overlap.” <br>[0121] “It can be seen that the metal runs 2104 are substantially the same shape as the metal runs 2102 but they are non-overlapping and separated by a dielectric layer.” <br>图19, 20, 22展示了线圈在不同层上的布局关系。 | 对比文件明确展示了变压器中两个线圈（例如1808和1818）的俯视图（图19），它们布置在不同的金属层上（Metal 2和Metal 5）。虽然原文提到它们可以是非重叠的（“non-overlapping”），但图19显示两个螺旋图案的线圈在平面投影上存在大致的对应关系，且说明书提及它们“可以重叠”（“could overlap”）。更重要的是，图20和22的侧视图及描述清晰地表明，一个线圈（在Metal 5层）堆叠在另一个线圈（在Metal 2层）之上，中间由介电层隔开。这种“堆叠”（stacked）布局必然意味着上层的线圈在垂直投影上“覆盖”（covers）了下层的线圈，这是实现磁耦合的常见方式。本领域技术人员根据对比文件公开的堆叠线圈结构，能够合理推断出存在一个线圈覆盖另一个线圈的技术方案。尽管“覆盖”一词可能隐含了特定的对准或完全重叠，但就线圈布局的基本空间关系而言，对比文件已隐含公开了该特征。 |
| **技术特征O**：所述第一初级线圈及所述第一次级线圈在第一方向上以螺旋图案形成，且所述第二初级线圈及所述第二次级线圈在与所述第一方向相反的第二方向上以螺旋图案形成。<br>**未被公开** | 无 | 对比文件确实描述了线圈可以形成为螺旋图案（例如，[0114]描述线圈1808、1818）。然而，对比文件完全没有提及或暗示不同线圈对（例如对应于I和Q通道的线圈对）以相反方向的螺旋图案形成。目标专利的此特征旨在减少两个次级线圈之间的相互耦合以改善隔离（[0044]），这是对比文件未曾涉及的具体设计细节。因此，该技术特征未被公开。 |
| **技术特征P**：所述第一及第二可变电抗器在集成电路上制造于所述变压器下方。<br>**未被公开** | 无 | 对比文件没有描述可变电抗器，更没有描述可变电抗器制造在变压器下方。对比文件中涉及的可调元件是用于RF振荡器频率调谐的可切换电容器组（如图51、54中的5104、5108），这些电容器与振荡器的电感（5116）一起形成LC振荡电路，用于产生RF载波，并非与隔离变压器本身并联以形成可调谐负载。因此，该技术特征未被公开。 |
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