对比文件名称：2005-04-14_JP2005102140A_发明专利_JP2005102140A Frequency converter and radio communication device using the same
目标专利名称：具有平衡I_Q变压器的接收器CN102439847B
本次调用的模型名称：DeepSeek-R1
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### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **特征A：其包含：第一电路，其包括低噪声放大器LNA，且提供单端信号** <br>**《直接公开》** | [2] “图1を参照して、アンテナ３１から受信した第１の信号（例えば２．４ＧＨｚ）は、低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）３２で増幅され...”； [2] “増幅回路１１をシングル入出力構成にすることにより...”； 参见图2，放大器11的输出连接到巴伦12的输入侧电感15的一端。 | 对比文件明确公开了包含LNA（低噪声放大器）的第一电路。在图1的框图和图2的电路图中，LNA 32/放大器11放大接收的RF信号。更重要的是，对比文件强调放大器11是“シングル入出力構成”（单端输入输出构成），其输出端（单端）连接到巴伦12的输入端。因此，对比文件直接公开了“包括LNA且提供单端信号的第一电路”。 |
| **特征B：及变压器，其耦合到所述第一电路且包含至少一个初级线圈，其接收所述单端信号** <br>**《直接公开》** | [2] “バラン１２は、半導体基板上に２つのインダクタ（入力側インダクタ１５，出力側インダクタ１６）を交互に形成し...”； [2] “バラン１２の入力側インダクタ１５の一端は...他端はシングル入出力構成の増幅回路１１の出力に接続される。” | 对比文件中的“バラン”（balun）即是一种变压器，其包含输入侧电感15和输出侧电感16。输入侧电感15即相当于初级线圈，它直接接收来自单端放大器11的输出信号。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **特征C：第一次级线圈，其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且将第一差分信号提供到第二电路** <br>**《隐含公开》** | [2] “バラン１２は、半導体基板上に２つのインダクタ（入力側インダクタ１５，出力側インダクタ１６）を交互に形成し...”； [2] “第１のスイッチ回路１の入力端子には、バラン１２の出力端子１６ａが接続され、バラン１２から第１のスイッチ回路１に、第１の信号ＲＦが電流信号で伝達される。” | 对比文件中的巴伦12包含输出侧电感16，它与输入侧电感15“交互に形成”，意味着两者以磁性方式耦合。输出侧电感16的输出端子16a为差分输出端，将差分（电流）信号提供至第一开关电路1。虽然此处“第二电路”是第一开关电路，而非目标专利中的I混频器，但“将第一差分信号提供到第二电路”这一功能性限定已被公开。本领域技术人员可以毫无疑义地理解，巴伦的次级线圈（输出侧电感）必然以磁性方式耦合到初级线圈（输入侧电感），并将初级接收的单端信号转换为差分信号输出至后级电路。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **特征D：及第二次级线圈，其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且将第二差分信号提供到第三电路** <br>**《未公开》** | 对比文件全文，特别是图2及相应描述。 | 对比文件中的巴伦12仅包含一个输出侧电感16（即一个次级线圈），该次级线圈输出一个差分信号至第一开关电路1。I信号和Q信号是在后续的开关电路2和3中，通过对第一开关电路1输出的同一中间信号进行第二次下变频而产生的。对比文件并未公开具有两个独立的次级线圈（分别对应I和Q路径）的变压器结构。目标专利的核心之一正是通过具有两个次级线圈的“平衡I/Q变压器”直接产生两路差分RF信号，以改善I/Q平衡和隔离。该区别是实质性的，因此特征D未被公开。 |
| **特征E：其中所述至少一个初级线圈并联耦合至相应的可变电抗器以形成相应谐振电路，其中所述电抗器经调谐以改变所述LNA的负载。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文。 | 对比文件的巴伦12（变压器）的初级侧（输入侧电感15）并未并联任何可变电抗器，也未提及形成谐振电路以调谐LNA负载。对比文件关注的是通过巴伦实现单端到差分的转换以及电流分配，其性能优化主要通过调整供给各级开关电路的偏置电流来实现（如图5、6、7等实施例）。因此，特征E所限定的“初级线圈并联可变电抗器形成可调谐谐振电路”这一具体技术手段未被对比文件公开。 |
| **特征F：所述LNA放大所接收的射频RF信号且将所述单端信号提供到所述变压器。** <br>**《直接公开》** | [2] “図1を参照して、アンテナ３１から受信した第１の信号（例えば２．４ＧＨｚ）は、低ノイズ増幅器（ＬＮＡ）３２で増幅され...”； [2] “バラン１２の入力側インダクタ１５の一端は...他端はシングル入出力構成の増幅回路１１の出力に接続される。” | 此特征与特征A、B的部分内容重合，是对其功能的进一步说明。对比文件明确公开了LNA放大接收的RF信号，并将放大后的单端信号提供至巴伦（变压器）的输入端。因此，该特征被直接公开。 |
| **特征G：所述至少一个初级线圈作为所述LNA的无源负载来操作。** <br>**《隐含公开》** | [2] “増幅回路１１をシングル入出力構成にすることにより...”； 图2电路连接关系。 | 在对比文件图2中，单端放大器11的输出直接连接到巴伦12的输入侧电感15。对于放大器11而言，巴伦的输入侧电感构成了其输出负载。由于巴伦是无源元件，本领域技术人员能够直接且毫无疑义地认识到，该电感作为放大器的无源负载在操作。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **特征H：所述第二电路包含第一混频器，所述第一混频器用同相I本机振荡器LO信号对所述第一差分信号进行下变频转换且提供差分I经下变频转换的信号，且所述第三电路包含第二混频器，所述第二混频器用正交Q LO信号对所述第二差分信号进行下变频转换且提供差分Q经下变频转换的信号。** <br>**《直接公开》** | [2] “第２のスイッチ回路２はＩ信号を出力し、第３のスイッチ回路３はＱ信号を出力する。”； [2] “第２のスイッチ回路２における、第２及び第３のトランジスタＭ２，Ｍ３のベースには局部発振器からの正相ローカル信号ＬＯ２（＋）...が印加され...”； [2] “ローカル信号ＬＯ２とローカル信号ＬＯ３は、その位相が９０度異なっている。”； [2] “第２のスイッチ回路２は...Ｉ側の信号出力（Ｉ，Ｉ Ｂ ）を行う。...スイッチ回路３は...Ｑ側のベースバンド周波数の信号出力（Ｑ，Ｑ Ｂ ）を行う。” | 对比文件中的第二开关电路2和第三开关电路3即分别起到I混频器和Q混频器的作用。它们接收来自第一开关电路1的输出信号（相当于对第一差分信号进行了一次下变频后的中间信号），并分别使用相位相差90度的LO2和LO3信号进行第二次下变频，最终输出基带频率的I和Q信号。尽管目标专利是一次下变频（零中频）架构，而对比文件是两次下变频（超外差）架构，但就特征H限定的“混频器用I/Q LO信号对输入信号进行下变频并提供I/Q下变频信号”这一功能而言，对比文件已经直接公开。 |
| **特征I：所述至少一个初级线圈包含第一初级线圈，其以磁性方式耦合到所述第一次级线圈且接收所述单端信号，及第二初级线圈，其以磁性方式耦合到所述第二次级线圈且接收所述单端信号。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文，特别是图2、图3对巴伦12的描述。 | 对比文件中的巴伦12仅包含一个初级线圈（输入侧电感15）和一个次级线圈（输出侧电感16）。其结构是单初级、单次级的巴伦，而非目标专利中具有两个独立初级线圈（分别对应两个次级线圈）的“平衡I/Q变压器”。因此，特征I所限定的具体变压器结构未被公开。 |
| **特征J：所述至少一个初级线圈包含具有接收所述单端信号的中央分接头的单一初级线圈，所述第一次级线圈以磁性方式耦合到所述初级线圈的第一半部，且所述第二次级线圈以磁性方式耦合到所述初级线圈的第二半部。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文。 | 对比文件中的巴伦12不具有带中央分接头的单一初级线圈结构，也没有两个分别耦合到初级线圈不同半部的次级线圈。因此，该替代结构的变压器未被公开。 |
| **特征K：所述至少一个初级线圈制造于第一导电层上，且所述第一及第二次级线圈制造于第二导电层上。** <br>**《未公开》** | [2] “バラン１２は、半導体基板上に２つのインダクタ（入力側インダクタ１５，出力側インダクタ１６）を交互に形成し...上位メタル層、下位メタル層およびこれらをつなぐ連結層で形成される。” | 对比文件提及巴伦的电感形成于不同的金属层（上位/下位），并“交互に形成”，这暗示了初级和次级线圈可能在不同层上交错排布以实现耦合。然而，该描述针对的是**单个**巴伦（单个初级、单个次级）的制造。特征K限定的“至少一个初级线圈”和“第一及第二次级线圈”是目标专利特有的双次级线圈结构。对比文件未公开这种具有两个次级线圈的变压器的具体分层制造方式。因此，特征K未被公开。 |
| **特征L：所述至少一个初级线圈以及所述第一及第二次级线圈制造于单一导电层上。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文。 | 对比文件明确巴伦使用“上位メタル層、下位メタル層”制造，并非单一导电层。且其描述的变压器结构与特征L限定的不同。因此，该特征未被公开。 |
| **特征M：所述第一及第二初级线圈各自包含第一数目的匝，且所述第一及第二次级线圈各自包含比所述第一数目的匝少的第二数目的匝。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文。 | 对比文件未提及巴伦12中初级线圈和次级线圈的具体匝数，更未对具有两个初级和两个次级线圈的变压器进行匝数比较。因此，该特征未被公开。 |
| **特征N：所述第一次级线圈覆盖所述第一初级线圈，且所述第二次级线圈覆盖所述第二初级线圈。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文。 | 对比文件描述巴伦的电感是“交互に形成”，可能指交错或堆叠，但并未明确“覆盖”关系，且其针对的是单一次级线圈与单一直连线圈的关系。特征N限定的两个次级线圈分别覆盖两个初级线圈的结构未被公开。 |
| **特征O：所述第一初级线圈及所述第一次级线圈在第一方向上以螺旋图案形成，且所述第二初级线圈及所述第二次级线圈在与所述第一方向相反的第二方向上以螺旋图案形成。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文。 | 对比文件未描述线圈的图案（螺旋或其他）及其形成方向，更未涉及目标专利中两组线圈反向螺旋形成的具体布局。因此，该特征未被公开。 |
| **特征P：所述第一及第二可变电抗器在集成电路上制造于所述变压器下方。** <br>**《未公开》** | 对比文件全文。 | 如特征E所述，对比文件未公开任何与变压器初级线圈并联的可变电抗器。因此，特征P自然也未被公开。 |
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